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基于英飛凌數(shù)位半橋返馳式(XDPS2201)+賽普拉斯通訊協(xié)議(CYPD3174) 之 65W PD充電器方案
- 隨著USB PD產(chǎn)品的廣泛應用與普及化，Infineon推出全新數(shù)位共振返馳式PWM電源控制芯片，此一架構除較現(xiàn)行客戶常使用之ACF架構更具競爭力，在電路設計上相對容易，還可減少元件數(shù)量，且數(shù)位化的設計界面可滿足不同輸出瓦數(shù)的產(chǎn)品應用，提高在設計上的靈活度與可靠性。同時搭配Cypress PD控制芯片，借由數(shù)位控制與參數(shù)設定功能來改變輸出電壓，藉以符合各種不同產(chǎn)品的應用。同時Infineon共振返馳式電源芯片在與Cypress PD控制芯片，可大幅度提高效率與功率密度的表現(xiàn)，更可以減少客戶的產(chǎn)品設計與開發(fā)
- 關鍵字： Infineon Mos Charger AdapterXDPS2201 CYPD3174
場效應管常用的三大作用：放大作用、恒流輸出、開關導通
- 1、放大電路場效應管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點，因此經(jīng)常作為多級放大電流的輸入級，與三極管一樣，根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同，將場效應管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài)，如下圖是場效應管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻，將Rs壓降加至柵極；Rd是漏極電阻，將漏極電流轉換成漏極電壓，并影響放大倍數(shù)Au；Rs是源極電阻，為柵極提供偏壓；C3是旁路電容，消除Rs對交流信號的衰減。2、電流源電路恒流源在計量測試應用很廣泛，如下圖是主要是由場效應管組成的恒流源電路，這是可作為磁電式儀表調(diào)標尺工序。由于場
- 關鍵字： MOSFET MOS 場效應管
寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關和顛覆性的仿真環(huán)境
- 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當前硅基技術的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設計人員在仿真中實現(xiàn)其應用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建?？梢赃M行系統(tǒng)級仿真
- 關鍵字： IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
如何設計防反接保護電路？
- 如何設計防反接保護電路？-利用MOS管的開關特性，控制電路的導通和斷開來設計防反接保護電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
- 關鍵字： mos
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