vishay 文章進(jìn)入vishay技術(shù)社區(qū)

Vishay發(fā)布高性能單通道和雙通道負(fù)載開關(guān)

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新的可在1.1V～5.5V電壓下工作的單通道和雙通道2A負(fù)載開關(guān)--- SiP32411、 SiP32413和SiP32414，器件在1.2V下的低開關(guān)導(dǎo)通電阻能夠提高效率，150μs的典型受控軟啟動(dòng)斜率能夠限制涌入電流，使受控的啟動(dòng)過(guò)程更加平滑，從而將開關(guān)噪聲降至最小?！?/li>
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Vishay榮獲TTI Asia的優(yōu)秀供應(yīng)商獎(jiǎng)

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，Vishay Intertechnology Asia Pte Ltd榮獲TTI Electronics Asia Pte Ltd公司的優(yōu)秀供應(yīng)商獎(jiǎng)。Vishay是全球最大的分立半導(dǎo)體和無(wú)源電子器件制造商之一，TTI是全球領(lǐng)先的授權(quán)分銷商，專門從事無(wú)源、連接器、機(jī)電產(chǎn)品和分立器件的分銷?！?/li>
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Vishay發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用3232外形尺寸的電感器

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款I(lǐng)HLP?低外形、高電流電感器--- IHLP-3232DZ-11，該器件在同類器件當(dāng)中首次采用3232外形尺寸。IHLP-3232DZ-11的占位面積為8.3mm x 8.8mm，高度僅有4.0mm，低至1.35m?的最大DCR和從0.22μH至47.0μH的標(biāo)準(zhǔn)感值可提供系統(tǒng)所需的高效率。
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Vishay提供免費(fèi)Joule School在線脈沖能量計(jì)算器

　　Vishay宣布，在Vishay網(wǎng)站上推出可幫助設(shè)計(jì)者為其應(yīng)用選擇合適的繞線電阻的免費(fèi)在線脈沖能量計(jì)算器。　　Vishay新的Joule School在線脈沖能量計(jì)算器使設(shè)計(jì)者能夠確定在其應(yīng)用中在電阻上通過(guò)的脈沖能量。計(jì)算器非常適合為承受容性充電/放電或閃電浪涌等大脈沖應(yīng)用來(lái)選擇合適的繞線電阻，包括電話塔、雷達(dá)系統(tǒng)、風(fēng)車、焊接機(jī)、測(cè)試設(shè)備和電源等。　　Joule School簡(jiǎn)單易用，設(shè)計(jì)者可以從三種脈沖類型中選擇一種進(jìn)行計(jì)算，包括矩形脈沖、容性充電/放電脈沖和指數(shù)衰減脈沖。在選擇完脈沖類型后
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Vishay發(fā)布40V和60V N溝道TrenchFET功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)。　　40 V SiR640DP在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻為1.7m?和2.2m?，在10V和4.5V下的FOM分別為128m?-nC和76m?-nC。器件在4.5V下的導(dǎo)通電阻比最
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Vishay推出第三代TrenchFET?功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK? SC-70封裝，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。　　
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Vishay Siliconix推出0.6mm超低外形MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用0.6mm超低外形的熱增強(qiáng)Thin PowerPAK? SC-70封裝的新款30V N溝道---SiA444DJT和20V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面積內(nèi)，新的SiA444DJT實(shí)現(xiàn)了N溝道MOSFET當(dāng)中業(yè)內(nèi)最低的外形，而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。　
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Vishay推出增強(qiáng)型PLT系列精密低TCR薄膜電阻

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出增強(qiáng)型PLT系列精密低TCR薄膜電阻，將容差降至±0.01%。在-55℃～+125℃的溫度范圍內(nèi)，這些器件具有低至±5ppm/℃的標(biāo)準(zhǔn)TCR。　　
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Vishay推出新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET?技術(shù)，在具有4.5V電壓等級(jí)的100V MOSFET中具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
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Vishay推出超長(zhǎng)使用壽命新款鋁電容器

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新系列螺旋式接線柱功率鋁電容器---104 PHL-ST。該款電容器在+105℃下的使用壽命長(zhǎng)達(dá)5000小時(shí)，在+105℃下的額定紋波電流高達(dá)34.8A，提供從35mm x 60mm至90mm x 220mm的11種外形尺寸。　　
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Vishay推出可滿足更低電壓需求的紅外接收器

　　Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為其TSOP 紅外系列接收器中的10種產(chǎn)品推出新的“V”低壓電源選項(xiàng)，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合，以滿足電池供電的消費(fèi)產(chǎn)品對(duì)更低工作電壓的需求。在低至2V的電源電壓和+5℃～+85℃的溫度范圍內(nèi)工作時(shí)，V系列器件始終能夠保持穩(wěn)定的靈敏度等級(jí)。　　在采用2節(jié)堿性電池的應(yīng)用中，以160mA負(fù)載工作3小時(shí)，電池的典型放電曲線會(huì)從3V降到2.5V。這意味著只能在2.5V電壓下工作的標(biāo)準(zhǔn)接收器將停止工作。而一個(gè)典型非線性電池
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Vishay推出新款儀表分流電阻

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款Power Metal Strip儀表分流電阻--- WSMS2908，在業(yè)內(nèi)首次采用可直接焊到PCB板上的傳感引線，無(wú)需昂貴的柔性引線。在2908尺寸的封裝內(nèi)，WSMS2908實(shí)現(xiàn)了3W功率和100 μΩ的極低阻值。　　
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利用低門限電壓延長(zhǎng)電池壽命

降低能量消耗、延長(zhǎng)電池壽命，這是每個(gè)工程師在設(shè)計(jì)便攜式電子產(chǎn)品時(shí)努力的目標(biāo)。電池技術(shù)的進(jìn)步非常緩慢，所以便攜式產(chǎn)品的設(shè)計(jì)者把延長(zhǎng)電池壽命的重點(diǎn)放在電源管理上。多年以來(lái)，從事電源管理業(yè)務(wù)的半導(dǎo)體制造商盡力跟上終端系統(tǒng)用戶的需求。越來(lái)越多的便攜式電子產(chǎn)品在功能上花樣翻新，這些產(chǎn)品需要峰值性能，要求設(shè)計(jì)者在設(shè)備的物理尺度內(nèi)實(shí)現(xiàn)盡可能高的效率。雖然電池行業(yè)努力開發(fā)具有比傳統(tǒng)鎳鎘(NiCd)電池電量更高的替代電池技術(shù)，但還遠(yuǎn)不能滿
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Vishay推出國(guó)防領(lǐng)域的高可靠性模擬復(fù)用器

　　日前，長(zhǎng)期為軍工和航天客戶提供高可靠性分立IC器件的供應(yīng)商VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號(hào)：VSH)宣布，推出8通道單端模擬復(fù)用器高可靠性DG408，擴(kuò)充其按照MIL-PRF-38535規(guī)范進(jìn)行篩選的模擬開關(guān)和復(fù)用器系列。　　
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Vishay發(fā)布具有極高輻射強(qiáng)度的新款紅外發(fā)射器

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出采用拋物線型透鏡實(shí)現(xiàn)±3°極窄半強(qiáng)角的新款850nm紅外發(fā)射器--- VSLY5850，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合?；讵?dú)特的表面發(fā)射器芯片技術(shù)，VSLY5850在100mA驅(qū)動(dòng)電流下可提供高達(dá)600mW/sr的輻射強(qiáng)度、55mW的光功率和10ns的開關(guān)時(shí)間。　
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vishay介紹

威世（VISHAY）集團(tuán)成立于1962年，總部位于美國(guó)賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團(tuán)通過(guò)科技創(chuàng)新和不斷的并購(gòu), 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無(wú)源電子器件制造商之一。目前集團(tuán)已有69個(gè)制造基地遍布全球17個(gè)國(guó)家，其中中國(guó)大陸有7家制造業(yè)工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團(tuán)被美國(guó)財(cái)富雜志評(píng)為半導(dǎo)體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、計(jì)算機(jī) [ 查看詳細(xì) ]