v-nand 文章 進(jìn)入v-nand技術(shù)社區(qū)
3D NAND堆疊競爭鳴槍 SK海力士、東芝苦追三星
- 為提升NAND Flash性能而將Cell垂直堆疊的3D堆疊技術(shù)競爭逐漸升溫。目前三星電子(Samsung Electronics)已具備生產(chǎn)系統(tǒng)獨(dú)大市場，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)等半導(dǎo)體大廠也正加速展開相關(guān)技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)作業(yè)。 據(jù)ET News報導(dǎo)，NAND Flash的2D平面微細(xì)制程，因Cell間易發(fā)生訊號干擾現(xiàn)象等問題，已進(jìn)入瓶頸。主要半導(dǎo)體大廠轉(zhuǎn)而致力確保將Cell垂直堆疊的3D技術(shù)。半導(dǎo)體業(yè)界的技術(shù)競爭焦點(diǎn)從制程微細(xì)化，轉(zhuǎn)變?yōu)榇怪倍?/li>
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美光開放日：引領(lǐng)互聯(lián)世界存儲潮流
- 近日，美光科技在上海舉行以“存儲及其發(fā)展如何幫助實(shí)現(xiàn)未來互聯(lián)世界”為主題的“美光開放日”活動。美光科技高層與業(yè)內(nèi)專家、學(xué)者和媒體共同分享公司在該領(lǐng)域的見解和創(chuàng)新解決方案，探討和展望未來行業(yè)發(fā)展趨勢。 美光科技作為僅有的兩家能夠提供提供全存儲類型解決方案的廠商，占據(jù)整個存儲器22%以上的市場份額，穩(wěn)居第二位。如今美光科技面向網(wǎng)絡(luò)建設(shè)、機(jī)器對機(jī)器、移動設(shè)備、云和大數(shù)據(jù)五大應(yīng)用領(lǐng)域，提供全球最廣泛的存儲產(chǎn)品組合，包括：DRAM芯片和存儲條、固態(tài)硬盤、NA
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美光與希捷宣布成立策略聯(lián)盟
- 希捷科技(Seagate Technology)與美光科技(Micron Technology, Inc.)宣布簽署策略性協(xié)議，設(shè)立一結(jié)合兩家公司創(chuàng)新與專業(yè)技術(shù)之架構(gòu)。在此協(xié)議的架構(gòu)基礎(chǔ)上，雙方客戶能夠同時受益于領(lǐng)先業(yè)界的儲存解決方案，進(jìn)而更快速且有效率地實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新。 盡管在合作初期，美光與希捷將著重于下個世代的 SAS 固態(tài)硬碟(SSD)與策略性 NAND 型快閃記憶體的供貨，但是雙方皆預(yù)期這項(xiàng)長達(dá)數(shù)年的結(jié)盟協(xié)議在未來將有機(jī)會發(fā)展更多合作，甚至推出采用美光 NAND 型快閃記憶體的企業(yè)級儲存解決
- 關(guān)鍵字： 美光 希捷 NAND
半導(dǎo)體市場今年迎向高規(guī)格之爭
- 2015年由行動裝置帶動的高規(guī)格半導(dǎo)體之爭蓄勢待發(fā);行動應(yīng)用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導(dǎo)體需求增加，被視為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長新動能。 據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟(jì)的報導(dǎo)，智慧型手機(jī)的功能高度發(fā)展，讓核心零組件如應(yīng)用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導(dǎo)體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進(jìn)化到64位元，可望讓多工與資料處理
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NAND閃存下一步指向3D架構(gòu)14納米
- 存儲是電子產(chǎn)品中最重要的部分之一，它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會需要存儲芯片。近年來，存儲芯片行業(yè)熱點(diǎn)話題不斷：3D NAND的生產(chǎn)制造進(jìn)展情況如何?LPDDR4在市場上的應(yīng)用進(jìn)程是怎樣的?移動產(chǎn)品中eMCP將成為主流封裝形式嗎?存儲技術(shù)發(fā)展的路徑或許會爭論不休，但是整體方面卻不會改變，那就是更大的容量、更高的密度、更快的存儲速度、更加節(jié)能以及更低的成本。 2015年手機(jī)存儲市場 著眼用戶體驗(yàn)提升 目前業(yè)界對于2015年中國智能手機(jī)市場走勢的預(yù)測很多，總的觀點(diǎn)是增長率放緩。當(dāng)
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2014年Q4品牌NAND供應(yīng)商營收僅成長2%
- 根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報告， 2014年第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準(zhǔn)，但在三星電子(Samsung)、東芝(Toshiba)與晟碟(SanDisk)各自面臨價格與產(chǎn)銷端的壓力影響營收、及第三 季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下，品牌供應(yīng)商營收僅較第三季成長2%至87.5億美元。 DRAMeXchange 研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，因需求端面臨淡季效應(yīng)，2015年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過于求，在價格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下
- 關(guān)鍵字： NAND 英特爾 三星
淡季影響銷售，NAND Flash 供應(yīng)商 Q1 將供過于求
- 根據(jù) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報告顯示，第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準(zhǔn)，但在三星電子、東芝與晟碟各自面臨價格與產(chǎn)銷端的壓力影響營收、及第三季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下，品牌供應(yīng)商營收僅較第三季成長 2% 至 87.5 億美元。DRAMeXchange 研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，因需求端面臨淡季效應(yīng)，2015 年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過于求，在價格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下，業(yè)者將藉由加速先進(jìn)制程的轉(zhuǎn)進(jìn)，改善成本架構(gòu)，以減低價格跌幅的沖擊。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 三星 東芝
國際大廠找Mobile RAM貨源 敲開與臺廠合作大門
- 存儲器廠持續(xù)在eMCP(eMMC結(jié)合MCP封裝)領(lǐng)域擴(kuò)大進(jìn)擊，繼東芝(Toshiba)與南亞科洽談策略聯(lián)盟，新帝(SanDisk)亦傳出首度來臺尋找移動式存儲器Mobile RAM合作伙伴，考慮與南亞科簽定長約或包下產(chǎn)能，顯示國際存儲器大廠亟欲尋找Mobile RAM貨源，并敲開與臺廠合作大門。 半導(dǎo)體業(yè)者透露，在三星電子和SK海力士主導(dǎo)下，智能型手機(jī)內(nèi)建存儲器規(guī)格從eMMC轉(zhuǎn)為eMCP，原本NAND Flash芯片外加關(guān)鍵零組件Mobile RAM芯片，2015年東芝??新帝陣營將展開大反撲。
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NAND Flash價格續(xù)滑 難擺脫供給過剩困境
- 由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供應(yīng)量持續(xù)增加，造成價格連續(xù)兩個月下滑，業(yè)界預(yù)期若三星電子(Samsung Electronics)等業(yè)者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生產(chǎn)比重，后續(xù)MLC產(chǎn)品價格下滑情況恐將更明顯。 根據(jù)韓媒DigitalTimes報導(dǎo)，由于USB、硬碟與記憶卡市場進(jìn)入淡季，加上庫存堆積，導(dǎo)致NAND Flash價格走滑，市場供給過剩情況恐持續(xù)到農(nóng)歷春節(jié)。業(yè)界認(rèn)為目前NAND Flash下滑走勢雖大部分是受
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無線應(yīng)用成2015半導(dǎo)體市場最大增長動力
- 2015年全球半導(dǎo)體行業(yè)收入預(yù)計(jì)將達(dá)3580億美元，較2014年增長5.4%，但仍然低于之前5.8%的增長預(yù)期。 半導(dǎo)體市場的增長動力包括智能手機(jī)專用標(biāo)準(zhǔn)電路ASSP，以及超移動PC和固態(tài)硬盤中使用的DRAM和NAND閃存芯片。 “由于DRAM恢復(fù)傳統(tǒng)的降價方式，而整個行業(yè)需要消耗假期的過多庫存，因此2015年的半導(dǎo)體收入增長可能較2014年的7.9%有所放緩?！睒I(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，“由于供應(yīng)短缺，DRAM價格在2014年基本保持堅(jiān)挺，使之成為2014年增速最
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群聯(lián)砸3.8億 入股宇瞻
- 儲存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片大廠群聯(lián)(8299)昨(19)日宣布，參與記憶體模組廠宇瞻私募，將以每股25.38元、總金額3億8,070萬元，取得宇瞻9.9%股權(quán)，成為宇瞻最大法人股東，雙方將攜手沖刺工控應(yīng)用固態(tài)硬碟(SSD)市場。 群聯(lián)昨股價上漲2.5元，收在214.5元;宇瞻下跌0.25元，以31.4元作收。 群聯(lián)斥資約3.8億元，取得宇瞻9.9%股權(quán)，成為最大法人股東。圖為群聯(lián)董事長潘健成。 本報系資料庫 分享 上述私募價格是采依過去30個交易日均價31
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半導(dǎo)體事業(yè)關(guān)鍵時刻 救了三星的面子與里子
- 三星電子(Samsung Electronics)日前發(fā)布2014年第4季暫定財報，營收止跌回升為52兆韓元(約478.8億美元)，其中半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部貢獻(xiàn)達(dá)一半以上，可說是最大功臣。 據(jù)韓媒ChosunBiz報導(dǎo)，三星電子在1月8日發(fā)布2014年第4季暫定財報，業(yè)績終于跌回升，營收為52兆韓元，營業(yè)利益達(dá)5.2兆韓元。 韓國KDB大宇證券推估，三星電子DS部門第4季貢獻(xiàn)營業(yè)利益約2.9兆韓元，比IT暨移動通訊(IM)事業(yè)部高出1兆韓元左右。第3季DS部門營業(yè)利益(2
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Gartner：蓬勃的DRAM市場為內(nèi)存制造商帶來增長
- Gartner發(fā)布初步統(tǒng)計(jì)結(jié)果，2014年全球半導(dǎo)體總營收為3398億美元，與2013年的3150億美元相比增長7.9%。前25大半導(dǎo)體廠商合并營收增長率為11.7%，優(yōu)于該產(chǎn)業(yè)整體表現(xiàn)。前25大廠商占整體市場營收的72.1%，比2013年的69.7%更高。 Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示：“就群體來看，DRAM廠商的表現(xiàn)勝過半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)其他廠商。這股趨勢始于2013年DRAM市場因供給減少及價格回穩(wěn)雙重因素而蓬勃發(fā)展并持續(xù)至今，2014年?duì)I收也因而增長31.
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三星2015年內(nèi)量產(chǎn)48層V NAND 已著手研發(fā)64層產(chǎn)品
- 三星電子(Samsung Electronics) 為與其他尚無法生產(chǎn)V NAND的競爭業(yè)者將技術(shù)差距拉大到2年以上，并在次世代存儲器芯片市場上維持獨(dú)大地位，計(jì)劃在2015年內(nèi)量產(chǎn)堆疊48層Cell的3D垂直結(jié)構(gòu)NAND Flash。 據(jù)首爾經(jīng)濟(jì)報導(dǎo)，三星近來已完成48層結(jié)構(gòu)的V NAND研發(fā)，并著手研發(fā)后續(xù)產(chǎn)品64層結(jié)構(gòu)V NAND。48層V NAND將于2015年內(nèi)開始量產(chǎn)。原本韓國業(yè)界推測三星會在2015年下半完成48層V NAND，并在2016年才投入量產(chǎn)，然三星大幅提前了生產(chǎn)日程。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND Intel
高交會上東芝引領(lǐng)閃存技術(shù)走向
- 全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明，東芝2014年會計(jì)年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運(yùn)表現(xiàn)最亮眼，位出貨量季成長25%以上，營收較上季度成長23.7%。 東芝電子(中國)有限公司董事長兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會電子展上也透露，2014年東芝在中國的閃存生意非常好，在高交會電子展上展示的存儲技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產(chǎn)品，并且東芝的技術(shù)動向，也在引領(lǐng)未來閃存的發(fā)展趨勢。
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