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三星/海力士NAND閃存芯片邁向20nm級工藝
- 繼Intel、美光上個月宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存芯片后，韓國兩大存儲廠三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工藝NAND閃存投產(chǎn)計劃。 海力士將采用26nm工藝生產(chǎn)容量為64Gb的NAND閃存芯片，這和Intel、美光首批投產(chǎn)的25nm芯片容量一致。而三星則計劃在今年第二季度投產(chǎn)27nm NAND閃存。 海力士表示，和30nm工藝相比，新工藝的閃存芯片的產(chǎn)能將翻一番，成本也將大幅度降低。根據(jù)韓國當?shù)孛襟w的報道，海力士將在今年第三季度開始量產(chǎn) 26nm閃存芯片。在這一點上三星已經(jīng)占
- 關鍵字： 三星 20nm NAND閃存 海力士
福布斯：Sun的閃存夢想
- 《福布斯》日前刊文指出，昔日的服務器巨頭Sun微系統(tǒng)公司正將其新的希望寄托在基于閃存技術的創(chuàng)新產(chǎn)品之上，希望借此恢復昔日的輝煌。 11月3日，Sun推出了一系列基于NAND閃存的數(shù)據(jù)中心存儲產(chǎn)品。眾所周知，閃存廣泛應用于諸如iPods、筆記本、MP3、MP4產(chǎn)品之中，因為閃存不僅可以提供更快的存儲速度，而且更省電。為此Sun號稱其全新的存儲系統(tǒng)Amber Road不僅更輕薄易于使用，而且其速度和效率是同等產(chǎn)品的4倍。 不像傳統(tǒng)的硬盤，固件方式的閃存沒有旋轉的部件，因此不需要花費
- 關鍵字： NAND閃存 Sun 硬盤 存儲系統(tǒng)
美光科技關廠、裁員、降薪
- 北京時間10月10日消息，據(jù)國外媒體報道，半導體儲存及影像產(chǎn)品制造商美光科技（Micron Tech）表示，公司將會關閉位于美國愛達荷州首府博伊西（Boise）的NAND閃存芯片工廠，另外，作為電腦存儲芯片業(yè)務重組的一部分公司將在兩年內(nèi)裁員15%。 美光科技目前的員工總數(shù)約為2.26萬人，此次裁員涉及總人數(shù)為2850人，其中1500人來自博伊西。 本周四，美光科技表示，消費者需求下降和產(chǎn)品過渡供應導致閃存芯片的售價低于成本，因此公司決定關閉位于博伊西的NAND閃存工廠，并于未來
- 關鍵字： 半導體 美光科技 NAND閃存 閃存芯片
金融風暴蛻變之痛 芯片制造業(yè)重新洗牌
- 10月10日 據(jù)知情人透露，五樁價值數(shù)十億美元的重大交易目前已經(jīng)擺上臺面，牽涉到日本、臺灣和韓國的芯片制造業(yè)巨頭。日本電子業(yè)巨頭東芝正在進行談判，意欲收購美國的內(nèi)存芯片制造商Spansion。內(nèi)存芯片是手機、筆記本電腦、攝像機、MP3播放器等高科技產(chǎn)品的重要支柱。不過，由于全球金融危機壓抑了消費者的購物熱情，對高科技產(chǎn)品的需求直線降低，導致內(nèi)存芯片的需求跟著下跌，致使芯片售價低于制造成本。 法國巴黎銀行分析師彼得-于(Peter Yu)說：“這堪比一場完美風暴。這個產(chǎn)業(yè)正步入產(chǎn)
- 關鍵字： 東芝 美光科技 內(nèi)存芯片 NAND閃存
SSD存儲技術將終結HDD
- HDD(混合硬盤存儲)、磁盤存儲技術將會讓位于更簡便的、更有效的SSD(固態(tài)存儲)。有什么證明嗎？希捷、西部數(shù)據(jù)、三星、東芝。英特爾、富士通、AMD、Micron、SandDisk以及LSI邏輯等企業(yè)正在開發(fā)閃存技術作為下一代處理器，并已形成規(guī)模。有一些企業(yè)諸如Spansion 和Virident Systems正在開發(fā)先進的SSD技術。閃存技術是可移動USB存儲設備的蘋果iPod以及iPhone的核心。戴爾和Sun等多年前就在開發(fā)SSD技術。以下分析可以說明為何SSD是HHD的殺手。 高可靠性
- 關鍵字： NAND閃存 SSD Spansion 存儲 USB
Seagate欲收購SanDisk 分析師表示不看好
- 據(jù)EETimes報道，近來在閃存產(chǎn)業(yè)界盛傳希捷(Seagate)將全部或部份收購SanDisk；不過對于這樁可能的婚事，分析師卻不看好。 有人推測Seagate僅對SanDisk的固態(tài)硬盤(SSD)業(yè)務感興趣；更早的時候還有謠傳指出Seagate將收購Simple Tech (一家SSD和其它產(chǎn)品供貨商)。不過Seagate不愿對這些謠言發(fā)表評論，SanDisk也不做任何響應。 雖然身為一家硬盤機供貨商，Seagate對閃存技術非常感興趣，且認為SSD將對其傳統(tǒng)業(yè)務構成潛在威脅。為了維護市
- 關鍵字： SanDisk NAND閃存 Seagate 希捷 收購
手機拆機分析揭示移動存儲的未來
- NAND和mDRAM激增，NOR-less機型增多 手機內(nèi)存內(nèi)容是否正在發(fā)生根本性變化？ 在相對較短的時間內(nèi)，隨著手機從商用工具發(fā)展成隨處可見的大眾通信工具，手機所使用的內(nèi)存一直基于NOR閃存與SRAM的組合，最近是NOR閃存與pSRAM的組合。但是，這種內(nèi)存配置正在面臨使用移動DRAM(mDRAM)和/或NAND閃存組合的方案的挑戰(zhàn)。 這種轉變的背后，是因為市場需要大容量、低成本數(shù)據(jù)存儲用于保存語音/音樂、照片和視頻，NAND最適于滿足這種需求。這些功能也需要手機RAM
- 關鍵字： 手機 NOR閃存 pSRAM DRAM NAND閃存 iSuppli
存儲卡和優(yōu)盤市場仍有巨大潛力
- 6月5日消息，盡管業(yè)內(nèi)廠商認為存儲卡和優(yōu)盤市場飽和了，金士頓公司總裁John Tu最近表示，這個市場仍存在巨大的商業(yè)潛力。 Tu說，存儲卡和優(yōu)盤每個月的平均出貨量達2000萬個。巨大的出貨量表明這個市場仍在增長。他認為，存儲卡和優(yōu)盤將作為消費者與不同種類的內(nèi)容打交道的一個“平臺”。 雖然許多人認為存儲設備廠商應該向數(shù)字內(nèi)容提供商付費以便為其產(chǎn)品產(chǎn)品增加內(nèi)容，但是，Tu說應該是內(nèi)容提供商向金士頓付費，以便通過金士頓成功的銷售網(wǎng)絡、品牌和市場份額來分
- 關鍵字： 存儲卡 優(yōu)盤 金士頓 NAND閃存
產(chǎn)綜研聯(lián)合東京大學研制出采用強電介質(zhì)NAND閃存單元
- 日本產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所（產(chǎn)綜研）與東京大學，聯(lián)合研制出了采用強電介質(zhì)柵極電場效應晶體管（Ferroelectric gate field-effect transistor：FeFET）的NAND閃存存儲單元?？刹翆?億次以上，寫入電壓為6V以下。而此前的NAND閃存存儲單元只能擦寫1萬次，且寫入電壓為20V。以往的NAND閃存只能微細化到30nm左右，而此次的存儲單元技術還可以支持將來的20nm和10nm工藝技術。 此次，通過調(diào)整p型Si底板溝道中所注入雜質(zhì)的條件，使NAND
- 關鍵字： FeFET NAND閃存 東京大學 產(chǎn)綜研
芯片設備業(yè)有望迎來新一輪增長周期
- 《商業(yè)周刊》文章指出，經(jīng)過一年時間的磨難和快速衰退，半導體廠商們有望在2009年迎來新一輪增長周期。 當業(yè)內(nèi)權威人士正在為美國經(jīng)濟是否已經(jīng)陷入衰退而爭論不休時，半導體設備廠商們早就經(jīng)歷了衰退浪潮的侵襲。標準普爾分析師Angelo Zino表示：“芯片設備產(chǎn)業(yè)擁有繁榮周期，它早在一年前就已經(jīng)進入衰退期，2008年的情況也不太樂觀。” Zino說，預計今年的半導體設備的銷售額將繼續(xù)下滑，主要是因為內(nèi)存芯片尤其是DRAM芯片的需求疲軟。他說：“我們
- 關鍵字： 半導體 DRAM NAND閃存
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