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基于單片SRAM和FPGA的紅外圖像顯示的設計及實現(xiàn)

介紹一種采用單片SRAM和FPGA實現(xiàn)紅外圖像顯示的新方案，并對顯示系統(tǒng)結構、FPGA各功能模塊設計、SRAM的讀/寫時序設計進行了詳細論述。該圖像顯示方案可用于紅外圖像處理系統(tǒng)的硬件調(diào)試和紅外圖像處理效果觀測。
關鍵字：紅外圖像顯示 SRAM FPGA

基于國產(chǎn)龍芯GS32I的小系統(tǒng)的硬件設計

　　一. 引言　　目前，嵌入式系統(tǒng)已經(jīng)滲透到各個領域：工業(yè)控制，軍事國防，消費類電子產(chǎn)品，網(wǎng)絡通信等，但大部分領域的應用都是基于國外各大廠商的嵌入式處理器。在嵌入式領域使用國產(chǎn)芯片，走國產(chǎn)化道路已經(jīng)成為一個迫切需要解決的問題。目前國內(nèi)的芯片主要有星光系列、漢芯系列、神威系列、青鳥嵌入式芯片、方舟系列、龍芯系列等，這些芯片各有自己的特點?！　”驹O計采用了龍芯系列的GS32I SoC處理器，探討并設計如何構造一個小型嵌入式硬件系統(tǒng)，同時兼顧科研與應用兩方面的要求，在該平臺的基礎上可以連接各
關鍵字： GS32I SRAM

車用存儲器市場分析

在“2017慕尼黑上海電子展”前夕的“汽車技術日”上，ISSI技術市場經(jīng)理田步嚴介紹了車用存儲器市場，包括：信息娛樂、ADAS、儀表總成、connectivity telematics四大類。
關鍵字：汽車 SRAM DRAM SDRAM e.MMC 201704

使用QDR-IV設計高性能網(wǎng)絡系統(tǒng)——第三部分

　　在本系列第二部分，我們探討了總線轉換、總線翻轉、地址奇偶校驗等重要的總線問題。在第三也是最后一部分，我們將探討校正問題，其中包括矯正訓練、控制/地址信號校正和讀寫校正，以及糾錯碼(ECC)和QDR-IV存儲器控制器的設計建議?！　⌒Ｕ柧毿蛄小　〈鎯ζ骺刂破骱蚎DR IV較高的工作頻率意味著數(shù)據(jù)有效窗口很窄。QDR-IV器件支持“校正訓練序列”，它可通過減少字節(jié)通道之間的偏差擴大這個窗口，從而在控制器讀取存儲器的數(shù)據(jù)時，增加時序余量。校正訓練序列是賽普拉斯的QDR-IV SRAM的
關鍵字： QDR-IV SRAM

使用QDR-IV設計高性能網(wǎng)絡系統(tǒng)——第二部分

　　總線轉換的注意事項　　總線轉換時間非常重要，其決定了讀和寫指令間是否需要額外的間隔來避免在同一個I/O 端口上發(fā)生總線沖突?！　∠胂笙翾DR-IV HP SRAM 中端口A 先后收到寫指令和讀指令。從CK 信號的上升沿(與初始化寫指令周期相對應)算起，在整整三個時鐘周期后向DQA 引腳提供寫數(shù)據(jù)。讀數(shù)據(jù)則將在下一個周期發(fā)送，因為 DQ從CK 信號的上升沿(與初始化讀指令的周期相應)算起五個時鐘周期后才能獲得數(shù)據(jù)。
關鍵字： QDR-IV SRAM

使用QDR-IV設計高性能網(wǎng)絡系統(tǒng)——第一部分

　　流媒體視頻、云服務和移動數(shù)據(jù)推動了全球網(wǎng)絡流量的持續(xù)增長。為了支持這種增長，網(wǎng)絡系統(tǒng)必須提供更快的線路速率和每秒處理數(shù)百萬個數(shù)據(jù)包的性能。在網(wǎng)絡系統(tǒng)中，數(shù)據(jù)包的到達順序是隨機的，且每個數(shù)據(jù)包的處理需要好幾個存儲動作。數(shù)據(jù)包流量需要每秒鐘訪問數(shù)億萬次存儲器，才能在轉發(fā)表中找到路徑或完成數(shù)據(jù)統(tǒng)計?！　?shù)據(jù)包速率與隨機存儲器訪問速率成正比。如今的網(wǎng)絡設備需要具有很高的隨機訪問速率(RTR)性能和高帶寬才能跟上如今高速增長的網(wǎng)絡流量。其中，RTR是衡量存儲器可以執(zhí)行的完全隨機存儲(讀或寫)的次數(shù)，即隨機存儲速
關鍵字： QDR-IV SRAM

基于QDR-IV SRAM實現(xiàn)高性能網(wǎng)絡系統(tǒng)設計

　　在過去40年里，隨著制造工藝的進步，各種專用存儲設備不斷推向市場，滿足著不同系統(tǒng)的存儲需求。眾多的選擇，意味著系統(tǒng)架構師和設計者可以同時考慮多種方案，根據(jù)應用選擇合適的存儲子系統(tǒng)。尤其是在網(wǎng)絡應用方面，架構師面臨著不斷增加的網(wǎng)絡流量所帶來的挑戰(zhàn)?！　?jù)估計，2015年到2020年期間，網(wǎng)絡流量的年均復合增長率(CAGR)將達到22%，這一增長主要來自于無線設備的爆炸式增長以及不斷增加的視頻用量。由于數(shù)據(jù)包處理的隨機性，網(wǎng)絡傳輸?shù)年P鍵—路由器和交換機的性能將和所使用的存儲子系統(tǒng)的隨機存取性能(以隨機存取
關鍵字： MAC SRAM

STM32硬件調(diào)試詳解

　　STM32的基本系統(tǒng)主要涉及下面幾個部分：　　一、電源　　1)、無論是否使用模擬部分和AD部分，MCU外圍出去VCC和GND，VDDA、VSSA、Vref(如果封裝有該引腳)都必需要連接，不可懸空;　　2)、對于每組對應的VDD和GND都應至少放置一個104的陶瓷電容用于濾波，并接該電容應放置盡量靠近MCU; 3)、用萬用表測試供電電壓是否正確。調(diào)試時最好用數(shù)字電源供電，以便過壓或過流燒壞板子。電壓最好一步一步從進線端測試到芯片供電端?！　《?、復位、啟動選擇　　1)、Boot引腳與JTAG無
關鍵字： STM32 SRAM

基于DBL結構的嵌入式64kb SRAM的低功耗設計

針對嵌入式系統(tǒng)的低功耗要求，采用位線分割結構和存儲陣列分塊譯碼結構，完成了64 kb低功耗SRAM模塊的設計。
關鍵字： SRAM DBL 64 kb

SDR SDRAM（理論篇）

由于SDRAM本身就是一個比較復雜的東西，之前小墨在學這方面東西的時候感覺很是吃力，于是那時候便暫時放下了，知道年后這段時間，小墨又重新拾起這個知識點，想要一口氣把它調(diào)通了，再往下看其他的東西。學SDRAM，理
關鍵字： fpga sram

賽普拉斯的異步SRAM產(chǎn)品系列又添新丁

具有片上錯誤校正代碼的低功耗MoBL器件橫空出世。與沒有ECC功能的SRAM相比，16 Mb SRAM的數(shù)據(jù)可靠性提高了幾千倍，同時可延長手持式設備的電池工作時
關鍵字：賽普拉斯 SRAM MoBL

SRAM在新一代IoT和可穿戴嵌入式設計中的作用

上世紀90年代中期，英特爾決定把SRAM整合到自己的處理器中，這給世界各地的獨立式SRAM供應商帶來“滅頂之災”。最大的SRAM市場(PC 高速緩存)一
關鍵字：可穿戴設備物聯(lián)網(wǎng) SRAM

SRAM簡介及與DRAM/SDRAM的比較

RAMRAM是指通過指令可以隨機的、個別的對各個存儲單元進行訪問的存儲器，一般訪問時間基本固定，而與存儲單元地址無關。RAM的速度比較快，但其保
關鍵字： SRAM DRAM SDRAM 比較

從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例

使用LPC2106的Timer 1 進行的簡單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ，用戶可以從Flash或者SRAM中運行這些代碼。示例展示了ARM構架中中斷是如何操作
關鍵字： Flash SRAM 觸發(fā)中斷

替代閃存的存儲新技術有哪些？

不同存儲器都有其各自的優(yōu)勢和缺點，由消費類產(chǎn)品驅動的存儲器市場在呼喚性能更優(yōu)存儲器技術，當然也要價格便宜。
關鍵字： MRAM SRAM

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sram介紹

　　SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一 [ 查看詳細 ]