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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> 耐用性

            耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET

            • 在線性模式供電的電子系統(tǒng)中,功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器,電磁干擾 (EMI) 和系統(tǒng)總體成本是功率MOSFET的優(yōu)勢所在。?在線性模式工作時,MOSFET必須在惡劣工作條件下工作,承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS),然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿足一些技術(shù)要求才能提高耐用性,還必須符合熱管理限制,才能避免熱失控。?意法半導(dǎo)體 (ST) 推出了一款采用先進的 STPOWER STripFET F7制造技術(shù)和H2PAK 封裝的 100V功率 MOSFE
            • 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體  功率  MOSFET  耐用性  

            驗證射頻功率晶體管的耐用性

            • 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管,
            • 關(guān)鍵字: 射頻功率晶體管  耐用性  LDMOS  
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            耐用性介紹

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