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            X-FAB與萊布尼茨IHP研究所達(dá)成許可協(xié)議

            • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)與萊布尼茨IHP研究所今日共同宣布,將推出創(chuàng)新的130納米SiGe BiCMOS平臺(tái),進(jìn)一步擴(kuò)大與萊布尼茨高性能微電子研究所(IHP)的長(zhǎng)期合作關(guān)系。作為新協(xié)議的一部分,X-FAB將獲得IHP的尖端SiGe技術(shù)授權(quán),將這一技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)帶給大批量市場(chǎng)的客戶(hù)群體。130納米SiGe BiCMOS平臺(tái)新創(chuàng)建的130納米平臺(tái)顯著加強(qiáng)了X-FAB的技術(shù)組合,提供了獨(dú)特的解決方案,達(dá)到滿(mǎn)足下一代通信要求所需的更高
            • 關(guān)鍵字: X-FAB  萊布尼茨IHP  

            是誰(shuí)在拉動(dòng)嵌入式存儲(chǔ)的技術(shù)革新和市場(chǎng)擴(kuò)張?

            • 近年來(lái),受到全球半導(dǎo)體產(chǎn)能短缺、新冠疫情以及季節(jié)性需求等因素的影響,存儲(chǔ)器件的價(jià)格呈現(xiàn)出較大的波動(dòng)態(tài)勢(shì)。 J.P. Morgan, Gartner and Deloitte等主要行業(yè)分析機(jī)構(gòu)的分析師都預(yù)測(cè)了半導(dǎo)體產(chǎn)能的短缺將持續(xù)整個(gè)2022年,甚至更長(zhǎng)。根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)分析,2022年全球存儲(chǔ)器件市場(chǎng)的規(guī)模將達(dá)到1716.82億美元,較之前預(yù)估的2022年增加135.21億美元,同比增長(zhǎng)將會(huì)達(dá)到8.5%。 圖 | WSTS的電子元器件市場(chǎng)預(yù)測(cè)(2021年11月)圖源:WSTS&nbs
            • 關(guān)鍵字: 嵌入式存儲(chǔ)  X-FAB  NVM  

            Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權(quán),正式更名為Nexperia Newport

            • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia宣布已完成收購(gòu)Newport Wafer Fab (NWF)的交易,此舉可助力公司實(shí)現(xiàn)宏偉的增長(zhǎng)目標(biāo)和投資,進(jìn)一步提高全球產(chǎn)能。通過(guò)此次收購(gòu),Nexperia獲得了該威爾士半導(dǎo)體硅芯片生產(chǎn)工廠的100%所有權(quán)。Nexperia Newport將繼續(xù)在威爾士半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中占據(jù)重要地位,引領(lǐng)新港地區(qū)和該區(qū)域其他工廠的技術(shù)研發(fā)。 Nexperia是Newport Wafer Fab所提供晶圓代工服務(wù)的客戶(hù),并于2019年通過(guò)投資Neptune 6 Limite
            • 關(guān)鍵字: Nexperia  Fab  

            GlobalFoundries傳紐約IBM晶圓廠找買(mǎi)家

            • GlobalFoundries 從新 CEO 上任以來(lái),大刀闊斧進(jìn)行改革,宣布退出全球高端技術(shù)的開(kāi)發(fā),又將新加坡 8 寸廠 Fab 3E 賣(mài)給臺(tái)積電旗下的世界先進(jìn)后,業(yè)界再度點(diǎn)名“下一刀”,是為購(gòu)自 IBM 的紐約 12 寸廠尋找買(mǎi)家。據(jù)傳美系 IDM 大廠有興趣,看來(lái)新任 CEO 這把削減成本的大刀要一砍到底,GlobalFoundries 經(jīng)歷大改革后可否涅槃重生值得關(guān)注。Thomas Caulfield 接替任職逾 4 年的 Sanjay Jha,出任 GlobalFoundries 的新 CEO
            • 關(guān)鍵字: GlobalFoundries  Fab  IBM  

            SiC功率半導(dǎo)體器件需求年增29%,X-FAB計(jì)劃倍增6英寸SiC代工產(chǎn)能

            •   隨著提高效率成為眾需求中的重中之重,并且能源成本也在不斷增加,以前被認(rèn)為是奇特且昂貴的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術(shù),現(xiàn)已變得更具性?xún)r(jià)比。此外,隨著市場(chǎng)的增長(zhǎng),由于規(guī)模經(jīng)濟(jì)的關(guān)系,SiC或GaN晶體管和二極管在經(jīng)濟(jì)上也越來(lái)越具有吸引力?! 」β拾雽?dǎo)體(如二極管和MOSFET)可以通過(guò)幾種機(jī)制顯著節(jié)省能源。與傳統(tǒng)的硅器件相比,SiC二極管可以實(shí)現(xiàn)短得多的反向恢復(fù)時(shí)間,從而實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)。此外,其反向恢復(fù)電荷要少很多,從而可降低開(kāi)關(guān)損耗。此外,其反向恢復(fù)電荷要少很多,從而可降低開(kāi)關(guān)損耗。就其本身
            • 關(guān)鍵字: X-FAB  SiC  

            不了解半導(dǎo)體FAB廠?看完這篇就懂了

            • 半導(dǎo)體FAB廠 FAQ100問(wèn)影響工廠成本的主要因素有哪些?答:Direct Material 直接材料,例如:蕊片 Indirect Material間接材料,例如氣體hellip; Labor
            • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  FAB  

            Skorpios收購(gòu)了一座位于美國(guó)德州的Fab

            •   據(jù)麥姆斯咨詢(xún)報(bào)道,美國(guó)系統(tǒng)級(jí)芯片廠商Skorpios Technologies近日宣布收購(gòu)了半導(dǎo)體集成廠商N(yùn)ovati Technologies及其位于美國(guó)德州奧斯汀的Fab,本次交易的具體金額暫未披露。        Novati聞名于其在2.5D/3D集成、光子學(xué)、MEMS傳感器以及醫(yī)療應(yīng)用微流控領(lǐng)域的創(chuàng)新研究。Skorpios則擁有一套獨(dú)有的晶圓級(jí)工藝,能夠?qū)崿F(xiàn)硅和III-V族材料的單片集成,并作為工作介質(zhì)(active medium)制造硅光子IC。   在此次并購(gòu)交易之
            • 關(guān)鍵字: Skorpios  Fab  

            【E課堂】不了解半導(dǎo)體FAB廠?看完這篇就懂了

            •   影響工廠成本的主要因素有哪些?  答:Direct Material 直接材料,例如:蕊片 Indirect Material間接材料,例如氣體… Labor人力 Fixed Manufacturing機(jī)器折舊,維修,研究費(fèi)用……等 Production Support其它相關(guān)單位所花費(fèi)的費(fèi)用  在FAB內(nèi),間接物料指哪些?  答:Gas 氣體 Chemical 酸,堿化學(xué)液&nbs
            • 關(guān)鍵字: FAB  

            力爭(zhēng)Fab主動(dòng)權(quán) 中國(guó)瘋狂建廠的背后

            •   當(dāng)下的華夏大地,正被一股天翻地覆的英雄氣概所籠罩。半導(dǎo)體集成電路正成為僅次于互聯(lián)網(wǎng)機(jī)器人的熱詞。沒(méi)有幾個(gè)人能說(shuō)得清,有多少條8吋、12吋生產(chǎn)線(xiàn)在運(yùn)籌帷幄之中,又有多少大佬背著錢(qián)袋在這個(gè)“金礦”邊上徘徊。中國(guó)歷來(lái)的傳統(tǒng)是,黨指向哪里我們就沖向哪里。今天國(guó)家確定的目標(biāo),就是今后我們?yōu)橹畩^斗的戰(zhàn)場(chǎng)。最近我們的行業(yè)領(lǐng)軍人士已經(jīng)開(kāi)始注意到潛在的風(fēng)險(xiǎn),我們?cè)谌?ldquo;傳統(tǒng)產(chǎn)能”的同時(shí),會(huì)不會(huì)帶來(lái)新的“高科技產(chǎn)能過(guò)剩”風(fēng)險(xiǎn)?這是我們每個(gè)行業(yè)從業(yè)者要認(rèn)
            • 關(guān)鍵字: Fab  GlobalFoundries  

            X-Fab將收購(gòu)已進(jìn)入破產(chǎn)程序法國(guó)專(zhuān)業(yè)晶圓代工廠Altis

            •   模擬、混合訊號(hào)晶圓代工廠X-Fab集團(tuán)于9月30日宣布,將收購(gòu)日前已進(jìn)入破產(chǎn)程序的法國(guó)專(zhuān)業(yè)晶圓代工業(yè)者Altis Semiconductor,借此將可讓Altis Semiconductor免于進(jìn)入破產(chǎn)程序。實(shí)際收購(gòu)價(jià)格方面,X-Fab未進(jìn)一步對(duì)外透露。   根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo),Altis Semiconductor前身為美國(guó)IBM位于巴黎以南約40公里處的晶圓代工廠房,制程包含從8吋(200mm)晶圓產(chǎn)線(xiàn)到約130納米的CMOS制程。X-Fab指出,借由收購(gòu)Altis Semiconductor將有助增
            • 關(guān)鍵字: X-Fab  晶圓  

            X-Fab將收購(gòu)法國(guó)Altis資產(chǎn)

            •   模擬、混合訊號(hào)晶圓代工廠X-Fab集團(tuán)于9月30日宣布,將收購(gòu)日前已進(jìn)入破產(chǎn)程序的法國(guó)專(zhuān)業(yè)晶圓代工業(yè)者Altis Semiconductor,借此將可讓Altis Semiconductor免于進(jìn)入破產(chǎn)程序。實(shí)際收購(gòu)價(jià)格方面,X-Fab未進(jìn)一步對(duì)外透露。   根據(jù)EETimes等外媒報(bào)導(dǎo),Altis Semiconductor前身為美國(guó)IBM位于巴黎以南約40公里處的晶圓代工廠房,制程包含從8吋(200mm)晶圓產(chǎn)線(xiàn)到約130納米的CMOS制程。X-Fab指出,借由收購(gòu)Altis Semicondu
            • 關(guān)鍵字: X-Fab  Altis  

            極特收購(gòu)Twin Creeks Technologies資產(chǎn)

            • 極特先進(jìn)科技公司(GT Advanced Technologies Inc.)(NASDAQ: GTAT)日前宣布,該公司已經(jīng)收購(gòu)了非上市公司Twin Creeks Technologies, Inc.的部分資本資產(chǎn)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)。由Twin Creeks研制的一項(xiàng)離子注入機(jī)技術(shù)可用于生產(chǎn)低成本薄基板,并且可將材料損失(切損)降到最低。
            • 關(guān)鍵字: 極特  Twin  太陽(yáng)能  

            全球fab設(shè)備支出2013年將持平 2014年會(huì)有24%的增長(zhǎng)

            •   全球Fab前道設(shè)備支出額預(yù)計(jì)在2013年將持平,大約在317億美元,2014年會(huì)有24%的增長(zhǎng),至393億美元,見(jiàn)2013年2月底出版的《SEMI全球設(shè)備預(yù)報(bào)》。該預(yù)報(bào)還指出,2013年全球fab廠設(shè)備支出增長(zhǎng)點(diǎn)在于技術(shù)節(jié)點(diǎn)的更新,同時(shí)FAB廠建方面的支出會(huì)增加6.7%且主要集中在中國(guó)。該預(yù)報(bào)參考了2013年超過(guò)180家機(jī)構(gòu)的設(shè)備支出。
            • 關(guān)鍵字: Fab  電子制造  

            全球fab設(shè)備支出2013年將持平 2014年會(huì)有24%的增長(zhǎng)

            •   全球Fab前道設(shè)備支出額預(yù)計(jì)在2013年將持平,大約在317億美元,2014年會(huì)有24%的增長(zhǎng),至393億美元,見(jiàn)2013年2月底出版的《SEMI全球設(shè)備預(yù)報(bào)》。該預(yù)報(bào)還指出,2013年全球fab廠設(shè)備支出增長(zhǎng)點(diǎn)在于技術(shù)節(jié)點(diǎn)的更新,同時(shí)FAB廠建方面的支出會(huì)增加6.7%且主要集中在中國(guó)。該預(yù)報(bào)參考了2013年超過(guò)180家機(jī)構(gòu)的設(shè)備支出。
            • 關(guān)鍵字: Fab  設(shè)備  

            X-FAB發(fā)表XT018獨(dú)立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝

            • X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018,世界首創(chuàng)180奈米200V MOS的獨(dú)立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區(qū)塊能夠整合在單一芯片上,大幅減少了印刷電路板的組件數(shù)量,也避免栓鎖效應(yīng)(latch-up)更提供對(duì)抗電磁干擾的卓越性。
            • 關(guān)鍵字: X-FAB  XT018  MOS  
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            twin fab介紹

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