消息稱全球第三大晶圓代工廠聯(lián)電將啟動(dòng)新一輪漲價(jià)，如果確實(shí)這將是聯(lián)電年內(nèi)的第三次漲價(jià)。據(jù)悉，本次漲價(jià)將主要針對(duì)占聯(lián)電營收三成以上的三大美系客戶，漲幅約8%至12%不等，自2022年元月起生效。
聯(lián)電目前美系主要客戶包括AMD、高通、德儀、英偉達(dá)等，并握有英飛凌、意法半導(dǎo)體等歐洲大廠的訂單。由于此次漲價(jià)對(duì)象營收占比甚高，漲幅也相當(dāng)可觀，將有助提升聯(lián)電的盈利水平。其實(shí)不只聯(lián)電，近日有傳言稱，臺(tái)積電也將在12月份再次調(diào)漲晶圓代工報(bào)價(jià)。
近一年來，受5G、AI、自動(dòng)駕駛以及消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，大幅推動(dòng)了半導(dǎo)體市場的增長，也使晶圓代工產(chǎn)能始終處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。這為晶圓代工企業(yè)提供了漲價(jià)的基礎(chǔ)。在此情況下，業(yè)界普遍看好晶圓代工業(yè)的發(fā)展情況。
集邦咨詢報(bào)告顯示，第三季晶圓代工產(chǎn)值高達(dá)272.8億美元，季增11.8%，已連續(xù)九個(gè)季度創(chuàng)下歷史新高。其中，臺(tái)積電在蘋果發(fā)布iPhone新機(jī)帶動(dòng)下，第三季度營收達(dá)148.8億美元，穩(wěn)居全球第一。位居第二的三星也取得環(huán)比11%的增長，第三季度營收48.1億美元。中芯國際受益于PMIC、Wi-Fi、MCU、RF等產(chǎn)品需求穩(wěn)定，第三季營收達(dá)14.2億美元，排名第五。

晶圓代工業(yè)明年的市場情況也被業(yè)界所看好。高盛證券上調(diào)明年首季晶圓代工企業(yè)報(bào)價(jià)漲幅預(yù)估，由原預(yù)估的5%內(nèi)，提升為5%至10%，亦即漲幅有機(jī)會(huì)比預(yù)期高一倍。集邦咨詢則預(yù)期明年晶圓代工產(chǎn)值將達(dá)1176.9億美元，年增13.3%?！熬A廠的漲價(jià)，反映大者恒大趨勢，實(shí)際上也是競爭力提升的表現(xiàn)?！卑雽?dǎo)體專家莫大康表示。
代工產(chǎn)能仍將吃緊

價(jià)格的上漲反映了市場的供需狀況，業(yè)界預(yù)計(jì)明年代工產(chǎn)能仍然吃緊，特別是明年上半年的市場狀況已較為明朗。
臺(tái)積電總裁魏哲家在第三季度公司法說會(huì)上表示，維持晶圓代工產(chǎn)能吃緊至2022年的看法。就市場供需，魏哲家提到，持續(xù)看到受到新冠肺火疫情影響而產(chǎn)生的供應(yīng)鏈短期失衡現(xiàn)象，預(yù)期供應(yīng)鏈維持較高庫存現(xiàn)象將持續(xù)一段期間。無論短期失衡現(xiàn)象是否持續(xù)下去，相信臺(tái)積電技術(shù)領(lǐng)先地位能使掌握先進(jìn)制程及特殊制程技術(shù)的強(qiáng)勁需求。
力積電董事長黃崇仁也表示，盡管消費(fèi)電子產(chǎn)品需求放緩，但汽車電子、5G和其他網(wǎng)絡(luò)通信應(yīng)用的芯片需求仍超過供應(yīng)，仍看好2022年整體代工市場前景?！帮@示驅(qū)動(dòng)器 IC等芯片的需求正在放緩，但許多其他 IC 仍供不應(yīng)求。汽車芯片、5G等高端網(wǎng)絡(luò)芯片的短缺將持續(xù)到明年?！秉S崇仁說道。
集邦咨詢發(fā)布報(bào)告指出，在歷經(jīng)連續(xù)兩年的芯片荒后，各大晶圓代工廠宣布擴(kuò)建的產(chǎn)能將陸續(xù)在2022年開出，且新增產(chǎn)能集中在40nm及28nm制程，預(yù)計(jì)現(xiàn)階段極為緊張的芯片供應(yīng)將稍為緩解。然而，由于新增產(chǎn)能貢獻(xiàn)產(chǎn)出的時(shí)間點(diǎn)落在2022下半年，屆時(shí)正值傳統(tǒng)旺季，在供應(yīng)鏈積極為年底節(jié)慶備貨的前提下，產(chǎn)能緩解的情況有可能不太明顯。
此外，雖然部分40/28nm制程零部件可稍獲舒緩，但8英寸生產(chǎn)線主導(dǎo)的0.1微米級(jí)工藝和12英寸生產(chǎn)線的1Xnm工藝，增產(chǎn)幅度有限，屆時(shí)產(chǎn)能仍有可能不能滿足需求。
整體來說，2022年晶圓代工產(chǎn)能將仍然處于略為緊張的市況，雖部分零部件可望紓解，但長短料問題仍將持續(xù)沖擊部分終端產(chǎn)品。
3nm工藝爭奪成新看點(diǎn)

先進(jìn)工藝產(chǎn)能依然是2022年晶圓代工業(yè)競爭的重點(diǎn)。來自5G、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)相關(guān)應(yīng)用的帶動(dòng)，未來幾年對(duì)高性能計(jì)算、低功耗的需求不斷增加，將更需要先進(jìn)工藝的支持。近日，臺(tái)積電3nm工藝試產(chǎn)提前，立即成為英特爾、聯(lián)發(fā)科、AMD、英偉達(dá)、蘋果等奪爭的對(duì)象。此前，臺(tái)積電計(jì)劃今年年底試產(chǎn)3nm，明年下半年量產(chǎn)。與5nm工藝相比，3nm工藝可以將晶體管密度提高70%，提高15%的性能，降低30%的功耗。
三星積極爭奪3nm的先手優(yōu)勢。三星電子總裁兼代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Siyoung Choi日前在晶圓代工論壇上宣布，三星電子將于2022年上半年開始生產(chǎn)首批3nm芯片，第二代3nm芯片預(yù)計(jì)將于2023年開始生產(chǎn)。
按照規(guī)劃，三星電子的3nm GAA工藝將采用MBCFET晶體管結(jié)構(gòu)，與5nm工藝相比，其面積減少了35%，性能提高了30%且功耗降低了50%。Siyoung Choi談道：“我們將提高整體產(chǎn)能并引領(lǐng)最先進(jìn)的技術(shù)，同時(shí)進(jìn)一步擴(kuò)大硅片規(guī)模并通過應(yīng)用繼續(xù)技術(shù)創(chuàng)新。”事實(shí)上，此前三星曾經(jīng)計(jì)劃于今年便開始量產(chǎn)3nm工藝。但是，轉(zhuǎn)向全新制造技術(shù)的難度很大，使得三星不得不將量產(chǎn)時(shí)推遲。然而，三星推遲后的量產(chǎn)計(jì)劃依然早于臺(tái)積電。
三星與臺(tái)積電在2nm工藝上的競爭更加激烈。在晶圓代工論壇上，Siyoung Choi表示，三星電子將于2025年推出基于MBCFET的2nm工藝。據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電預(yù)計(jì)2nm工藝的全面量產(chǎn)約在2025年-2026年。
此前，三星、IBM和英特爾簽署聯(lián)合開發(fā)協(xié)議，共同研發(fā)2nm制造工藝。今年5月，IBM率先發(fā)布全球首個(gè)2nm制造工藝。實(shí)現(xiàn)在芯片上每平方毫米集成3.33億個(gè)晶體管，遠(yuǎn)超此前三星5nm工藝的每平方毫米約1.27億晶體管數(shù)量，極大地提升了芯片性能。
隨著5G、高性能計(jì)算、人工智能的發(fā)展，市場對(duì)先進(jìn)工藝的需要越來越高。3/2nm作為先進(jìn)工藝下一代技術(shù)節(jié)點(diǎn)，成為三星、臺(tái)積電的發(fā)展重點(diǎn)。半導(dǎo)體專家莫大康指出，由于2nm目前尚處于研發(fā)階段，其工藝指標(biāo)尚不清楚。不能輕易判斷是否也一個(gè)大節(jié)點(diǎn)。然而根據(jù)臺(tái)積電的工藝細(xì)節(jié)詳情3nm晶體管密度已達(dá)到了2.5億個(gè)/mm2，與5nm相比，功耗下降25%～30%，功能提升了10%～15%。2納米的作為下一代節(jié)點(diǎn)，性能勢必有更進(jìn)一步的提升，功耗也將進(jìn)一步下降。市場對(duì)其的需求是可以預(yù)期的。
文章來源：中國電子報(bào)