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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> super junction mosfet

            IR推出一系列采用TSOP-6封裝系列產(chǎn)品

            • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術(shù)的器件,適用于電池保護(hù)與逆變器開關(guān)中的負(fù)載開關(guān)、充電和放電開關(guān)等低功率應(yīng)用。
            • 關(guān)鍵字: IR  MOSFET  

            技術(shù)講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件(二)

            • 基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時,可使用“FZ(floatingzone)法”及“EFG(edge-definedfilm-fed...
            • 關(guān)鍵字: 氧化鎵  SiC  功率元件  MOSFET  LED  

            電源設(shè)計小貼士 43:分立器件――一款可替代集成 MOSFET 驅(qū)動器的卓越解決方案

            • 在電源設(shè)計小貼士 #42 中,我們討論了 MOSFET 柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器,并且了解到利用小型 SOT-23 晶體管便可以實現(xiàn) 2A 范圍的驅(qū)動電流。在本設(shè)計小貼士中,我們來了解一下自驅(qū)動同整流器并探討何時需要分
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  驅(qū)動器  卓越  解決方案  集成  替代  設(shè)計  分立  器件  

            一款可替代集成 MOSFET 驅(qū)動器的卓越解決方案

            • 在電源設(shè)計小貼士#42中,我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器,并且了解到利用小型SOT-23晶體管...
            • 關(guān)鍵字: 電源設(shè)計  分立器件  MOSFET  

            飛兆與英飛凌就創(chuàng)新型汽車無鉛封裝技術(shù)達(dá)成協(xié)議

            • 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飛凌的H-PSOF (帶散熱片的小外形扁平引腳塑料封裝) 先進(jìn)汽車MOSFET封裝技術(shù)達(dá)成許可協(xié)議。H-PSOF是符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO無鉛(TO-LL) 封裝 (MO-299)。
            • 關(guān)鍵字: 飛兆  英飛凌  MOSFET  

            英飛凌科技推出全新650V CoolMOS CFDA

            • 英飛凌科技(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出全新650V CoolMOS CFDA,壯大其車用功率半導(dǎo)體產(chǎn)品陣容。這是業(yè)界首個配備集成式快速體二極管的超結(jié)MOSFET解決方案,可滿足最高汽車質(zhì)量認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101。650V CoolMOS CFDA尤其適用于混合動力汽車和純電動汽車的電池充電、直流/直流轉(zhuǎn)換器和HID(高強度放電)照明等諧振拓?fù)洹?/li>
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  MOSFET  

            電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇

            • DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi),必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中,這種
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  選擇  控制器  開關(guān)  系統(tǒng)  電源  

            Power Trench MOSFET讓更高功率密度成可能

            • 引言對于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng),更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點,因為小型高效的電源系統(tǒng)意味著...
            • 關(guān)鍵字: Power  Trench  MOSFET  

            飛兆與英飛凌簽署汽車級封裝工藝許可協(xié)議

            • 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與飛兆半導(dǎo)體公司(NYSE: FCS)近日宣布簽署英飛凌先進(jìn)汽車級MOSFET封裝工藝H-PSOF(帶散熱盤的塑料小外形扁平引腳封裝)——符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO-Leadless封裝(MO-299)——的許可協(xié)議。
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  飛兆  MOSFET  

            可編程大電流熱插拔控制

            • 電路熱插拔控制的目的是為了在一塊正在工作的電路板上添加或“插入”一塊未通電的電路板,不會中斷原電路板正在進(jìn)行的工作狀態(tài),并且同時啟動添加到系統(tǒng)中的那塊電路板的有序上電。主要目的是為了當(dāng)電流轉(zhuǎn)入一塊插入到“正在工作”或帶電的背板或其他電路的電路板時,保護(hù)MOSFET器件。
            • 關(guān)鍵字: 熱插拔  MOSFET  

            MOSFET門極驅(qū)動電壓的優(yōu)化

            • 在同步降壓電源應(yīng)用中,降低MOSFET導(dǎo)通電阻對同步整流器而言十分關(guān)鍵,因為多數(shù)情況下,快速恢復(fù)式整流電...
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  門極驅(qū)動  電壓優(yōu)化  

            電源測試之-MOSFET開關(guān)軌跡線的示波器重現(xiàn)方法

            • MOSFET的開關(guān)軌跡線是判斷MOSFET開關(guān)過程“軟硬”程度的重要評估指標(biāo),MOSFET的軟硬程度對于開關(guān)電源的性能、...
            • 關(guān)鍵字: TDS3000  示波器  MOSFET  

            2016年LED照明領(lǐng)域大功率半導(dǎo)體市場將達(dá)30億美元

            •   據(jù)市場研究機構(gòu)IMS Research的最新報告顯示,2016年,LED照明應(yīng)用領(lǐng)域的全球功率半導(dǎo)體市場預(yù)計將超過30億美元。   報告認(rèn)為,隨著更高效照明需求的增長以及淘汰白熾燈的法令的頒布,LED照明市場快速增長,這將催生一個巨大的大功率LED潛在市場,到2016年,大功率LED出貨量將達(dá)190億個,總值超過30億美元。   LED照明是大功率LED市場發(fā)展的最大機遇,到2016年將可帶動20億美元的功率半導(dǎo)體市場。市面上具有各種不同的電子設(shè)計、要求和規(guī)格的LED燈的產(chǎn)品范圍越來越廣,這也給大
            • 關(guān)鍵字: LED照明  MOSFET  

            集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046(四)

            • 摘要:新推出的全橋移相控制器LM5046,全橋變換器的全部功能,LM5046組成的全橋DC/DC基本電路,內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能,文中一一有分解說明。
              關(guān)鍵詞:全橋移相控制器LM5046;28個PIN腳功能(上接第1
            • 關(guān)鍵字: 控制器  -LM5046  全橋移  驅(qū)動器  MOSFET  集成  

            IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動技術(shù)

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            super junction mosfet介紹

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