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      EEPW首頁 >> 主題列表 >> x-dram

      中國存儲芯片打破韓美日壟斷局面邁出堅(jiān)實(shí)一步

      • 中國的三大存儲芯片企業(yè)長江存儲、合肥長鑫、福建晉華近期紛紛開始安裝機(jī)臺預(yù)計(jì)今年下半年投產(chǎn)存儲芯片,這將有望打破韓美日壟斷存儲芯片的局面。
      • 關(guān)鍵字: DRAM  芯片  

      14張圖看懂半導(dǎo)體工藝演進(jìn)對DRAM、邏輯器件、NAND的影響

      • DRAM工藝尺寸的縮減正在面臨基本的物理限制,目前還有沒有明確的解決方案,由于印刷需求的推動,DRAM的清洗復(fù)雜度也在增加。
      • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

      三星DRAM芯片利潤飆升 預(yù)計(jì)Q1利潤達(dá)137億美元

      •   據(jù)國外媒體報(bào)道,由于全球存儲芯片市場空前的反彈,超過了逐漸放緩的智能手機(jī)和相關(guān)元件銷售,三星電子預(yù)計(jì),周五公布的一季度利潤將會增長近50%。三星電子主營業(yè)務(wù)半導(dǎo)體的收入將占其總營業(yè)利潤近四分之三。分析師們預(yù)計(jì),對于DRAM芯片來說,三星每賣出1美元,就能獲得約70美分的營業(yè)利潤。   元大證券韓國分析師Lee Jae-yun表示:“盡管存儲芯片的價(jià)格預(yù)計(jì)將從去年的繁榮期放緩,但出貨量的增加和成本削減將進(jìn)一步推動三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的利潤增長,并將利潤提升到另一個(gè)創(chuàng)紀(jì)錄的年份。”
      • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

      中美貿(mào)易戰(zhàn),韓國半導(dǎo)體最受傷?

      • 中國已經(jīng)提出,提高從美國進(jìn)口半導(dǎo)體芯片的比例,取代來自韓國和中國臺灣的產(chǎn)品。
      • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

      存儲器/嵌入式存儲器的市場機(jī)會 

      • 美光科技嵌入式產(chǎn)品事業(yè)部市場副總裁Kris Baxter在2018年“慕尼黑上海電子展”期間,介紹了美光及多家行業(yè)分析師對存儲器尤其是嵌入式存儲器市場的預(yù)測,重點(diǎn)是DRAM和NAND在汽車和工業(yè)領(lǐng)域的趨勢。
      • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  NAND  汽車  攝像頭  201804  

      DRAM漲風(fēng)不停 逐漸壓抑市場需求

      • 2017年1月與2018年1月DRAM每Gb價(jià)格一直在急劇上升,電子系統(tǒng)制造商目前正在爭先恐后地調(diào)整和適應(yīng)DRAM價(jià)格的飛漲。
      • 關(guān)鍵字: DRAM  

      2017年第四季服務(wù)器DRAM營收成長約13.9%

      •   根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,回顧2017年第四季,其中北美數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)強(qiáng)勁,即使原廠透過產(chǎn)品線調(diào)整,但仍無法有效紓解市場供給吃緊的狀況。Server DRAM受惠平均零售價(jià)(Average Selling Price)的上揚(yáng),三大DRAM原廠Server DRAM營收季成長約13.9%。   DRAMeXchange資深分析師劉家豪指出,進(jìn)入2018年第一季,在服務(wù)器出貨動能不減的情況下,整體Server DRAM供不應(yīng)求的市況依然持續(xù),而Server DR
      • 關(guān)鍵字: DRAM  

      2017年第四季服務(wù)器DRAM營收成長約13.9%

      •   根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,回顧2017年第四季,其中北美數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)強(qiáng)勁,即使原廠透過產(chǎn)品線調(diào)整,但仍無法有效紓解市場供給吃緊的狀況。Server DRAM受惠平均零售價(jià)(Average Selling Price)的上揚(yáng),三大DRAM原廠Server DRAM營收季成長約13.9%。   DRAMeXchange資深分析師劉家豪指出,進(jìn)入2018年第一季,在服務(wù)器出貨動能不減的情況下,整體Server DRAM供不應(yīng)求的市況依然持續(xù),而Server DR
      • 關(guān)鍵字: DRAM  

      三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2,價(jià)格比一般DRAM貴5倍

      • HBM處理數(shù)據(jù)的速度較一般DRAM有顯著提升,業(yè)界預(yù)料,HBM市場將以每年2倍以上的速度擴(kuò)大,不過目前HBM市場仍遠(yuǎn)小于一般DRAM。
      • 關(guān)鍵字: HBM2  DRAM  

      IEK:DRAM去年單價(jià)上漲55%,今年再漲32%

      •   工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢研究中心(IEK)引用市調(diào)機(jī)構(gòu)調(diào)查報(bào)告指出,去年全球DRAM價(jià)量飆揚(yáng),產(chǎn)值年增達(dá)約77%、達(dá)725億美元,平均銷售單價(jià)上漲55%;今年預(yù)估還是供不應(yīng)求,雖然漲幅力道不如去年大,但在主要供貨商仍有節(jié)制增產(chǎn)下, 預(yù)估今年平均銷售單價(jià)仍會漲逾32%,年產(chǎn)值估約年增23%、達(dá)近900億美元,為歷年來新高。   IEK看好今年內(nèi)存仍將會是價(jià)量齊揚(yáng)的一年,主因人工智能將從云端運(yùn)算往下落到邊緣運(yùn)算,預(yù)估到2022年,將會有高達(dá)75%的數(shù)據(jù)處理工作不在云端數(shù)據(jù)中心完成, 而是透過靠近用戶的邊緣運(yùn)
      • 關(guān)鍵字: DRAM  

      SK海力士2017利潤暴漲319%,2018年繼續(xù)創(chuàng)紀(jì)錄

      • 2017年第四季度存儲市場依舊火爆,受全球數(shù)據(jù)中心增長驅(qū)動,服務(wù)器存儲器需求尤其強(qiáng)勁,將繼續(xù)推動公司2018年利潤的增長,SK海力士也將擴(kuò)展新生產(chǎn)線來滿足市場需求。
      • 關(guān)鍵字: SK海力士  DRAM  

      海力士:去年第四季DRAM平均價(jià)格漲9%

      •   全球第二大內(nèi)存芯片廠韓國SK海力士受惠DRAM價(jià)格大漲,以及市況持續(xù)暢旺,去年第4季獲利創(chuàng)單季新高,看好今年服務(wù)器內(nèi)存需求持續(xù)強(qiáng)勁。 市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦則預(yù)期,盡管智能手機(jī)銷售不如預(yù)期,恐導(dǎo)致本季移動內(nèi)存合約價(jià)漲幅收斂為3%,但第2季將重啟拉貨動能,價(jià)格仍會續(xù)漲。   SK海力士昨天舉行發(fā)布會并公布去年財(cái)報(bào),去年第4季獲利和去年全年獲利都創(chuàng)新高。 該公司分析,去年第4季獲利創(chuàng)高,主因DRAM芯片出貨季增3%,平均價(jià)格漲9%;NAND芯片出貨增16%,均價(jià)漲4%。   SK海力士預(yù)估,2018年DRAM芯
      • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

      2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情

      • 大廠3D NAND良率大躍進(jìn),供給過剩問題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆,至少2018年上半年恐怕都不會太理想。
      • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND   

      紫光國芯:DRAM芯片設(shè)計(jì)技術(shù)處于世界先進(jìn)水平

      •   紫光國芯周一在全景網(wǎng)投資者互動平臺上回答投資者提問時(shí)介紹,DDR4與DDR3相比,單條容量有很大提高,可以實(shí)現(xiàn)較高的容量。另外,頻率和帶寬都有明顯提高。工藝的提高也會降低工作電壓,有利于更低的功耗。   同時(shí),關(guān)于公司在國內(nèi)業(yè)界、排名情況,紫光國芯介紹,公司的DRAM芯片設(shè)計(jì)技術(shù)處于世界先進(jìn)水平,國內(nèi)稀缺,但目前產(chǎn)品產(chǎn)量很小,市場份額不大。   針對投資者關(guān)于公司DDR4存儲器芯片相比DDR3優(yōu)勢的詢問,紫光國芯作出上述回應(yīng)。   1月26日紫光國芯在互動平臺表示,公司西安子公司從事DRAM存儲
      • 關(guān)鍵字: 紫光國芯  DRAM  

      2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情

      •   2017年,整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)不論DRAM或NAND Flash,都度過了一個(gè)黃金好年,那么2018年可否持續(xù)榮景呢? 綜合目前業(yè)界的看法,DRAM熱度可望延續(xù),供不應(yīng)求態(tài)勢依舊,但NAND部分,恐怕就不會那么樂觀了,由于大廠3D NAND良率大躍進(jìn),供給過剩問題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆,至少2018年上半年恐怕都不會太理想, 最快2018年第二季供需平衡,第三季再度供給吃緊,屆時(shí)產(chǎn)業(yè)由悲轉(zhuǎn)喜。   DRAM無新增產(chǎn)能   首先就DRAM部分,以大方向來說,2018年在Fab端并無新增產(chǎn)能,頂多就
      • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND   
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      x-dram介紹

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