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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> spi nor flash

            Flash 編程器的FPGA實(shí)現(xiàn)

            • 1 引言 閃速存儲器(FLASH Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等許多優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、辦公設(shè)備、家用電器、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。利用其保存信息的非易失性和在線更新數(shù)據(jù)參數(shù)的特性,可將其作為具有一定靈活性的只讀存儲器(ROM)使用。 現(xiàn)在的數(shù)字電路應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,經(jīng)常遇到大容量的數(shù)據(jù)存儲問題。Flash由于容量大、存儲速度快、體積小、功耗低等諸多優(yōu)點(diǎn),而成為應(yīng)用系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲器件的首選。由于在研制實(shí)時信號處理系統(tǒng)時,需要一塊大容量的Flash來存儲坐標(biāo)變換的數(shù)據(jù)作查找表,因此
            • 關(guān)鍵字: Flash  FPGA  編程  消費(fèi)電子  消費(fèi)電子  

            外掛Flash的引導(dǎo)裝載設(shè)計(jì)

            • 本文所敘述的引導(dǎo)方法在四通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中得到了有效的驗(yàn)證,并且整個過程操作起來非常方便快捷。
            • 關(guān)鍵字: Flash  引導(dǎo)裝載    

            基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲方案的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

            • 1 引言 FLASH(閃速存儲器)作為一種安全、快速的存儲體,具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn),已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其他存儲介質(zhì)有較大區(qū)別,使用FLASH時必須根據(jù)其自身特性,對存儲系統(tǒng)進(jìn)行特殊設(shè)計(jì),以保證系統(tǒng)的性能達(dá)到最優(yōu)。 2 FLASH的特點(diǎn)FLASH是一種非易失性存儲器NVM(Non-Volatile Memory),根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以將其分成NOR FLASH和NAND FLASH兩種。但不管哪一
            • 關(guān)鍵字: FLASH  單片機(jī)  嵌入式系統(tǒng)  數(shù)據(jù)存儲  存儲器  

            MLX90601系列紅外測溫模塊的原理及應(yīng)用

            • 1 引言 一般來說,測溫方式可分為接觸式和非接觸式,接觸式測溫只能測量被測物體與測溫傳感器達(dá)到熱平衡后的溫度,所以響應(yīng)時間長,且極易受環(huán)境溫度的影響;而紅外測溫是根據(jù)被測物體的紅外輻射能量來確定物體的溫度,不與被測物體接觸,具有不擾動被測物體溫度分布場,溫度分辨率高、響應(yīng)速度快、測溫范圍廣,穩(wěn)定性好等特點(diǎn),近年來在汽車電子、航空和軍事上得到越來越廣泛的應(yīng)用。 2 測溫原理概述PWN的全稱是Pulse Width Modulation(脈沖寬度調(diào)制)即通過調(diào)節(jié)脈沖的周期、寬度,以達(dá)到變壓、變頻的目的,
            • 關(guān)鍵字: SPI  測量  測試  紅外測溫  脈沖寬度調(diào)制  模塊  

            分頁燒寫Flash的多頁程序并行自舉方法

            • 以TMS320VC5410為例,介紹對Am29LV200B Flash存儲器進(jìn)行程序分頁燒寫以及上電后多頁用戶程序并行自舉的方法。
            • 關(guān)鍵字: Flash  燒寫  程序  并行    

            用SPI實(shí)現(xiàn)dsPlC與ISD語音芯片的通信

            英特爾擴(kuò)展嵌入式產(chǎn)品進(jìn)入串行閃存市場

            • 中國北京, 2006年6月7日–英特爾(中國)有限公司今天宣布, 將擴(kuò)展其NOR閃存產(chǎn)品線,以滿足不斷增長的數(shù)十億美元嵌入式市場的需要。英特爾公司計(jì)劃引入3伏(3V)版本的英特爾StrataFlash®嵌入式存儲架構(gòu)。英特爾還透露,將以首款串行外圍接口(Serial Peripheral Interface, SPI)產(chǎn)品進(jìn)入迅速發(fā)展的串行閃存領(lǐng)域。 英特爾的上述行動體現(xiàn)了其對NOR嵌入式閃存市場的高度重視。嵌入式閃存目前已被廣泛應(yīng)用到各種消費(fèi)電子
            • 關(guān)鍵字: NOR  消費(fèi)電子  英特爾  消費(fèi)電子  

            大容量串行e-Flash的FPGA配置方案

            • 為配合某電力測量儀表的開發(fā),對Xilinx公司的SpartanII系列FPGA的配置方案進(jìn)行了探索。該方案采用大容量串行e-Flash存儲器MM36SBO10存放FPGA配置文件,MCU讀取該配置文件并在被動串行模式下完成對XC2S30 的在線配置。該方案具有接口簡單、成本低廉、便于移植的優(yōu)點(diǎn)。
            • 關(guān)鍵字: e-Flash  FPGA  大容量  串行    

            常憶推出新型高速SPI閃存

            •  常憶科技(PMC)近日推出100 Mhz 的1Mb、2Mb、4Mb 串行外圍接口(SPI) 內(nèi)存,8Mb及16Mb也將在2006年推出,以供應(yīng)計(jì)算器、PC的BIOS 、LCD monitor、醫(yī)療監(jiān)控器、硬盤、光儲存(ODD)、無線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、打印機(jī)、復(fù)雜可程序邏輯組件(CPLD)/現(xiàn)場可程序門陣列 (FPGA)下載、電玩等制造廠商,提供球最高性能的串行外圍接口(SPI) 之串行閃存。    新一代的PM25LV
            • 關(guān)鍵字: SPI  常憶  高速  閃存  

            基于SPI總線的電能計(jì)量芯片ATT7022及其在配電監(jiān)測終端的應(yīng)用

            • 介紹了高精度電能計(jì)量芯片ATT7022的主要功能、性能比較、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、接口方式及校表方法等,同時對ATT7022在電能配電監(jiān)控終端的應(yīng)用作了簡要闡述。
            • 關(guān)鍵字: 配電  及其  監(jiān)測  終端  應(yīng)用  ATT7022  芯片  SPI  總線  電能  

            常憶針對供應(yīng)程序數(shù)據(jù)儲存推SPI閃存

            •       常憶科技(PMC)近日推出100 Mhz 的1Mb、2Mb、4Mb 串行外圍接口(SPI) 內(nèi)存,8Mb及16Mb也將在2006年推出,以供應(yīng)計(jì)算器、PC的BIOS 、LCD monitor、醫(yī)療監(jiān)控器、硬盤、光儲存(ODD)、無線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、打印機(jī)、復(fù)雜可程序邏輯組件(CPLD)/現(xiàn)場可程序門陣列 (FPGA)下載、電玩等制造廠商,提供球最高性能的串行外圍接口(SPI)&
            • 關(guān)鍵字: SPI  常憶  閃存  數(shù)據(jù)儲存  

            Flash需求旺 模塊廠芯片設(shè)計(jì)公司關(guān)系親密

            •     近年來NAND型Flash應(yīng)用需求發(fā)燒,從隨身碟、記憶卡、MP3,直到最近手機(jī)上使用的小型記憶卡,應(yīng)用范圍不斷延伸,內(nèi)存模塊廠莫不全力搶攻NAND型Flash應(yīng)用產(chǎn)品市場的市場占有率,因此各家模塊廠和NAND型Flash控制芯片設(shè)計(jì)公司的關(guān)系可謂是越來越緊密,其中更不乏模塊廠自掏腰包來投資NAND型Flash設(shè)計(jì)公司。   隨著儲存應(yīng)用熱潮蔓延,不論是讀卡機(jī)、隨身碟或是小型記憶卡等,近幾年增長道驚人,過去消費(fèi)性電子產(chǎn)品市場對隨身碟的需求是從無到有、再到蓬勃發(fā)
            • 關(guān)鍵字: Flash  模塊  

            全球NOR閃存市場05年銷售收入將增長7%

            •     據(jù)外電報(bào)道,據(jù)研究機(jī)構(gòu)Semico研究公司稱,NOR閃存市場將扭轉(zhuǎn)當(dāng)前市場銷售收入下降的局面,在2006年的銷售收入將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的110億美元。然而,在2005年,NOE閃存市場將僅比2004年增長7%。   Semico非易揮發(fā)存儲器服務(wù)經(jīng)理Jim Handy在聲明中稱,NOR閃存目前銷售收入的下降是供需不平衡的結(jié)果。這種不平衡的情況將在2006年得到糾正。由于內(nèi)存產(chǎn)品供過于求,所有的產(chǎn)品的價格都將下跌。NOR閃存也不例外,也將同內(nèi)存市場的產(chǎn)品一起下跌。市
            • 關(guān)鍵字: NOR  

            基于TMS320C54x的便攜存儲設(shè)備設(shè)計(jì)

            • 摘    要:本文介紹了一種以TMS320C54x為核心的移動存儲終端,終端中使用NAND Flash作為存儲器件。討論了TMS320C54x對NAND Flash的編程以及接口設(shè)計(jì)。關(guān)鍵詞:DSP;NAND;Flash 引言移動存儲終端包括手機(jī)、掌上電腦、PDA和數(shù)碼相機(jī)等手持設(shè)備及各種信息家電。在這類產(chǎn)品中既要結(jié)合存儲功能,又需要具備一定的信號處理能力,因此基于DSP芯片的設(shè)計(jì)方案成為這些產(chǎn)品的主流方案。同時,為了降低產(chǎn)品成本,采用具有較高容量/價格比的NAND Fla
            • 關(guān)鍵字: DSP  Flash  NAND  存儲器  
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            spi nor flash介紹

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