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意法建伍 Fraunhofer聯(lián)合展出DRMTM收音機(jī)原型

建伍公司、弗勞恩霍夫IIS集成電路研究所和意法半導(dǎo)體(ST)聯(lián)袂展示世界數(shù)字廣播Mondiale™收音機(jī)的產(chǎn)品原型在2006年9月1-6日的柏林IFA國(guó)際消費(fèi)電子產(chǎn)品展覽會(huì)上，建伍公司和弗勞恩霍夫研究的展臺(tái)將展出一個(gè)全功能的DRMTM收音機(jī)的產(chǎn)品原型在柏林IFA消費(fèi)電子產(chǎn)品展覽會(huì)上，數(shù)字廣播技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼：STM)與建伍公司以及弗勞恩霍夫集成電路研究所(Fraunhofer IIS)聯(lián)合展出一個(gè)全功能的Digital Radio M
關(guān)鍵字： DAB ST 弗勞恩霍夫建伍數(shù)字廣播消費(fèi)電子消費(fèi)電子

飛利浦半導(dǎo)體變身NXP

50 年的創(chuàng)新與豐富的 IP 組合奠定NXP歐洲第二大半導(dǎo)體公司的堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ) 飛利浦半導(dǎo)體首席執(zhí)行官萬(wàn)豪敦先生宣布，公司將更名為NXP。半導(dǎo)體將從皇家飛利浦獨(dú)立出來(lái)，成為其53年歷史中的一個(gè)里程碑事件。在這一更名通告之前，皇家飛利浦已同 Kohlberg Kravis Roberts & Co. (KKR)、Bain Capital、Silver Lake Partne
關(guān)鍵字： NXP 單片機(jī) 飛利浦嵌入式系統(tǒng) 消費(fèi)電子消費(fèi)電子

ST專為車(chē)用的升級(jí)版32-Mbit閃存芯片

　　意法半導(dǎo)體推出一個(gè)新的專門(mén)為汽車(chē)市場(chǎng)開(kāi)發(fā)的升級(jí)版32-Mbit閃存芯片M58BW32F。新產(chǎn)品因?yàn)槟軌蛟谄?chē)的全程溫度范圍內(nèi)對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行高速存取操作，所以特別適合汽車(chē)客戶對(duì)傳動(dòng)系統(tǒng)和變速器控制模塊的需求，同時(shí)還適用于其它的配備了最新的32位微控制器的高性能汽車(chē)系統(tǒng)。　　　　新產(chǎn)品M58BW32F采用先進(jìn)的0.11微米制造技術(shù)，汲取了ST在獨(dú)立式和嵌入式閃存產(chǎn)品研發(fā)方面多年領(lǐng)先的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)。新產(chǎn)品獲得汽車(chē)級(jí)質(zhì)量認(rèn)證，并符合汽車(chē)電子協(xié)會(huì)的AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)（修訂版），
關(guān)鍵字： ST 單片機(jī) 工業(yè)控制汽車(chē)電子嵌入式系統(tǒng) 閃存芯片意法工業(yè)控制

2006年9月1日，NXP半導(dǎo)體成立

　　2006年9月1日，飛利浦半導(dǎo)體首席執(zhí)行官萬(wàn)豪敦在德國(guó)柏林宣布，公司將更名為NXP。2006年9月4日，飛利浦半導(dǎo)體又在中國(guó)北京召開(kāi)名為“輝煌五十載，再創(chuàng)‘芯’紀(jì)元”的NXP品牌及企業(yè)標(biāo)志新聞發(fā)布會(huì)，正式在中國(guó)發(fā)布新的NXP品牌。
關(guān)鍵字： NXP PHILIPS

意法車(chē)用32-Mbit閃存演繹更高存取性能

新技術(shù)給 M58BW32F帶來(lái)多項(xiàng)重要功能，包括低壓操作、更高存取性能、靈活的保護(hù)機(jī)制意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一個(gè)新的專門(mén)為汽車(chē)市場(chǎng)開(kāi)發(fā)的升級(jí)版32-Mbit閃存芯片M58BW32F。新產(chǎn)品因?yàn)槟軌蛟谄?chē)的全程溫度范圍內(nèi)對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行高速存取操作，所以特別適合汽車(chē)客戶對(duì)傳動(dòng)系統(tǒng)和變速器控制模塊的需求，同時(shí)還適用于其它的配備了最新的32位微控制器的高性能汽車(chē)系統(tǒng)。新產(chǎn)品M58BW32F采用先進(jìn)的0.11微米制造技術(shù)，汲取了ST在獨(dú)立式和嵌入式閃存產(chǎn)品研發(fā)方面多年
關(guān)鍵字： 32bit 32-bit LBGA80封裝 ST 單片機(jī) 高速存取汽車(chē) 汽車(chē)電子嵌入式嵌入式系統(tǒng) 閃存意法半導(dǎo)體封裝汽車(chē)電子

采用ST72F651實(shí)現(xiàn)的安全U盤(pán)

介紹目前市場(chǎng)上興起的U盤(pán)和USB KEY產(chǎn)品，并以ST72F651專用芯片為例，介紹基本型和增強(qiáng)型兩種安全U盤(pán)的軟硬件設(shè)計(jì)原理。ST72F651是ST公司專門(mén)針對(duì)U盤(pán)+USB KEY產(chǎn)品而設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)的一款高性能、低功耗的控制器芯片，用于開(kāi)發(fā)此類(lèi)產(chǎn)品非常方便。此外，還對(duì)安全U盤(pán)的市場(chǎng)前景和應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行了分析。
關(guān)鍵字： F651 651 72F ST

ST推出世界第一個(gè)全集成的GPS低噪放大器IC

新的單片低噪放大器，功能性更強(qiáng)，射頻性能更加優(yōu)異，封裝尺寸更小意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）日前擴(kuò)大了該公司硅單片微波集成電路（MMIC）放大器產(chǎn)品系列，新推出一個(gè)為具有GPS功能的電子設(shè)備設(shè)計(jì)的單片放大器IC。新產(chǎn)品SMA661AS是第一個(gè)集成匹配網(wǎng)絡(luò)和嵌入省電功能的低噪放大器芯片，由于只需一個(gè)外部輸入電容，新IC大幅度降低了材料成本和PCB板占用空間，是一個(gè)理想的成本低廉的尺寸緊湊的GPS低噪放大器（LNA）。這個(gè)全集成的SMA661AS采用ST先進(jìn)的70GHz硅鍺BiCMOS制造工藝
關(guān)鍵字： ST 放大器模擬IC 電源

ST推出微型封裝USB 2.0接口ESD保護(hù)IC

意法半導(dǎo)體日前推出一個(gè)低電容的ESD保護(hù)IC，該產(chǎn)品現(xiàn)有SOT-666和SOT-23兩種微型封裝，用于保護(hù)USB 2.0高速接口的兩條數(shù)據(jù)線路和電源軌。新產(chǎn)品USBLC6-2P6 (SOT-666) 和 USBLC6-2SC6 (SOT-23)的典型電容2.5pF，能夠確保480-Mbit/s數(shù)據(jù)傳輸速率的USB 2.0信號(hào)沒(méi)有任何失真，這兩款產(chǎn)品的防靜電放電防護(hù)電壓達(dá)到IEC61000-4-2 第4級(jí)15kV標(biāo)準(zhǔn)。 USBLC6實(shí)現(xiàn)了
關(guān)鍵字： ST USB 2.0 通訊與網(wǎng)絡(luò) 封裝

ST發(fā)布6位單片電平轉(zhuǎn)換器用于手機(jī)存儲(chǔ)卡

　　意法半導(dǎo)體(ST)日前發(fā)布兩款采用3mm
關(guān)鍵字： 6位單片電平轉(zhuǎn)換器 ST 電源技術(shù) 存儲(chǔ)器

ST車(chē)用大電流功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通電阻

　　意法半導(dǎo)體日前針對(duì)汽車(chē)市場(chǎng)推出新的大電流功率場(chǎng)效應(yīng)MOS晶體管，該產(chǎn)品采用ST最新優(yōu)化的STripFET專利技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了最低的導(dǎo)通電阻。　　據(jù)介紹，STD95N04是一個(gè)40V標(biāo)準(zhǔn)電平的DPAK產(chǎn)品，最大導(dǎo)通電阻RDS(on)6.5mΩ，專門(mén)為DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制、電磁閥驅(qū)動(dòng)器和ABS設(shè)計(jì)的。新產(chǎn)品的典型RDS(on)在5mΩ區(qū)間內(nèi)，能夠滿足標(biāo)準(zhǔn)閾壓的驅(qū)動(dòng)要求。STD95N04符合汽車(chē)電工理事會(huì)組件技術(shù)委員會(huì)針對(duì)汽車(chē)環(huán)境用組件制定的AEC Q101分立器件應(yīng)力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。該組件最大工作
關(guān)鍵字： ST 車(chē)用大電流功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管電源技術(shù) 電阻電位器

ST新一代多片手機(jī)NAND閃存滿足多媒體

　意法半導(dǎo)體(ST)日前推出一個(gè)多片封裝(MCP)的存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合，該系列產(chǎn)品是為滿足第三代手機(jī)和CDMA以及便攜消費(fèi)產(chǎn)品的多媒體應(yīng)用需求而設(shè)計(jì)，這類(lèi)產(chǎn)品要求在更小的空間內(nèi)提供更大的存儲(chǔ)容量。新IC在同一封裝內(nèi)整合了密度達(dá)1Gbit的NAND閃存和512Mbit PSDRAM(低功耗同步動(dòng)態(tài)RAM存儲(chǔ)器)，因?yàn)槭桥c芯片組工具和操作系統(tǒng)廠商合作開(kāi)發(fā)，所以能夠符合手機(jī)制造商的需求，并兼容市場(chǎng)上主要的手機(jī)平臺(tái)。　　市場(chǎng)對(duì)第三代手機(jī)的多媒體應(yīng)用的需求日益提高，目前的機(jī)型都具有拍照、攝像和播放以及上網(wǎng)功
關(guān)鍵字： NAND閃存 ST 電源技術(shù) 移動(dòng)多媒體

ST車(chē)用大電流功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通電阻

　　意法半導(dǎo)體日前針對(duì)汽車(chē)市場(chǎng)推出新的大電流功率場(chǎng)效應(yīng)MOS晶體管，該產(chǎn)品采用ST最新優(yōu)化的STripFET專利技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了最低的導(dǎo)通電阻。　　據(jù)介紹，STD95N04是一個(gè)40V標(biāo)準(zhǔn)電平的DPAK產(chǎn)品，最大導(dǎo)通電阻RDS(on)6.5mΩ，專門(mén)為DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制、電磁閥驅(qū)動(dòng)器和ABS設(shè)計(jì)的。新產(chǎn)品的典型RDS(on)在5mΩ區(qū)間內(nèi)，能夠滿足標(biāo)準(zhǔn)閾壓的驅(qū)動(dòng)要求。STD95N04符合汽車(chē)電工理事會(huì)組件技術(shù)委員會(huì)針對(duì)汽車(chē)環(huán)境用組件制定的AEC Q101分立器件應(yīng)力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。該組件最大工作
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ST率先推出高性能128兆位串行閃存芯片

世界第一大串行閃存廠商利用2位每單元技術(shù) 提高代碼存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)密度，節(jié)省電路板空間和制造成本。意法半導(dǎo)體推出了新的128-Mbit 串行閃存芯片M25P128，新產(chǎn)品主要用于各種高性能的成本敏感的計(jì)算機(jī)和消費(fèi)產(chǎn)品的代碼存儲(chǔ)應(yīng)用。這個(gè)128-Mbit的產(chǎn)品完善了ST現(xiàn)有的代碼存儲(chǔ)產(chǎn)品組合(從512 Kbits到64 Mbits) ，同時(shí)還是這個(gè)市場(chǎng)上同一密度級(jí)別的第一個(gè)串行閃存芯片。 M25P128采用ST經(jīng)過(guò)實(shí)踐證明的先進(jìn)的2位/單元閃存技術(shù)，因?yàn)槊總€(gè)存儲(chǔ)單元保存
關(guān)鍵字： ST 串行閃存芯片模擬技術(shù)

ST推出世界手機(jī)存儲(chǔ)卡單片電平轉(zhuǎn)換器

集成的ESD保護(hù)功能和卡檢測(cè)功能最大限度降低需用外接存儲(chǔ)卡的移動(dòng)設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品的電路板空間需求意法半導(dǎo)體公布兩款采用3 x 3mm µTFBGA25微型封裝的6位電平轉(zhuǎn)換器，新產(chǎn)品用于連接1.8V或2.5V信號(hào)的手機(jī)和3.3V電平的外插存儲(chǔ)卡。ST6G3238E含有ESD保護(hù)電路，能夠?qū)Υ鎯?chǔ)卡接口實(shí)施最高8kV的放電保護(hù)，允許存儲(chǔ)卡直接插入外接存儲(chǔ)器插槽。卡側(cè)每個(gè)輸入引腳上都集成一個(gè)40歐姆的串聯(lián)電阻，以抑制EMI（電磁干擾）噪聲，同時(shí)卡檢測(cè)和寫(xiě)保護(hù)輸入
關(guān)鍵字： ST 模擬技術(shù) 手機(jī)存儲(chǔ)卡存儲(chǔ)器

ST榮獲EDN雜志2005年創(chuàng)新獎(jiǎng)兩項(xiàng)提名

意法半導(dǎo)體宣布其最近發(fā)布的兩款產(chǎn)品從眾多的各類(lèi)后選產(chǎn)品中脫穎而出，闖進(jìn)本年度EDN創(chuàng)新獎(jiǎng)的決賽圈。 ST的SPEAr (結(jié)構(gòu)化處理器增強(qiáng)型體系結(jié)構(gòu)) 系列可配置系統(tǒng)芯片獲得最佳ASSP/SoC提名，STw4141 直流/直流轉(zhuǎn)換器出現(xiàn)在為數(shù)不多的本年度功率IC獎(jiǎng)最終后選產(chǎn)品名單上。EDN的創(chuàng)新獎(jiǎng)授予杰出的電子產(chǎn)品和專業(yè)人員，評(píng)委是由全世界的工程師和工程管理者組成。 “評(píng)選出EDN年度創(chuàng)新獎(jiǎng)中最后決賽產(chǎn)品的晉級(jí)標(biāo)準(zhǔn)似乎很細(xì)微：較低的功率，更低的成本，識(shí)別快速信號(hào)的能力
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