克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來電力電子應(yīng)用

• 幾十年來，硅（Si）一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主要材料——從微處理器到分立功率器件，無處不在。然而，隨著汽車和可再生能源等領(lǐng)域?qū)ΜF(xiàn)代電力需求應(yīng)用的發(fā)展，硅的局限性變得越來越明顯。隨著行業(yè)不斷探索解決方案，寬禁帶（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），被視為解決之道。禁帶寬度描述了價帶頂部和導(dǎo)帶底部之間的能量差。硅的禁帶寬度相對較窄，為1.1電子伏特（eV），而SiC和GaN的禁帶寬度分別為3.3eV和3.4eV。圖1 寬禁帶材料的物理特性（資料來源：安森美）這些特性意味著寬禁帶材料的特性更像絕緣體
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