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PWM 應(yīng)用中的低電壓反饋
- PWM 應(yīng)用中的低電壓反饋 作者：德州儀器 (TI) 電源控制產(chǎn)品部 Steve Mappus 就低電壓高電流電源應(yīng)用而言，開關(guān)式電源門極驅(qū)動要求特別重要。由于幾個 MOSFET 器件通常并聯(lián)以滿足特定設(shè)計的高電流規(guī)范要求，因此單一集成電路控制器與驅(qū)動器解決方案的方便性就不再是可行的選擇。MOSFET 并聯(lián)可降低漏極到源極的導(dǎo)通電阻，并減少傳導(dǎo)損耗。但是，隨著并聯(lián)器件的增多，門極充電的要求也迅速提高。由于 MOSFET 的內(nèi)部阻抗大大低于驅(qū)動級，因此與驅(qū)動并聯(lián)組合相關(guān)的大多數(shù)功率損耗其形式都表現(xiàn)為
- 關(guān)鍵字： PWM 其他IC 制程
PWM 應(yīng)用中的低電壓反饋
- 就低電壓高電流電源應(yīng)用而言，開關(guān)式電源門極驅(qū)動要求特別重要。由于幾個 MOSFET 器件通常并聯(lián)以滿足特定設(shè)計的高電流規(guī)范要求，因此單一集成電路控制器與驅(qū)動器解決方案的方便性就不再是可行的選擇。MOSFET 并聯(lián)可降低漏極到源極的導(dǎo)通電阻，并減少傳導(dǎo)損耗。但是，隨著并聯(lián)器件的增多，門極充電的要求也迅速提高。由于 MOSFET 的內(nèi)部阻抗大大低于驅(qū)動級，因此與驅(qū)動并聯(lián)組合相關(guān)的大多數(shù)功率損耗其形式都表現(xiàn)為控制器集成電路的散熱。因此，許多單片解決方案的驅(qū)動級由于并聯(lián)組合的關(guān)系都無法有效地驅(qū)動更高的門極充電。
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用PWM放大器實(shí)現(xiàn)400Hz電源
- 介紹了美國Apex Microtechnolgy公司生產(chǎn)的大功率PWM脈寬調(diào)制型放大器的基本工作原理及如何用它來設(shè)計400Hz/115V電源的具體方法。
- 關(guān)鍵字： 電源 400Hz 實(shí)現(xiàn) 放大器 PWM
TMS320F240片內(nèi)PWM實(shí)現(xiàn)D/A擴(kuò)展功能
- 根據(jù)TMS320F240芯片的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，提出一種新穎的基于TMS320F240的PWM輸出，實(shí)現(xiàn)D/A轉(zhuǎn)換擴(kuò)展功能的設(shè)計方法。
- 關(guān)鍵字： 擴(kuò)展 功能 D/A 實(shí)現(xiàn) 片內(nèi) PWM TMS320F240
PWM應(yīng)用中的低電壓反饋
- 2004年6月A版 就低電壓高電流電源應(yīng)用而言，開關(guān)式電源柵極驅(qū)動要求特別重要。由于幾個 MOSFET 器件通常并聯(lián)以滿足特定設(shè)計的高電流規(guī)范要求，因此單一集成電路控制器與驅(qū)動器解決方案就變的不再可行。MOSFET 并聯(lián)可降低漏極到源極的導(dǎo)通電阻，并減少傳導(dǎo)損耗。但是，隨著并聯(lián)器件的增多，柵極充電的要求也迅速提高。由于 MOSFET 的內(nèi)部阻抗大大低于驅(qū)動級，因此與驅(qū)動并聯(lián)組合相關(guān)的大多數(shù)功率損耗，其形式都表現(xiàn)為控制器集成電路的散熱。因此，許多單片解決方案的驅(qū)動級由于并聯(lián)組合的關(guān)系都無法有效地滿足
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