- 富士通半導(dǎo)體和SuVolta宣布,通過將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導(dǎo)體的低功耗工藝技術(shù)集成,已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下,SRAM(靜態(tài)隨機存儲)模塊可以正常運行。這些技術(shù)降低能耗,為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術(shù)細(xì)節(jié)和結(jié)果將會在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會議(IEDM)上發(fā)表。
從移動電子產(chǎn)品到因特網(wǎng)共享服務(wù)器,以及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應(yīng)電壓又是決定功耗的重要因素
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富士通 SRAM
- 富士通半導(dǎo)體有限公司和SuVolta,Inc今日宣布,通過將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導(dǎo)體的低功耗工藝技術(shù)集成,已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下,SRAM(靜態(tài)隨機存儲)模塊可以正常運行。這些技術(shù)降低能耗,為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術(shù)細(xì)節(jié)和結(jié)果將會在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會議(IEDM)上發(fā)表。
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富士通 SuVolta SRAM
- 摘要:提出一種新型的6管SRAM單元結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)采用讀/寫分開技術(shù),從而很大程度上解決了噪聲容限的問題,并且該結(jié)構(gòu)在數(shù)據(jù)保持狀態(tài)下,采用漏電流以及正反饋保持?jǐn)?shù)據(jù),從而不需要數(shù)據(jù)的刷新來維持?jǐn)?shù)據(jù)。仿真顯示了正
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單元 設(shè)計 SRAM 功耗 可靠性 新型
- DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的 ...
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SRAM DS1747
- 2011年10月24日,北京訊,加州圣何塞訊——SRAM領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)先者賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達克股票代碼:CY)日...
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SRAM 賽普拉斯 FPGA
- 據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報道,美國科學(xué)家們正在研制一種新的計算機存儲設(shè)備——鐵電晶體管隨機存取存儲器(FeTRAM),其將比現(xiàn)在的商用存儲設(shè)備更快捷,且比占主流的閃存能耗更低。研究發(fā)表在美國化學(xué)學(xué)會的《納米快報》雜志上。
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FeTRAM SRAM
- 嵌入式MIPS32 M4K處理器內(nèi)核SRAM接口應(yīng)用, 在微控制器尺寸和成本的限制下,M4K內(nèi)核內(nèi)部不支持指令高速緩存(I-cache)或數(shù)據(jù)高速緩存(D-cache)的標(biāo)準(zhǔn)功能。本文重點討論的一個內(nèi)容--SRAM接口,這是MIPS32 M4K內(nèi)核的一個標(biāo)準(zhǔn)功能。 M4K內(nèi)核SRAM接口基本描述
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SRAM 接口 應(yīng)用 內(nèi)核 處理器 MIPS32 M4K 嵌入式
- 本文介紹了一種基于微控制器的PLD ICR控制電路,該控制電路結(jié)構(gòu)簡單、占用空間小、性價比較高,適用于需要ICR功能的電子裝置中,該ICR控制電路是為配置ALTERR系列PLD器件來設(shè)計的,稍加屐也適用于XILINX公司的FPGA器件。這個配置電路的主要弱點在于配置速率較慢,只能適應(yīng)用于配置速率要求不高的應(yīng)用。
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SRAM PLD 可重配置 電路
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出具有 32 位總線寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL(更長電池使用壽命)異步 SRAM。這些器件的推出進一步豐富了賽普拉斯業(yè)界領(lǐng)先的 SRAM 產(chǎn)品系列(包括高性能同步、異步和微功耗器件)。這些全新 MoBL SRAM 與 32 位 DSP、FPGA 和處理器配合使用可顯著提升系統(tǒng)性能,從而充分滿足電信、計算機、外設(shè)、消費類產(chǎn)品、醫(yī)療、軍事等領(lǐng)域的應(yīng)用需求。
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賽普拉斯 SRAM
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達克股票代碼:CY)日前宣布推出具有 32 位總線寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL (更長電池使用壽命)異步 SRAM。這些器件的推出進一步豐富了賽普拉斯業(yè)界領(lǐng)先的 SRAM 產(chǎn)品系列(包括高性能同步、異步和微功耗器件)。這些全新 MoBL SRAM 與 32 位 DSP、FPGA 和處理器配合使用可顯著提升系統(tǒng)性能,從而充分滿足電信、計算機、外設(shè)、消費類產(chǎn)品、醫(yī)療、軍事等領(lǐng)域的應(yīng)用需求。
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賽普拉斯 SRAM
- Cortex―M3的SRAM單元故障軟件的自檢測研究,引言
目前,對于存儲單元SRAM的研究都是基于硬件電路來完成,而且這些方法都是運用在生產(chǎn)過程中,但是生產(chǎn)過程并不能完全杜絕SRAM的硬件故障。在其使用過程中,如果SRAM硬件出錯,將導(dǎo)致程序出錯而且很難被發(fā)現(xiàn)
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軟件 檢測 研究 故障 單元 M3 SRAM Cortex
- 互聯(lián)網(wǎng)的飛速發(fā)展極大地促進了高速數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)的需求量增加,同時也促進了更快速的處理器的發(fā)展,推動了存儲器...
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SRAM Spartan3
- QDR SRAM與Spartan3 FPGA的接口設(shè)計,為了滿足當(dāng)前系統(tǒng)和處理器的生產(chǎn)量需求,更新的靜態(tài)存儲器應(yīng)運而生。QDR SRAM就是由Cypress、Renesas、IDT、NEC和Samsung為高性能的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)應(yīng)用而共同開發(fā)的一種具有創(chuàng)新體系結(jié)構(gòu)的同步靜態(tài)存儲器。 1 QDR SRAM的
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接口 設(shè)計 FPGA Spartan3 SRAM QDR
- 北京訊,包括賽普拉斯半導(dǎo)體公司(NASDAQ:CY)和瑞薩電子公司(TSE: 6723)在內(nèi)的QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)。這些新型存儲器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達633兆赫茲(MHz)的時鐘頻率允許。這些器件將與現(xiàn)有的QDR II+器件在管腳、尺寸和功能方面兼容,從而使網(wǎng)絡(luò)交換機、路由器及聚合平臺制造商不必修改電路板設(shè)計,只需提高系統(tǒng)內(nèi)時鐘速度即可大幅改善產(chǎn)品性能?!?/li>
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QDR SRAM
- 摘要:詳細(xì)描述了一種內(nèi)置于AM-OLED顯示驅(qū)動芯片中的單端口SRAM電路的設(shè)計方法,提出了一種解決SRAM訪問時序沖突問題的仲裁算法。同時給出了基于0.18mu;m標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝設(shè)計的一款大小為320x240x18位的SRAM電路。通過
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SRAM 設(shè)計 內(nèi)置 芯片 顯示 驅(qū)動 AM-OLED
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