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移相器
移相器 文章 進(jìn)入移相器技術(shù)社區(qū)
實(shí)時(shí)延遲與移相器，推動(dòng)相控陣設(shè)計(jì)的兩項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)
- 電子掃描陣列(ESA)中會(huì)使用移相器(PS)和實(shí)時(shí)延遲(TTD)或兩者的組合，在陣列的轉(zhuǎn)向角限值內(nèi)使匯聚波束指向目標(biāo)方向。而用于實(shí)現(xiàn)錐形波束的可調(diào)衰減器也可被視為波束成形元件。本文將探討在相同的ESA中，在何處以及如何使用TTD和PS分層方法可以幫助消除一些相控陣設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。 利用基本公式探索可能的使用場(chǎng)景瞬時(shí)帶寬(IBW)可以定義為無(wú)需調(diào)諧，即可保持在基于系統(tǒng)要求設(shè)定的目標(biāo)性能指標(biāo)內(nèi)的頻段。 TTD在該頻率范圍內(nèi)具有恒定的相位斜率；因此，使用TTD，而非使用PS的ESA實(shí)施方案不會(huì)出現(xiàn)
- 關(guān)鍵字： 實(shí)時(shí)延遲 移相器 相控陣設(shè)計(jì)
毫米波RF MEMS移相器的智能建模方法
- 本文提出了一種基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的射頻微機(jī)電系統(tǒng)移相器的建模方法。對(duì)于復(fù)雜的移相器三維結(jié)構(gòu)選擇了三個(gè)對(duì)于電磁特性敏感的參數(shù)作為神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的輸入。對(duì)于移相器使用有限元仿真軟件HFSS獲得BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練所需的樣本和驗(yàn)證樣本。
- 關(guān)鍵字： 移相器 RFMEMS BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)
一種相位調(diào)制的微波移相實(shí)現(xiàn)新設(shè)計(jì)
- 摘要 相位調(diào)制有多種實(shí)現(xiàn)方法。常見的是正交調(diào)制。文中提出了一種采用微波移相技術(shù)實(shí)現(xiàn)相位調(diào)制的新設(shè)計(jì)，通過(guò)與正交調(diào)制方法進(jìn)行對(duì)比，實(shí)現(xiàn)了2，8，16，32和64相的相位調(diào)制。實(shí)測(cè)表明，文中設(shè)計(jì)的移相誤差1.2deg
- 關(guān)鍵字： 微帶線 移相器 誤碼率 相位調(diào)制 正交調(diào)制
一種90°分布式MEMS 移相器的設(shè)計(jì)
- RF MEMS 移相器具有傳統(tǒng)移相器所無(wú)法比擬的體積小、損耗小、成本低、頻帶寬、易于集成等突出優(yōu)點(diǎn)。通過(guò)在共面波導(dǎo)信號(hào)線上貼敷低介電常數(shù)的薄層絕緣介質(zhì),使得MEMS 金屬橋與共面波導(dǎo)信號(hào)線在“關(guān)”態(tài)下形成MIM 電容的方法,實(shí)現(xiàn)了提高“關(guān)”“開”兩種狀態(tài)下的電容比,從而提高了單位長(zhǎng)度上的相移量。在Ka 波段下，建立90°分布式MEMS 移相器的等效電路，并對(duì)其進(jìn)行了仿真優(yōu)化，達(dá)到要求的技術(shù)指標(biāo)。
- 關(guān)鍵字： MEMS 分布式 移相器
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移相器介紹
移相器（Phaser）
能夠?qū)Σǖ南辔贿M(jìn)行調(diào)整的一種裝置。
任何傳輸介質(zhì)對(duì)在其中傳導(dǎo)的波動(dòng)都會(huì)引入相移，這是早期模擬移相器的原理；現(xiàn)代電子技術(shù)發(fā)展后利用A/D、D/A轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)了數(shù)字移相，顧名思義，它是一種不連續(xù)的移相技術(shù)，但特點(diǎn)是移相精度高。
移相器在雷達(dá)、導(dǎo)彈姿態(tài)控制、加速器、通信、儀器儀表甚至于音樂(lè)等領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。
在R-C串聯(lián)電路中，若輸入電壓是正弦波，則 [ 查看詳細(xì) ]
移相器電路
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