日本強(qiáng)調(diào)，打造本土半導(dǎo)體
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來源：世界半導(dǎo)體技術(shù)論壇
日美政府在5月的首腦會(huì)談中一致同意在新一代半導(dǎo)體領(lǐng)域合作。近期將設(shè)置聯(lián)合工作組，具體制定建造地點(diǎn)等建設(shè)計(jì)劃。7月舉行的“日美經(jīng)濟(jì)政策磋商委員會(huì)”（經(jīng)濟(jì)版2+2）上將磋商合作內(nèi)容。日本政府在研究利用補(bǔ)貼等方式。
新一代半導(dǎo)體比以往的半導(dǎo)體在性能上大幅提升，人工智能（AI）等用途廣泛，還可以轉(zhuǎn)用于軍事。國(guó)際半導(dǎo)體巨頭臺(tái)灣積體電路制造公司（TSMC）透露，將在2025年啟動(dòng)制程為2納米（1納米為10億分之1米）的新一代半導(dǎo)體生產(chǎn)。
中國(guó)政府也對(duì)本國(guó)的半導(dǎo)體開發(fā)進(jìn)行大規(guī)模投資等，各國(guó)競(jìng)爭(zhēng)激化，日美近年來在新一代半導(dǎo)體等研發(fā)領(lǐng)域相互靠攏。日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)相萩生田光一5月訪美，與美國(guó)政府制定了以加強(qiáng)研發(fā)和供應(yīng)鏈的合作為核心的基本原則。
關(guān)于美國(guó)主導(dǎo)、5月成立的新經(jīng)濟(jì)圈構(gòu)想“印太經(jīng)濟(jì)框架”（IPEF），日本等參加國(guó)也將合作力爭(zhēng)確保供應(yīng)鏈的穩(wěn)定。
臺(tái)積電的子公司將在熊本縣建造新工廠，力爭(zhēng)2024年開始出貨。該工廠計(jì)劃生產(chǎn)制程10至20納米級(jí)的半導(dǎo)體產(chǎn)品。
日本批準(zhǔn)臺(tái)積電建廠計(jì)劃 最高補(bǔ)貼4760億日元
日本政府17日宣布，基于扶持在國(guó)內(nèi)建造半導(dǎo)體工廠的相關(guān)法律，批準(zhǔn)全球半導(dǎo)體巨頭臺(tái)灣積體電路制造公司（TSMC）等在熊本縣建廠計(jì)劃。政府最高將補(bǔ)貼4760億日元（約合人民幣238億元）。臺(tái)積電將攜手索尼集團(tuán)與電裝，主要面向日本客戶進(jìn)行生產(chǎn)。
各國(guó)就用于各類電子產(chǎn)品的半導(dǎo)體采購(gòu)展開競(jìng)爭(zhēng)，確保穩(wěn)定供應(yīng)已成為政府的重要課題。日本在半導(dǎo)體生產(chǎn)方面落后，因此政府希望通過提供補(bǔ)貼等夯實(shí)生產(chǎn)基礎(chǔ)。對(duì)臺(tái)積電等的補(bǔ)貼是基于相關(guān)法律的首個(gè)項(xiàng)目，到2024年底前陸續(xù)發(fā)放。
預(yù)計(jì)工廠將在2024年12月首次出貨。用于演算的10至20納米級(jí)（1納米為10億分之1米）制程半導(dǎo)體的月生產(chǎn)能力將達(dá)到約5.5萬(wàn)枚（按12英寸換算）。根據(jù)計(jì)劃，工廠占地面積約21.3萬(wàn)平米，員工數(shù)約1700人。
政府認(rèn)為臺(tái)積電方面滿足了持續(xù)生產(chǎn)至少10年、半數(shù)以上材料在日本國(guó)內(nèi)采購(gòu)等條件。
經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)相萩生田光一17日在內(nèi)閣會(huì)議后的記者會(huì)上表示，“期待增強(qiáng)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈韌性，以及為今后半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展持續(xù)做貢獻(xiàn)?！?/span>
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