來源：問芯Voice

談到一臺一億歐元天價的 EUV 機臺，絕對會觸碰到國內半導體產業(yè)心中的“共同遺憾”。

若說半導體產業(yè)有哪些卡脖子的技術，EUV 光刻機無法進口到國內，足以讓國內先進制程芯片的制造“致命”。在邏輯制程（晶圓代工）方面，已經讓中芯國際退居到 14nm、28nm 制程，暫時把 7nm 制程以下的先進制程制造放一邊。

在剛剛舉行的中國國際半導體技術大會 CSTIC 2022 中，芯盟科技 CEO 洪沨在會議中宣布了基于 HITOC 技術的 3D 4F2 DRAM 架構的問世。

“基于 HITOC 技術的 3D 4F2 DRAM 架構”，對外界而言是非常陌生的技術。在解釋何為 HITOC 技術？以及何為 3D 4F2 DRAM 架構之前，先來提出一個非常關鍵點：基于 HITOC 技術所開發(fā)的全新架構的 3D 4F2 DRAM 芯片，最大特點是不需要用到 EUV 光刻機，也不需要多重圖形曝光 SAQP（Self-Aligned Quadruple Patterning）的步驟，這可以大幅減少成本，更重要的是，避免技術往前突破的同時，設備被國外制造商卡脖子。

這是芯盟繼 2020 年發(fā)布存算一體 AI 芯片 SUNRISE 后，在單芯片異構集成技術領域，又一次的重大創(chuàng)新突破。

芯盟在 2020 年 9 月首次發(fā)布全球第一款基于 HITOC 架構的高性能存算一體 AI 芯片 SUNRISE，此芯片目前已成功應用于晶圓廠生產線智能缺陷分類系統(tǒng)領域。 再者，高性能計 HPC 公司豪微科技在最新流片成功的布谷鳥 2（cuckoo 2）芯片上，采用的芯盟的HITOC技術，實現了大容量存算一體 3D 架構。

芯盟這次把 HITOC 技術架構，使用在 DRAM 設計上。

什么是 HITOC 技術？

芯盟科技表示，HITOC 技術（Heterogeneous Integration Technology on Chip）技術是運用先進的晶圓對晶圓（Wafer-on-Wafer）和晶粒對晶圓（Die-on-Wafer）混合鍵合（Hybrid Bonding）制造工藝，將不同類型的 wafer 或 die 上下對準貼合，以實現真正的三維異構單芯片集成。

芯盟科技當前基于 Wafer-on-Wafer 的 HITOC 技術產品，已經導入市場應用，Die-on-Wafer 和 Multi-Wafer-on-Wafer 的 3D 堆疊產品正在研發(fā)中。

芯盟也將 HITO C技術應用到先進 DRAM 開發(fā)中，提出一種全新的 3D 4F2 DRAM 架構。首先，芯盟創(chuàng)新性地設計并實現了垂直溝道陣列晶體管（VACT）。

VACT 架構中的晶體管采用了鏡像設計，相鄰的兩個晶體管中心對稱。其中單晶硅體之間通過絕緣材料結合氣隙隔絕的方法分隔開來，同時通過高精密度光刻和刻蝕工藝，嚴格控制單晶硅溝道的厚度，保證其厚度小于一定數值以使此晶體管在開啟時溝道為全耗盡型，降低了 DRAM 缺陷 “Row Hammer” 效應的影響。

然后，是利用三維 HITOC 技術的特點，將存儲單元在 Array Wafer 中垂直豎起，并把存儲單元電容和位線置于 Array Wafer 的上下兩邊，這是 4F2 能夠真正實現的關鍵因素。

再者，將傳統(tǒng) DRAM 架構中的存儲陣列 Array 和主要的 CMOS 邏輯電路分開設計，分別制造在兩片獨立的晶圓上，最終用 HITOC 技術集成為 3D 4F2 DRAM 單芯片。

對存儲產業(yè)有一些了解的人，對于這樣的技術想必不陌生，這與存儲的 g 技術就像是雙胞胎兄弟，都是朝后端封裝下手來突破摩爾定律的限制，并且走出一條不一樣的技術道路，為國內的先進制程技術帶來重大突破。

因此，未來芯盟突破性的 3D HITOC 4F2 DRAM 架構產品是否會在存儲生產，值得關注。因為存儲有成熟前大量生產 g 技術的經驗，復制到 3D HITOC 4F2 DRAM 芯片制程的生產會最為合適。

芯盟也簡述了 3D HITOC 4F2 DRAM 架構的幾項重要優(yōu)勢：

第一，更低的位線電容，提升了感應冗余度，降低了 CMOS 設計的難度; 

第二，更低的字線延遲，使得高頻率 DRAM 設計更加簡單; 

第三，CMOS 獨立在一片晶圓上設計，不受Array工藝制程的限制，具有更為充分的發(fā)揮空間; 

第四，更低的成本，該架構的單個 Array 晶體管面積和傳統(tǒng) DRAM 相比減少 33%，且制程和當前半導體制程兼容，所需的雙重曝光 SADP 工藝次數較傳統(tǒng)工藝大大減少，無須昂貴的多重曝光 SAQP 和 EUV 工藝; 

第五，更好的技術延展性，傳統(tǒng) DRAM 的發(fā)展受限在大尺寸微縮的同時，SN（Storage Node）電容值下降過快，導致設計難度增大，HITOC DRAM 架構設計對 SN 電容值的敏感度更低，SN 制程復雜度和高K介質的K值要求均低于傳統(tǒng) DRAM 架構，所以未來 HITOC DRAM 的微縮空間更大。

從目前的信息可知，基于創(chuàng)新的 HITOC 技術的 3D 4F2 DRAM 架構，從后端封裝另辟蹊徑，可以走出一條與傳統(tǒng) DRAM 架構不一樣的道路。但目前還不知道的另一個關鍵點是：利用 HITOC 技術 3D 4F2設計生產出來的 DRAM芯片，可以對標到國際大廠多少納米nm的技術？可以直接進入10nm以下嗎？

一來可以避免傳統(tǒng) DRAM 設計和制造上的專利壁壘，二來不需要 EUV 光刻機不但可以大幅節(jié)省生產成本，更可以避開國際大廠卡脖子的狀況，對于現階段的芯片技術發(fā)展，會是一個很重要的突破信號點。