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            博客專欄

            EEPW首頁 > 博客 > 半導(dǎo)體領(lǐng)域臺積電納米片晶體管

            半導(dǎo)體領(lǐng)域臺積電納米片晶體管

            發(fā)布人:pingshang888 時間:2021-11-29 來源:工程師 發(fā)布文章

            臺積電2021年度技術(shù)研討會上公布了新工藝進(jìn)展,6nm至2nm都有新消息。

              

            2nm目前是各大半導(dǎo)體巨頭角逐的新趨勢產(chǎn)品,IBM甚至已經(jīng)在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)搞定,率先公布了2nm芯片,而除了臺積電、三星兩大代工巨頭,歐洲、日本也在規(guī)劃中。

              

            不同之前時代,在相同的基礎(chǔ)架構(gòu)上不斷改進(jìn),臺積電的2nm工藝是真正全新設(shè)計(jì)的,一大特點(diǎn)就是會引入納米片晶體管,取代現(xiàn)在的FinFET結(jié)構(gòu)。

              MOS管.jpg

            臺積電表示,納米片晶體管可以更好地控制閾值電壓——在半導(dǎo)體領(lǐng)域,Vt是電路運(yùn)行所需的*低電壓,它的任何輕微波動,都會顯著影響芯片的設(shè)計(jì)、性能,自然是越小越好。

              

            臺積電宣稱,根據(jù)試驗(yàn),納米片晶體管可將Vt波動降低至少15%。目前,臺積電的2nm工藝剛剛進(jìn)入正式研發(fā)階段,將于2023年試產(chǎn)、2024年量產(chǎn)。

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