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三星宣布量產(chǎn)全球首個3D垂直閃存V-NAND
- 三星電子在存儲技術(shù)上的領(lǐng)先的確無可匹敵，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個采用3D垂直設計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來。 三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內(nèi)部采用三星獨有的垂直單元結(jié)構(gòu)，通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來連接3D單元陣列。 三星稱，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫入性能也可達到1xnm N
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半導體廠擴產(chǎn) 力成進補
- 不讓韓國三星專美于前，日本半導體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠，導入最新16至17納米制程，使總產(chǎn)能提升20%，明年4月量產(chǎn)，為在臺后段封測廠力成(6239)營運挹注成長動能。 這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導體資本支出后，東芝近兩年來首度做出增產(chǎn)決定，因為蘋果中低價手機和大陸手機的強勁需求。 研究機構(gòu)統(tǒng)計，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球
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