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      NAND閃存主控芯片供應商2023年第1季財報出爐

      • 據(jù)中國臺灣《經濟日報》報道,全球NAND閃存主控芯片供應商慧榮科技(SIMO)公布2023年第1季財報,營收1億2407萬美元,季減38%,年減49%,第1季毛利率42.3%,稅后凈利1116萬美元。報道引述慧榮科技總經理茍嘉章表示,包括NAND大廠在內的主要客戶,目前一致認為市況仍極具挑戰(zhàn)。PC和智能手機終端市場持續(xù)呈現(xiàn)疲弱,上下游供應鏈皆將重心放在去化庫存,包括消費級SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲設備供應商,因此影響相關控制芯片的營收。茍嘉章認為,見到一些客戶的下單模式從第2季開始有所改善,再加
      • 關鍵字: NAND  閃存  主控芯片  

      3D NAND 堆疊可超 300 層,鎧俠解讀新技術

      • 5 月 5 日消息, 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術儲備,雙方正在努力實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術論文,鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,讀取延遲縮小到 40 微秒。此外,鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件,這是一個具有實驗性的 3D NAND IC,通過金屬誘導側向
      • 關鍵字: 3D NAND  

      復旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品

      • 4月27日,上海復旦微電子集團股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會,推出FM25/FM29系列SLC NAND,F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產品。FM25/FM29系列產品基于28nm先進NAND flash工藝,滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求,應用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關領域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產品基于95nm先進EEPROM工藝,具備低功耗、
      • 關鍵字: 復旦微電  NAND Flash  EEPROM  存儲器  

      先進封裝推動 NAND 和 DRAM 技術進步

      • 先進封裝在內存業(yè)務中變得越來越重要。
      • 關鍵字: 封裝  NAND  DRAM   

      預估第二季NAND Flash均價續(xù)跌5~10%,能否止跌端看下半年需求

      • 即便原廠持續(xù)進行減產,然需求端如服務器、智能手機、筆電等需求仍未見起色,NAND Flash市場仍處在供給過剩狀態(tài),故TrendForce集邦咨詢預估,第二季NAND Flash均價仍將持續(xù)下跌,環(huán)比下跌幅度收斂至5~10%。而后續(xù)恢復供需平衡的關鍵在于原廠是否有更大規(guī)模的減產,TrendForce集邦咨詢認為若目前需求端未再持續(xù)下修,NAND Flash均價有機會在第四季止跌反彈,反之,若旺季需求端持續(xù)疲弱,均價反彈時間恐再延后。Client SSD方面,目前PC OEM零部件庫存去化已見成
      • 關鍵字: 集邦  NAND Flash  

      2023年內存芯片趨勢

      • 2023 年,存儲芯片的跌勢仍在延續(xù),何時止跌還是未知數(shù)。
      • 關鍵字: 存儲芯片  DRAM  NAND  

      NAND Flash 大降價,固態(tài)硬盤取代機械硬盤指日可待

      • 相信有很多小伙伴已經注意到了,目前市場上很多固態(tài)硬盤的價格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態(tài)硬盤所需的 NAND 芯片降價導致的。根據(jù)集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示,NAND Flash 市場自 2022 年下半年以來面臨需求逆風,供應鏈積極去化庫存加以應對,此情況導致第四季 NAND Flash 合約價格下跌 20-25%,其中 Enterprise SSD(企業(yè)級固態(tài)硬盤)是下跌最劇烈的產品,跌幅約 23-28%。這對于 NAND 芯片廠商來說并不是什么好消息,但對于普通消費者來說,我們確實能買到更便宜的固態(tài)
      • 關鍵字: NAND Flash  

      內存雙雄:市況否極泰來

      • 華邦消費性電子應用需求回溫本季是谷底;南亞科上半年跌幅收斂。
      • 關鍵字: DRAM  NAND  

      (2023.3.20)半導體周要聞-莫大康

      • 半導體周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非:華為三年完成了13000型號器件的替代開發(fā)近日,華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮,為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎,華為總裁任正非發(fā)表了講話,部分參與座談的大學發(fā)布了座談紀要。任正非表示,在美國制裁華為這三年期間,華為完成 13000 + 型號器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復換板開發(fā)等,直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來,因為有了國產的零部件供應。任正非表示,華為現(xiàn)在還屬于困難時期,但在前進的道路上并沒有停步。
      • 關鍵字: 莫大康  半導體  華為  光刻機  NAND  

      存儲器廠商Q1虧損恐難逃

      • 由于DRAM及NAND Flash第一季價格續(xù)跌,加上庫存水位過高,終端消費支出持續(xù)放緩,據(jù)外電消息,韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務恐因提列庫存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出,南亞科(2408)及華邦電(2344)因減產及跌價導致營收及毛利率持續(xù)下滑,第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報導,三星電子3月19日提交給韓國金融監(jiān)督院的申報文件中指出,截至去年第四季,整體庫存資產達到52.2兆韓元(約折合399億美元),遠高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中,占三星營收比重最高的半導
      • 關鍵字: 存儲器  DRAM  NAND Flash  

      存儲大廠展示300層NAND Flash,預計最快2024年問世

      • 近日,在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上,韓國存儲器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示,新3D NAND Flash快閃存儲器預定兩年內上市,有望打破紀錄。外媒報導,SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開發(fā),提供1TB(128GB)容量,20Gb/mm2單位容量、16KB單頁容量、四個平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s,較上一代238層堆疊和164MB/
      • 關鍵字: 300層  NAND Flash  SK海力士  

      (2023.3.20)半導體周要聞-莫大康

      • 半導體一周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非:華為三年完成了13000型號器件的替代開發(fā)近日,華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮,為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎,華為總裁任正非發(fā)表了講話,部分參與座談的大學發(fā)布了座談紀要。任正非表示,在美國制裁華為這三年期間,華為完成 13000 + 型號器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復換板開發(fā)等,直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來,因為有了國產的零部件供應。任正非表示,華為現(xiàn)在還屬于困難時期,但在前進的道路上并沒有停步
      • 關鍵字: 半導體  莫大康  華為  NAND  光刻機  

      均價跌幅擴大,2022年第四季NAND Flash總營收環(huán)比下跌25%

      • TrendForce集邦咨詢最新調查顯示,NAND Flash市場自2022年下半年以來面臨需求逆風,供應鏈積極去化庫存加以應對,此情況導致第四季NAND Flash合約價格下跌20~25%,其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產品,跌幅約23~28%。在原廠積極降價求量的同時,客戶為避免零部件庫存再攀高,備貨態(tài)度消極,使得第四季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長僅5.3%,平均銷售單價環(huán)比減少22.8%,2022年第四季NAND Flash產業(yè)營收環(huán)比下跌25.0%,達
      • 關鍵字: 集邦  NAND Flash  

      支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng)新

      • 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝(用于移動應用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能)的性能,就需要對架構、材料和核心制造流程進行復雜且代價高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料,包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料,以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺,包括一個或多
      • 關鍵字: 3D NAND  DRAM  5nm  SoC  

      西部數(shù)據(jù)宣布進一步削減生產和投資,NAND 晶圓產量將減少至 30%

      • IT之家 2 月 7 日消息,據(jù)韓媒 Business Korea 報道,在內存半導體行業(yè)持續(xù)低迷的情況下,全球 NAND 閃存市場第四大公司西部數(shù)據(jù)宣布將進一步縮減設備投資和生產。西部數(shù)據(jù) 1 月 31 日在 2022 年第四季度業(yè)績電話會議上表示,2023 財年設備投資總額將達到 23 億美元(當前約 156.17 億元人民幣)。據(jù)IT之家了解,這一數(shù)字比 2022 年 10 月披露的 27 億美元(當前約 183.33 億元人民幣)下降了 14.8%,與 2022 年 8 月公布
      • 關鍵字: NAND  內存  西部數(shù)據(jù)  
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      v-nand介紹

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