在线看毛片网站电影-亚洲国产欧美日韩精品一区二区三区,国产欧美乱夫不卡无乱码,国产精品欧美久久久天天影视,精品一区二区三区视频在线观看,亚洲国产精品人成乱码天天看,日韩久久久一区,91精品国产91免费

    
    
    <address id="vxupu"><td id="vxupu"></td></address>

      <pre id="vxupu"><small id="vxupu"></small></pre>
      <dfn id="vxupu"></dfn>
      <div id="vxupu"><small id="vxupu"></small></div>
    1. 首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
      EEPW首頁 >> 主題列表 >> x-dram

      DRAM能否成為半導體市場預測晴雨表?

      •   在今年Gartner的半導體市場分析報告中指出,從歷史角度來看,存儲市場一直規(guī)律的處于2~3年的周期波動中。2021年DRAM市場存在一個供不應求的情況,使得價格上漲,但在2022年下半年會恢復并且進入供過于求的周期,這個周期會導致存儲市場價格的整體下滑。下面我們來具體分析都存在哪些因素導致DRAM的周期波動。1.地緣問題導致消費市場向下修正  俄烏戰(zhàn)爭打破歐洲和平局面,導致能源價格大幅提升,整體社會的消費水平降低,企業(yè)和消費者會減少很多不必要的開支。早在4月底,美國商務部公布的數(shù)據顯示,美國一季度G
      • 關鍵字: DRAM  半導體  市場  

      潛力無限的汽車存儲芯片

      •   隨著智能化、電動化浪潮的推進,汽車芯片的含量成倍提升,電動車半導體含量約為燃油車2倍,智能車為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車芯片,2035年增長為1285億顆。價值增量端,2020年汽車芯片價值量為339億美元,2035年為893億美元??梢娦酒瑢⒊蔀槠囆吕麧櫾鲩L點,有望成為引領半導體發(fā)展新驅動力。  汽車芯片從應用環(huán)節(jié)可以分為5類:主控芯片、存儲芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等,以存儲芯片為例,2022年全球汽車存儲芯片市場規(guī)模約52億美元,國內汽車存儲芯片市場規(guī)模
      • 關鍵字: 北京君正  兆易創(chuàng)新  DRAM  NAND  

      美光面向數(shù)據中心客戶推出 DDR5 服務器 DRAM, 推動下一代服務器平臺發(fā)展

      • 關鍵優(yōu)勢:● 隨著 CPU 內核數(shù)量不斷增加,改進后的內存架構相比 DDR4[1] 可將帶寬提高近一倍,進而提高效率● JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2],比 DDR4 快 1.5 倍[3]● 得益于高達 64GB 的模組容量,能夠支持內存密集型工作負載[4]● DDR5 的創(chuàng)新架構改進和模組內建電源管理功能,有助于優(yōu)化系統(tǒng)整體運行性能 內存和存儲解決方案領先供應商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)今日宣布
      • 關鍵字: 美光  數(shù)據中心  DRAM  DDR5  

      中國DRAM和NAND存儲技術和產業(yè)能趕超韓國嗎?

      • 近日,韓國進出口銀行海外經濟研究所(OERI)推算,韓國和中國在存儲芯片領域的技術差距為:DRAM的差距約為 5年,NAND 的差距約為2年。該研究院分析,中國DRAM制造企業(yè)長鑫存儲2022年將推進第二代10nm(1y或16nm至17nm)DRAM的量產。三星電子等韓國企業(yè)計劃在今年年末或明年批量生產第5代10nm(1b或12nm-13nm)DRAM??紤]到每一代的技術差距為2年-2年半,兩國之間的技術差距超過5年。據該研究院推測,在NAND閃存領域,中國與韓國的技術差距約為2年。中國存儲芯片企業(yè)長江存
      • 關鍵字: DRAM  NAND  

      中國SSD行業(yè)企業(yè)勢力全景圖

      • 全球范圍看,2021-2023年存儲芯片的市場規(guī)模將分別達到1552億美元、1804億美元及2196億美元,增幅分別達到22.5%、16.2%和21.7%。其中,2021年DRAM市場規(guī)模約占56%,NAND Flash市場規(guī)模約占41%(IC Insights數(shù)據)。另外,根據CFM 閃存市場預計,2021年全球存儲市場規(guī)模將達1620億美元,增長29%,其中DRAM為945億美元,NAND Flash為675億美元。這兩個調研機構的數(shù)據相近,相差100億美元。目前,全球儲存芯片市場主要被韓國、歐美以及
      • 關鍵字: 存儲芯片  DRAM  NAND Flash  

      2022半導體儲存器市場調研 半導體儲存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析

      •   國內半導體儲存器行業(yè)市場前景及現(xiàn)狀如何?半導體存儲器行業(yè)是全球集成電路產業(yè)規(guī)模最大的分支:半導體行業(yè)分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業(yè),根據功能的不同,集成電路又可以分為存儲器、邏輯電路、模擬電路、微處理器等細分領域。2022半導體儲存器市場調研半導體儲存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析  國內開始布局存儲產業(yè)規(guī)?;袊箨懙拇鎯ζ鞴娟懤m(xù)成立,存儲產業(yè)也取得明顯的進展。在半導體國產化的大趨勢下,國內存儲器行業(yè)有望迎來新的發(fā)展和機遇。  半導體儲存器行業(yè)產業(yè)鏈下游涵蓋智能手機、平板電腦、計算機、網
      • 關鍵字: 存儲  DRAM  市場  

      TrendForce:DRAM原廠降價意愿提高 第三季跌至近10%

      • 根據TrendForce最新研究顯示,盡管今年上半年的整體消費性需求快速轉弱,但先前DRAM原廠議價強勢,并未出現(xiàn)降價求售跡象,使得庫存壓力逐漸由買方堆棧至賣方端。在下半年旺季需求展望不明的狀態(tài)下,部分DRAM供貨商已開始有較明確的降價意圖,尤其發(fā)生在需求相對穩(wěn)健的服務器領域以求去化庫存壓力,此情況將使第三季DRAM價格由原先的季跌3至8%,擴大至近10%,若后續(xù)引發(fā)原廠競相降價求售的狀況,跌幅恐超越一成。PC OEM仍處于連續(xù)性下修出貨展望,且綜觀各家DRAM庫存水位平均超過兩個月以上,除非有極大的價格
      • 關鍵字: TrendForce  DRAM  

      TrendForce:第三季DRAM價格預估下跌3~8%

      • 據TrendForce研究,盡管有旺季效應和DDR5滲透率提升的支撐,第三季DRAM市場仍不敵俄烏戰(zhàn)事、高通膨導致消費性電子需求疲弱的負面影響,進而使得整體DRAM庫存上升,成為第三季DRAM價格下跌3~8%的主因,且不排除部分產品別如PC與智能型手機領域恐出現(xiàn)超過8%的跌幅。PC DRAM方面,在需求持續(xù)走弱情況下,引發(fā)PC OEMs下修整年出貨目標,同時也造成DRAM庫存快速飆升,第三季PC OEMs仍將著重在調整與去化DRAM庫存,采購力道尚難回溫。同時,由于整體DRAM產業(yè)仍處于供過于求,因此即便
      • 關鍵字: TrendForce  DRAM  

      SK海力士將向英偉達供應業(yè)界首款HBM3 DRAM

      • SK海力士宣布公司開始量產 HBM3 -- 擁有當前業(yè)界最佳性能的 DRAM。擁有當前業(yè)界最佳性能的 HBM3 DRAM 內存芯片,從開發(fā)成功到量產僅用七 個月HBM3將與NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配,以實現(xiàn)加速計算(accelerated computing)SK海力士旨在進一步鞏固公司在高端 DRAM 市場的領導地位* HBM (High Bandwidth Memory,高帶寬存儲器):是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價值、高性能內存
      • 關鍵字: SK海力士  英偉達  HBM3  DRAM   

      3D DRAM技術是DRAM的的未來嗎?

      • 5月25日,有消息傳出,華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術。隨著“摩爾定律”走向極限,DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前,DRAM芯片最先進的工藝是10nm。據公開資料顯示,三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨;美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產品的量產。那么,10nm是DRAM工藝的極限嗎?在回答這個問題之前,我
      • 關鍵字: DRAM  3D DRAM  華為  三星  美光  制程  納米  

      利基型DRAM持續(xù)擴產 華邦電 搶攻AIoT、元宇宙

      • 內存大廠華邦電日前宣布擴大利基型DDR3產出,爭取韓系DRAM廠退出后的市占率,推升營收及獲利續(xù)創(chuàng)新高。華邦電自行開發(fā)的20奈米DRAM制程,將于明年導入至高雄廠量產,為長遠發(fā)展奠定良好的基礎與成長動能,同時滿足5G基地臺、人工智能物聯(lián)網(AIoT)、電動車及車用電子、元宇宙等產業(yè)大趨勢強勁需求。華邦電第一季迎來利基型DRAM價格回升,SLC NAND及NOR Flash價格回穩(wěn),季度營收265.14億元為歷史次高,歸屬母公司稅后凈利年增近1.9倍達45.59億元并創(chuàng)下歷史新高,每股凈利1.15元優(yōu)于預期
      • 關鍵字: DRAM  華邦電  AIoT  元宇宙  

      三星推出512GB 內存擴展器CXL DRAM

      • 2022年5月10日 ,作為先進內存技術的廠商,三星宣布開發(fā)出三星首款512 GB 內存擴展器 (CXL,Compute Express Link) DRAM,朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步,CXL將在IT系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的內存容量且更低的延遲。三星半導體512GB 內存擴展器 CXL DRAM與以往版本相比,新開發(fā)的CXL內存容量為其4倍,從而讓服務器擴展至數(shù)十TB,而系統(tǒng)延遲僅為其五分之一三星還將推出其開源軟件工具包的升級版本,以推動CXL內存在現(xiàn)有和新興IT系統(tǒng)中的部署自2021年5月推出三星首款配備
      • 關鍵字: 三星  內存擴展器  CXL DRAM  

      第二季度DRAM跌幅估縮小

      • 根據市調預估,第二季整體DRAM平均價格跌幅約0~5%,跌幅相較上季已明顯縮小。由于買賣雙方庫存略偏高,再加上需求面如筆電、智能型手機等受近期俄烏戰(zhàn)事和高通膨影響,進而削弱消費者購買力道,目前僅服務器為主要支撐內存需求來源,故整體第二季DRAM仍有供過于求情形。在標準型PC DRAM方面,受俄烏戰(zhàn)爭影響,引發(fā)PC OEM對第二季的訂單采保守備貨策略,且可能持續(xù)影響下半年旺季訂單情形,進而下修今年的出貨目標,然而整體供給位卻仍在增長,故第二季PC DRAM價格跌幅達3~8%,且可能會進一步惡化。在服務器DR
      • 關鍵字: DRAM  集幫咨詢  

      三星LPDDR5X DRAM已在高通驍龍移動平臺上驗證使用

      • 今日三星宣布,高通技術公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經驗證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數(shù)據速率5X (LPDDR5X) DRAM,并應用于高通技術公司的驍龍(Snapdragon?)移動平臺。自去年11月開發(fā)出三星首款基于14nm的LPDDR5X DRAM以來,三星與高通技術公司密切合作,優(yōu)化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X,用于驍龍移動平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍,有
      • 關鍵字: 三星  LPDDR5X  DRAM  高通  驍龍  

      微結構不均勻性(負載效應)及其對器件性能的影響:對先進DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

      • 隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限,制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能(和良率)的主要因素。而對于先進的DRAM,晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結構中,電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限,制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能(和良率)的主要因素。而對于先進的DRAM,晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中,我們將為大家呈現(xiàn),如何利用SEMulator3D研究先進DR
      • 關鍵字: DRAM  微結構  
      共1836條 10/123 |‹ « 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 » ›|
      關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
      Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
      《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
      備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網安備11010802012473