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      EEPW首頁 >> 主題列表 >> z-trak 3d apps studio

      千億美元蛋糕!3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局

      • 從目前公開的DRAM(內(nèi)存)技術(shù)來看,業(yè)界認(rèn)為,3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一,是未來內(nèi)存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工?如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點?大廠布局情況?如何理解3D DRAM?DRAM(內(nèi)存)單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成,其中,晶體管負(fù)責(zé)傳輸電流,使信息(位)能夠被寫入或讀取,電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機等需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
      • 關(guān)鍵字: 3D DRAM  存儲  

      為什么仍然沒有商用3D-IC?

      • 摩爾不僅有了一個良好的開端,但接下來的步驟要困難得多。
      • 關(guān)鍵字: 3D-IC  HBM  封裝  

      現(xiàn)代摩比斯選用風(fēng)河Wind River Studio加速軟件定義汽車開發(fā)

      • 全球領(lǐng)先的關(guān)鍵任務(wù)智能系統(tǒng)軟件提供商風(fēng)河公司今日宣布,世界汽車技術(shù)創(chuàng)新者及最大供應(yīng)商之一現(xiàn)代摩比斯(Hyundai Mobis)已經(jīng)選擇風(fēng)河公司的Wind River Studio用來加速其軟件定義汽車的開發(fā)。 現(xiàn)代摩比斯和風(fēng)河長期合作,面向未來交通運輸行業(yè)建構(gòu)一流的軟件開發(fā)基礎(chǔ)設(shè)施。兩家公司一直在密切配合,推進汽車系統(tǒng)的開發(fā)和交付?,F(xiàn)代摩比斯采用了風(fēng)河邊緣計算產(chǎn)品,包括風(fēng)河Linux、VxWorks?實時操作系統(tǒng)以及同時適用于模擬環(huán)境和真實硬件環(huán)境的系統(tǒng)模擬仿真平臺,既可用于進行開發(fā)和快速原型
      • 關(guān)鍵字: 現(xiàn)代摩比斯  風(fēng)河  Wind River Studio  軟件定義汽車  

      全面升級駕駛艙交互體驗,升級后的CGI Studio引領(lǐng)汽車HMI設(shè)計新潮流

      • 如今,汽車已經(jīng)不再是一個簡單的交通工具,而是一種智能化的移動終端。通過集成各種先進的傳感器、控制器和執(zhí)行器,汽車可以實現(xiàn)對環(huán)境的感知、分析和決策,實現(xiàn)自動駕駛、智能導(dǎo)航、車輛間通信、互聯(lián)網(wǎng)連接等功能。這些功能不僅提高了駕駛的便捷性和安全性,也使得汽車成為了一種全新的出行體驗和生活方式。交互界面(HMI)是現(xiàn)代智能汽車的重要組成部分,它不僅關(guān)乎駕駛者的駕駛體驗、安全性,同時也關(guān)乎乘客的舒適度和便利性。作為車內(nèi)信息交流的橋梁,HMI承載著人類與車輛互動的重要任務(wù)。一款友好的HMI可以幫助用戶簡單、直觀、迅速地
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      300層之后,3D NAND的技術(shù)路線圖

      • 開發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
      • 關(guān)鍵字: 3D NAND  

      TDK發(fā)布適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場景的全新ASIL C級雜散場穩(wěn)健型3D HAL傳感器

      • ●? ?HAL 3930-4100(單芯片)和 HAR 3930-4100(雙芯片)是兩款精確的霍爾效應(yīng)位置傳感器,具備穩(wěn)健的雜散場補償能力,并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級,可以集成到汽車安全相關(guān)系統(tǒng)中,最高可達 ASIL D 級●? ?目標(biāo)汽車應(yīng)用場景包括轉(zhuǎn)向角位置檢測、變速器位置檢測、換檔器位置檢測、底盤位置檢測、油門和制動踏板位置檢測**TDK株式會社利用適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場景的新型
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      半導(dǎo)體創(chuàng)新如何塑造邊緣AI的未來

      • 早上 6:42,鬧鐘響了。您看上去氣色不錯,這多虧了床頭柜上的睡眠周期監(jiān)測器,這款監(jiān)測器采用內(nèi)置邊緣人工智能 (AI) 和雷達技術(shù),通過監(jiān)測您的心率和呼吸,可幫助您優(yōu)化計算出精確的喚醒時間。在您走向廚房時,智能冰箱使用攝像頭系統(tǒng)掃描其中儲存的食物,然后根據(jù)您的飲食限制數(shù)據(jù)和偏好提供建議,幫助您決定午餐吃什么。在去上班時,您無需觸摸任何事物即可進入和啟動汽車。室外攝像頭在識別出您之后自動解鎖汽車,汽車會根據(jù)您的偏好預(yù)設(shè)車內(nèi)溫度、調(diào)整座椅和音樂音量。這樣的未來并非遙不可及,相關(guān)賦能技術(shù)已然出現(xiàn)。邊緣 AI、低
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      TDK推出采用3D HAL技術(shù)并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器

      • ●? ?全新霍爾效應(yīng)傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數(shù)字 SENT 協(xié)議?!? ?卓越的角度測量以及符合 ISO 26262 標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā)水平,以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業(yè)應(yīng)用場景提供支持。TDK 株式會社近日宣布,其 Micronas 直接角霍爾效應(yīng)傳感器系列產(chǎn)品增添了新成員,現(xiàn)推出面向汽車和工業(yè)應(yīng)用場景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測的
      • 關(guān)鍵字: TDK  3D HAL  位置傳感器  

      3D ToF相機于物流倉儲自動化的應(yīng)用優(yōu)勢

      • 3D ToF智能相機能藉助飛時測距(Time of Flight;ToF)技術(shù),在物流倉儲現(xiàn)場精準(zhǔn)判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料,確保人員、貨物與無人搬運車移動順暢,加速物流倉儲行業(yè)自動化。2020年全球疫情爆發(fā),隔離政策改變?nèi)藗兊南M模式與型態(tài),導(dǎo)致電商與物流倉儲業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長;于此同時,人員移動的管制,也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問題,加速物流倉儲行業(yè)自動化的進程,進而大量導(dǎo)入無人搬運車AGV(Automated Guided Vehicle)/AMR(Autonomous Mobile
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      風(fēng)河提供Wind River Studio支持NTT DOCOMO開展5G vRAN基站商業(yè)化部署

      • 全球領(lǐng)先的關(guān)鍵任務(wù)智能系統(tǒng)軟件提供商風(fēng)河公司近日宣布,Wind River Studio被NTT DOCOMO應(yīng)用于5G虛擬化網(wǎng)絡(luò),于本月在日本啟動商業(yè)化部署。為推出NTT DOCOMO的首個vRAN商用化服務(wù),Wind River Studio Cloud Platform與富士通虛擬化中央單元(vCU)和虛擬化分布式單元(vDU)相集成,并采用了最新的NVIDIA融合加速器。Wind River Studio提供了一套完全基于云原生、Kubernetes和開源軟件容器的體系結(jié)構(gòu),用于大規(guī)模分布式邊緣網(wǎng)
      • 關(guān)鍵字: 風(fēng)河  Wind River Studio  NTT DOCOMO  5G vRAN基站  

      延續(xù)摩爾定律:先進封裝進入3D堆疊CPU/GPU時代

      3D NAND還是卷到了300層

      • 近日,三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存,據(jù)爆料,這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu),并超過 300 層。同樣在 8 月,SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存,并計劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份,據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報道,西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知,固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價和容量還
      • 關(guān)鍵字: V-NAND  閃存  3D NAND  

      3D DRAM時代即將到來,泛林集團這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)

      • 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路,目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備,如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機。技術(shù)進步驅(qū)動了DRAM的微縮,隨著技術(shù)在節(jié)點間迭代,芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐,向三維發(fā)展,以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。(NAND指“NOT AND”,意為進行與非邏輯運算的電路單元。)l  這一趨勢有利于整個行業(yè)的發(fā)展,因為它能推動存儲器技術(shù)的突破,而且每平方微米存儲單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l  DRAM技
      • 關(guān)鍵字: 3D DRAM  泛林  

      瑞薩MCU和MPU將支持Microsoft Visual Studio Code

      • 2023 年 8 月 1 日,中國北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE:6723)今日宣布其客戶現(xiàn)可以使用Microsoft? Visual Studio Code(VS Code)開發(fā)瑞薩全系列微控制器(MCU)和微處理器(MPU)。瑞薩已為其所有嵌入式處理器開發(fā)了工具擴展,并將其發(fā)布在Microsoft VS Code網(wǎng)站上,使習(xí)慣于使用這款流行的集成開發(fā)環(huán)境(IDE)和代碼編輯器的大量設(shè)計師能夠在他們熟悉的開發(fā)環(huán)境中工作。VS Code IDE簡化并加速了跨多種平臺和操作系統(tǒng)的代碼編
      • 關(guān)鍵字: 瑞薩  MCU  MPU  Microsoft Visual Studio Code  

      被壟斷的NAND閃存技術(shù)

      • 各家 3D NAND 技術(shù)大比拼。
      • 關(guān)鍵字: NAND  3D NAND  
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      z-trak 3d apps studio介紹

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