SiC/GaN功率器件的柵極界面可靠性以及GaN HEMT 的柵極特性
發(fā)布人：旺材芯片
時(shí)間：2022-05-27
來(lái)源：工程師
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報(bào)告主題：SiC/GaN功率器件的柵極界面可靠性以及GaN HEMT的柵極特性
報(bào)告作者：Professor Layi Alatise and Dr Jose Ortiz Gonzalez
報(bào)告內(nèi)容包含：（具體內(nèi)容詳見(jiàn)下方全部報(bào)告內(nèi)容）
SiC/GaN功率器件的柵極界面可靠性：
使用第三象限特性表征 BTI、使用串?dāng)_表征 BTI
GaN HEMT 中的柵極特性：
柵極特性、第三象限特性以及柵極應(yīng)力和閾值電壓不穩(wěn)定性
報(bào)告詳細(xì)內(nèi)容
▍SiC/GaN功率器件的柵極界面可靠性
▍GaN HEMT 的柵極特性
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