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DRAM合約價(jià)再跌10%
- 2010年12月下旬DRAM的合約價(jià)格持續(xù)重挫,其中2GB容量DDR3模塊的價(jià)格下跌10%,平均售價(jià)跌破20美元,低價(jià)來到17美元價(jià)格,相較于2010年上半DRAM缺貨高峰期,2GB容量DDR3模塊價(jià)格較當(dāng)時(shí)的價(jià)格已下跌超過50%,市場預(yù)期供過于求的情況至少還會(huì)再持續(xù)1季,因?yàn)?011年第1季的供給增加幅度相當(dāng)大,預(yù)計(jì)要到2011年4月之后,等個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)大廠準(zhǔn)備下半年旺季的備料,DRAM價(jià)格才有機(jī)會(huì)落底止跌。
- 關(guān)鍵字: 爾必達(dá) DRAM
2011年DRAM位元成長率上看50%
- 2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中,雖然三星電子(SamsungElectronics)已揭露大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,包括興建12寸晶圓廠Line-16,以及將現(xiàn)有Line-15升級至35納米制程,但綜觀整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長率,仍都是來自于制程微縮為主,包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%,以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出,集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長率(BitGrowth)將增加50%。
- 關(guān)鍵字: 三星電子 DRAM
2011年DRAM位元成長率上看50%
- 2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中,雖然三星電子(Samsung Electronics)已揭露大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,包括興建12寸晶圓廠Line-16,以及將現(xiàn)有Line-15升級至35納米制程,但綜觀整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長率,仍都是來自于制程微縮為主,包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%,以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出,集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長率(Bit Growth)將增加50%。 三星電子201
- 關(guān)鍵字: 三星電子 DRAM
DRAM供需待調(diào)整
- 南朝鮮軍事緊張關(guān)系對于DRAM報(bào)價(jià)激勵(lì)未產(chǎn)生實(shí)質(zhì)性的幫助,市場還是回到供需面看待DRAM市場未來的前景;在DRAM供給端產(chǎn)出都集中在下半年,但個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)需求卻旺季不旺下,DRAM合約價(jià)和現(xiàn)貨價(jià)都呈現(xiàn)加速趕底之姿,預(yù)期2010年底前DDR3合約價(jià)將下跌至20美元水平,隨著爾必達(dá)(Elpida)、力晶陸續(xù)減產(chǎn),以及三星電子(Samsung Electronics)的新廠Fab16進(jìn)度將隨景氣調(diào)整,預(yù)計(jì)2011年下半DRAM市場可望走向供需平衡。
- 關(guān)鍵字: 爾必達(dá) DRAM
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