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            盈利能力大增,估值較低的存儲(chǔ)龍頭被看好?

            • 5月30日兆易創(chuàng)新宣布,公司Flash產(chǎn)品累計(jì)出貨量已超過(guò)190億顆,年出貨量超過(guò)28億顆,目前兆易創(chuàng)新在NOR Flash領(lǐng)域已成為中國(guó)第一,全球第三,2020年兆易創(chuàng)新NOR Flash產(chǎn)品市場(chǎng)份額達(dá)到17.8%。除了NOR Flash存儲(chǔ)芯片,兆易創(chuàng)新業(yè)務(wù)還包括DRAM存儲(chǔ)芯片以及存儲(chǔ)器和MCU,在過(guò)去一段時(shí)間行業(yè)普遍缺芯的背景下,兆易創(chuàng)新的營(yíng)收與凈利潤(rùn)均實(shí)現(xiàn)大幅增長(zhǎng),2021年和2022年一季度公司營(yíng)收分別增長(zhǎng)89.25%和165.33%,歸母凈利潤(rùn)分別增長(zhǎng)39.25%和127.65%。目前芯片行
            • 關(guān)鍵字: 兆易創(chuàng)新  NAND Flash  

            中國(guó)DRAM和NAND存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)能趕超韓國(guó)嗎?

            • 近日,韓國(guó)進(jìn)出口銀行海外經(jīng)濟(jì)研究所(OERI)推算,韓國(guó)和中國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的技術(shù)差距為:DRAM的差距約為 5年,NAND 的差距約為2年。該研究院分析,中國(guó)DRAM制造企業(yè)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)2022年將推進(jìn)第二代10nm(1y或16nm至17nm)DRAM的量產(chǎn)。三星電子等韓國(guó)企業(yè)計(jì)劃在今年年末或明年批量生產(chǎn)第5代10nm(1b或12nm-13nm)DRAM??紤]到每一代的技術(shù)差距為2年-2年半,兩國(guó)之間的技術(shù)差距超過(guò)5年。據(jù)該研究院推測(cè),在NAND閃存領(lǐng)域,中國(guó)與韓國(guó)的技術(shù)差距約為2年。中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存
            • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

            長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存,加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)

            • 近日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片,可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域,以滿足AIoT、機(jī)器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)容量和讀寫性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場(chǎng),將為手機(jī)、平板電腦等高端旗艦機(jī)型提供更加豐富靈活的存儲(chǔ)芯片選擇。長(zhǎng)江存儲(chǔ)高級(jí)副總裁陳軼表示 :“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
            • 關(guān)鍵字: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)  3D NAND  

            中國(guó)SSD行業(yè)企業(yè)勢(shì)力全景圖

            • 全球范圍看,2021-2023年存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)規(guī)模將分別達(dá)到1552億美元、1804億美元及2196億美元,增幅分別達(dá)到22.5%、16.2%和21.7%。其中,2021年DRAM市場(chǎng)規(guī)模約占56%,NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模約占41%(IC Insights數(shù)據(jù))。另外,根據(jù)CFM 閃存市場(chǎng)預(yù)計(jì),2021年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)1620億美元,增長(zhǎng)29%,其中DRAM為945億美元,NAND Flash為675億美元。這兩個(gè)調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)相近,相差100億美元。目前,全球儲(chǔ)存芯片市場(chǎng)主要被韓國(guó)、歐美以及
            • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)芯片  DRAM  NAND Flash  

            長(zhǎng)江存儲(chǔ)SSD上新!42mm迷你身材飚出3.9GB/s

            • 這兩年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)無(wú)論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤,都呈現(xiàn)火力全開(kāi)的姿態(tài),從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)有發(fā)布了面向OEM市場(chǎng)的商用SSD PC300系列,可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機(jī)、臺(tái)式機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場(chǎng)景,而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓,可適配更多平臺(tái)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片,容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
            • 關(guān)鍵字: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)  3D NAND  

            存儲(chǔ)芯片從落后20年,到追上三星、美光,中國(guó)廠商只花了6年

            • 近日,有消息稱,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計(jì)在2022年底或2023年初,會(huì)實(shí)現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商,終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片,而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計(jì)也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片,而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了??梢?jiàn),國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片,在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
            • 關(guān)鍵字: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)  3D NAND  

            中國(guó)芯片傳來(lái)捷報(bào),長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得技術(shù)突破,正式打破三星壟斷

            • 中國(guó)芯片傳來(lái)捷報(bào),長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得重大技術(shù)突破,正式打破韓國(guó)三星壟斷,目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn),預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3年的時(shí)間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離,長(zhǎng)江存儲(chǔ)直接越級(jí)跳過(guò)了96層,直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是
            • 關(guān)鍵字: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)  3D NAND  

            國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片又取得突破,長(zhǎng)江存儲(chǔ)192層閃存送樣,預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)

            • 頭一段時(shí)間,有媒體報(bào)道稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣,預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我們優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立,2017年便推出了32層NAND閃存。2019年,推出64層堆棧3D NAND閃存,并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距,長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過(guò)了96層,直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
            • 關(guān)鍵字: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)  3D NAND  

            美光針對(duì)數(shù)據(jù)中心推出業(yè)界首款基于 176 層 NAND 的SATA SSD

            • 內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布推出全球首款專為數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載設(shè)計(jì)的基于 176 層 NAND 技術(shù)的SATA 固態(tài)硬盤 (SSD)。美光 5400 SATA SSD 是目前最先進(jìn)的數(shù)據(jù)中心 SATA SSD產(chǎn)品,采用久經(jīng)考驗(yàn)的第 11 代 SATA 架構(gòu),支持廣范的應(yīng)用場(chǎng)景,提供相比傳統(tǒng)機(jī)械硬盤 (HDD) 顯著提升的性能,并延長(zhǎng)了 SATA 平臺(tái)的使用壽命。美光副總裁暨數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)產(chǎn)品總經(jīng)理 Alvaro Toledo 表示
            • 關(guān)鍵字: 美光  數(shù)據(jù)中心  176 層 NAND  SATA SSD  

            SK海力士首次公開(kāi)與Solidigm的“合作產(chǎn)品”

            • “獨(dú)立子公司成立僅三個(gè)月,兩家公司在事業(yè)上的合作全面開(kāi)始”SK海力士和Solidigm首次公開(kāi)了結(jié)合SK海力士128層NAND閃存與Solidigm的SSD控制器和固件的合作產(chǎn)品。SK海力士和Solidigm將繼續(xù)優(yōu)化兩家公司的運(yùn)營(yíng),以創(chuàng)造協(xié)同效應(yīng)和合作伙伴關(guān)系。加州圣何塞和南韓首爾2022年4月5日 /美通社/ -- SK海力士和Solidigm(或“公司”, www.skhynix.com)今日首次公開(kāi)了兩家公司共同開(kāi)發(fā)的新企業(yè)級(jí)SSD(eSSD)產(chǎn)品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年
            • 關(guān)鍵字: SK海力士  Solidigm  eSSD  NAND  

            針對(duì)勒索軟件與網(wǎng)絡(luò)攻擊 IBM打造新一代儲(chǔ)存產(chǎn)品

            • IBM發(fā)布下一代閃存產(chǎn)品,瞄準(zhǔn)日益嚴(yán)峻的勒索軟件和其他網(wǎng)絡(luò)攻擊。 IBM FlashSystem Cyber Vault旨在幫助企業(yè)更快速地檢測(cè)勒索軟件和其他網(wǎng)絡(luò)攻擊并從中恢復(fù);而建基于 IBM Spectrum Virtualize 的全新 FlashSystem 存儲(chǔ)模型能夠提供單一且一致的操作環(huán)境,旨在提高混合云環(huán)境下的網(wǎng)絡(luò)復(fù)原力和應(yīng)用程序性能。 IBM 推出下一代儲(chǔ)存產(chǎn)品,瞄準(zhǔn)勒索軟件及其他網(wǎng)絡(luò)攻擊根據(jù)IBM網(wǎng)絡(luò)彈性機(jī)構(gòu)的研究,46%的受訪者表示在過(guò)去兩年中經(jīng)歷了勒索軟件攻擊。隨著網(wǎng)絡(luò)攻
            • 關(guān)鍵字: NAND Flash  IBM  閃存  

            SK海力士與英特爾已完成收購(gòu)交易的第一階段:NAND閃存市場(chǎng)會(huì)有什么變化?

            • 據(jù)韓國(guó)媒體消息,中國(guó)監(jiān)管機(jī)構(gòu)審查了SK海力士壟斷的可能,并就該家韓國(guó)芯片制造商從英特爾手中收購(gòu)NAND閃存業(yè)務(wù)進(jìn)行評(píng)估,并決定批準(zhǔn)該收購(gòu),這為SK海力士掃清了最后一個(gè)障礙。
            • 關(guān)鍵字: SK海力士  英特爾  NAND  閃存  

            TrendForce:三星NAND Flash生產(chǎn)不受西安封城影響

            • 中國(guó)西安正受疫情影響而封城,目前尚無(wú)法預(yù)期解封時(shí)間,根據(jù)TrendForce調(diào)查,由于三星(Samsung)在當(dāng)?shù)卦O(shè)有兩座大型工廠,均用以制造3D NAND高層數(shù)產(chǎn)品,投片量占該公司NAND Flash產(chǎn)能達(dá)42.3%,占全球亦達(dá)15.3%,現(xiàn)下封城措施并未影響該工廠的正常營(yíng)運(yùn)。然而,當(dāng)?shù)胤獬谴胧﹪?yán)格管控人流及物流,盡管2021年底至2022年一月中以前的出貨多已經(jīng)安排妥適,但無(wú)法排除接下來(lái)因物流延遲出貨的可能,這將可能對(duì)采購(gòu)端的物料安排造成影響。此外,該公司的原物料進(jìn)貨也有可能受到物流受阻而延遲,但三星
            • 關(guān)鍵字: TrendForce  三星  NAND Flash  

            筆記本電腦與手機(jī)火熱 2021年第一季NAND Flash總營(yíng)收季增5.1%

            • 根據(jù)TrendForce表示,2021年第一季NAND Flash產(chǎn)業(yè)總營(yíng)收達(dá)148.2億美元,季增5.1%,其中位出貨量成長(zhǎng)11%,大致抵消平均銷售單價(jià)下跌5%帶來(lái)的影響。在議價(jià)時(shí),需求端雖受惠于筆電、智能型手機(jī)需求強(qiáng)勁,但數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)需求仍屬疲弱,市場(chǎng)尚未脫離供過(guò)于求的狀態(tài),各類產(chǎn)品合約價(jià)仍呈現(xiàn)明顯下跌。然而,OEM/ODM采購(gòu)開(kāi)始留意到NAND Flash控制器缺貨沖擊中低容量產(chǎn)品供給,自今年一月下旬便開(kāi)始增加訂單,一方面避免陷入缺貨風(fēng)險(xiǎn),也希望在料況無(wú)虞的情況下,策略性擴(kuò)大市占,使得第一季NAND
            • 關(guān)鍵字: NAND Flash  

            美光專家對(duì)176層NAND的解答

            • 2020 年11 月,美光科技宣布出貨全球首款176 層NAND,實(shí)現(xiàn)閃存性能和密度的重大突破(如圖1)。為此,《電子產(chǎn)品世界》采訪了該公司工藝集成技術(shù)開(kāi)發(fā)高級(jí)總監(jiān)Kunal Parekh 和NAND 組件產(chǎn)品線高級(jí)經(jīng)理KevinKilbuck。問(wèn):176 層產(chǎn)品目前用于哪些應(yīng)用?Kevin Kilbuck:我們Crucial英睿達(dá)品牌的某些消費(fèi)類固態(tài)硬盤采用了176 層NAND,已經(jīng)開(kāi)始出貨。問(wèn): 新的176 層NAND 如何解決產(chǎn)量挑戰(zhàn)?如何解決層間干擾?Kunal Parekh: 通過(guò)嚴(yán)格的試驗(yàn)和測(cè)
            • 關(guān)鍵字: 202103  NAND  
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            z-nand介紹

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