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            EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> tinyswitch-iii

            超越矽晶 III-V族材料可望生成MOSFET

            •   最高性能的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據(jù)近日在美國(guó)夏威夷檀香山舉行的2014VLSI技術(shù)研討會(huì)上的研究人員們表示,未來,這種MOSFET將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長(zhǎng)而成。   在一場(chǎng)由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產(chǎn)品展示中,美國(guó)加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的MOSFET──這種MOSFET是由在(InP)上的砷化銦鎵(InGaAs)所形成;這種
            • 關(guān)鍵字: III-V族  MOSFET  

            Vitesse為工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)提供一攬子解決方案

            •   為電信網(wǎng)、企業(yè)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)網(wǎng)絡(luò)提供先進(jìn)芯片解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Vitesse Semiconductor公司(納斯達(dá)克股票代碼:VTSS)日前宣布:推出其最新一代的SparX-III?以太網(wǎng)交換芯片,包括VSC7420-04、VSC7421-04和VSC7422-04 等,它們專門為包括樓宇自動(dòng)化、制造自動(dòng)化、智能化交通、智能能源以及視頻監(jiān)控/安防等工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用而優(yōu)化。通過Vitesse全新的SparX-III系列、一攬子以太網(wǎng)硬件和軟件參考系統(tǒng)以及原始設(shè)計(jì)制造商模型,用戶可將其產(chǎn)品上市時(shí)間
            • 關(guān)鍵字: Vitesse  IoT  SparX-III  

            μC/OS-III對(duì)信號(hào)量的改進(jìn)

            • 引言μC/OS是一個(gè)基于優(yōu)先級(jí)調(diào)度的可剝奪型實(shí)時(shí)多任務(wù)內(nèi)核。在多任務(wù)的實(shí)時(shí)內(nèi)核中,信號(hào)量是常用的機(jī)制,可以用...
            • 關(guān)鍵字: μCOS-III  信號(hào)量  實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)  

            使用TinySwitch II實(shí)現(xiàn)開關(guān)電源優(yōu)化的電路設(shè)計(jì)

            • 使用TinySwitchII便于實(shí)現(xiàn)開關(guān)電源的優(yōu)化設(shè)計(jì)。由于其開關(guān)頻率提高到132kHz,因此高頻變壓器允許采用EE13或E...
            • 關(guān)鍵字: TinySwitch  II  開關(guān)電源  電路設(shè)計(jì)  

            一款18W無源PFC的LED照明驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)方案

            • 設(shè)計(jì)特色1、非常高的效率:82%2、元件數(shù)量少:只需40個(gè)元件3、不需要共模電感就能滿足EN55022B對(duì)傳導(dǎo)EMI要求4、...
            • 關(guān)鍵字: 驅(qū)動(dòng)電源    TinySwitch-III    TNY279PN  

            揭秘利用PI Expert v9.0進(jìn)行開關(guān)電源設(shè)計(jì)全過程(1)

            • PIExpertSuite9.0軟件增加了對(duì)其LinkSwitch-PL和LinkSwitch-PHLED驅(qū)動(dòng)器IC以及近期推出的TinySwitch-4...
            • 關(guān)鍵字: LED驅(qū)動(dòng)器    TinySwitch-4    PI  

            開關(guān)電源設(shè)計(jì)筆記:幾分鐘搞定一款LED電源設(shè)計(jì)

            III-V族化合物或?qū)⒃?017年取代硅

            •   加州伯克利大學(xué)教授胡正明確信硅的日子屈指可數(shù),下一代或下下一代人將不會(huì)再使用硅,將會(huì)有更好的材料去取代硅。硅基晶體管無法一直縮小下去,芯片公司已經(jīng)考慮用其它材料取代硅,其中的熱門替代材料包括鍺和半導(dǎo)體化合物III-V。這些材料可能制造出更快耗電更少的晶體管,創(chuàng)造出更致密、更快散熱更好的芯片。   行業(yè)專家估計(jì),轉(zhuǎn)變最早將從2017年開始。新一代的晶體管架構(gòu)將可以讓摩爾定律順利進(jìn)入下一個(gè)十年。
            • 關(guān)鍵字: III-V族化合物    

            用電子技術(shù)最大化太陽(yáng)能電池板輸出功率

            • 太陽(yáng)能離普通消費(fèi)者的距離越來越近了,除了太陽(yáng)能熱水器,現(xiàn)在太陽(yáng)能景觀燈、太陽(yáng)能屋頂、太陽(yáng)能手機(jī)、太陽(yáng)能路...
            • 關(guān)鍵字: 太陽(yáng)能電池    充電控制器    bqTINY-III    

            μC/OS―III對(duì)信號(hào)量的改進(jìn)

            • μC/OS-III是對(duì)μC/OS-II的重大改進(jìn),增加了許多新的特性。在信號(hào)量的使用上,μC/OS—III增加了一些可選的參數(shù),提高了使用的靈活性;新增了任務(wù)內(nèi)嵌的信號(hào)量,可以更高效地和任務(wù)進(jìn)行通信。本文分析對(duì)比μC/OS—II和μC/OS—III中信號(hào)量?jī)?nèi)部結(jié)構(gòu)的差異及新增的特性。
            • 關(guān)鍵字: &mu  C/OS&mdash  III  信號(hào)量  實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)  

            μC/OS-III中的高效時(shí)鐘節(jié)拍管理機(jī)制

            • μC/OS-III中的高效時(shí)鐘節(jié)拍管理機(jī)制,摘要:為了有效管理時(shí)鐘節(jié)拍并確保系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性,mu;C/OS—III不僅增加了一個(gè)專門的系統(tǒng)任務(wù)來管理時(shí)鐘節(jié)拍,而且采用哈希散列表機(jī)制來進(jìn)一步減少時(shí)鐘節(jié)拍處理過程所花費(fèi)的時(shí)間。本文討論mu;C/OS—II在
            • 關(guān)鍵字: &mu  C/OS&mdash  III  時(shí)鐘節(jié)拍管理  哈希散列表  

            路透社:科技帝國(guó)蘋果在2013年將被三星超越

            •   三星盡管時(shí)常經(jīng)歷“抄襲”或是“創(chuàng)新乏力”的指責(zé),但這并不阻礙它創(chuàng)造出機(jī)皇 Galaxy S III,股價(jià)一年上漲 42%(相比之下蘋果股價(jià)去年只上漲了 30%)。拋開以 iWatch 為代表的可穿戴計(jì)算設(shè)備即將出現(xiàn),以及材料科學(xué)進(jìn)步可能產(chǎn)生的可變形設(shè)備,蘋果和三星的未來肯定還是以發(fā)展為主旋律的。   據(jù) 路透社報(bào)道,市場(chǎng)研究分析機(jī)構(gòu) Strategy Analytics 發(fā)布了他們對(duì)于 2013 年全球手機(jī)市場(chǎng)的預(yù)測(cè)。Strategy Analytic
            • 關(guān)鍵字: 三星  Galaxy S III  

            從μC/OS―II到μC/OS―III的各種改進(jìn)

            • 相比μC/OS—II,μC/OS—III做了很多改進(jìn),比如任務(wù)調(diào)度策略、時(shí)間節(jié)拍管理等,不僅消除了μC/OS—II中的一些局限,而且增加了一些全新的功能。本文首先介紹了μC/OS—II的特點(diǎn)與局限,然后介紹了μC/OS—III所做的各種改進(jìn)。
            • 關(guān)鍵字: &mu  C/OS&mdash  II  &mu  C/OS&mdash  III  實(shí)時(shí)內(nèi)核  

            在CodeWarrior編譯環(huán)境下運(yùn)行μC/OS―III

            • μC/OS—II是面向8/16位及低端32位單片機(jī)應(yīng)用的RTOS,而新近推出的μC/OS—Ⅲ則面向高性能32位單片機(jī),如ARM Cortex等。以Cortex—M4為內(nèi)核的Kinetis系列單片機(jī),不僅用于全國(guó)大學(xué)生飛思卡爾杯智能車競(jìng)賽,也用于諸多大學(xué)的嵌入式系統(tǒng)教學(xué),官方提供的開發(fā)環(huán)境是CodeWarrior。本文介紹如何利用CodeWarrior開發(fā)環(huán)境,將μC/OS—III在Kinetis單片機(jī)上運(yùn)行起來,以便將μC/OS&md
            • 關(guān)鍵字: &mu  C/OS&mdash  III  Kinetis CodeWarrior  

            英法Galaxy S III非合約機(jī)用戶收到Android 4.1更新

            •    三星繼續(xù)針對(duì)歐洲的Galaxy S III用戶發(fā)放Android 4.1.1的果凍豆,這次輪到非合約機(jī)了,目前法國(guó)和德國(guó)的非合約機(jī)用戶已經(jīng)收到Android 4.1.1的更新通知。合約機(jī)方面,法國(guó)第三大移動(dòng)運(yùn)營(yíng)商Bouygues的Galaxy S III用戶也收到更新通知。   下面我們來看看近期Galaxy S III的更新日程表:   10月22日: 英國(guó)及愛爾蘭的O2合約機(jī);英國(guó)、意大利、捷克、德國(guó)的Vodafone合約機(jī)。   10月18日: 意大利、英國(guó)、愛爾蘭、奧地利的H
            • 關(guān)鍵字: Galaxy S III  Android  
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