- 格羅方德半導體(GlobalFoundries)于今日宣布針對硅鍺(SiGe)高性能技術組合，推出新一代射頻芯片解決方案。該項技術專為需要更優(yōu)性能解決方案的客戶而打造，適用于汽車雷達、衛(wèi)星通信、5G毫米波基站等其他無線或有線通信網絡的應用。
格羅方德半導體的硅鍺 8XP技術是該公司130nm高性能硅鍺系列產品的最新成員，它可協助客戶制定射頻解決方案，以在更遠距離實現更快的數據吞吐量，同時耗能更少。這項先進技術大幅提升了異質結雙極晶體管(HBT)的性能、降低噪聲指數、改善信號完整性并將硅鍺 8XP
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格羅方德 SiGe
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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IBM RF芯片 代工升級 制程技術 SiGe SOI
- 無線技術的便利性已經得到所有人的認可，無線技術的優(yōu)勢也通過技術的不斷演進變得越來越明顯，從而帶動整個無線市場的快速普及。射頻不是一個簡單的元器件，而是一個涉及多個半導體器件的解決方案。
作為這個市場的領導者之一，飛思卡爾半導體提供廣泛的射頻低功率產品組合，滿足目前復雜且具有挑戰(zhàn)性的應用及市場需求。從通用放大器、增益模塊、信號控制產品到功能豐富的低噪聲放大器和高性能RFIC，飛思卡爾利用各種基于III-V的技術和先進的SiGe芯片工藝為客戶提供解決方案，滿足無線基礎設施、無線通信、蜂窩通信、工業(yè)、
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飛思卡爾 SiGe MMZ25333B
- 泰克公司日前宣布，其下一代高性能實時示波器將采用IBM的最新9HP硅鍺 (SiGe) 芯片制造工藝。IBM的第五代半導體技術與早前宣布的正在申請專利的異步時間插值 (Asynchronous Time Interleaving) 技術將使新示波器帶寬達到70 GHz并實現信號保真度改善。
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泰克 示波器 SiGe
- 2.3GHz至4GHz、SiGe下變頻混頻器具有業(yè)內最佳的性能Maxim在2010年IIC上海站重點向觀眾展示了以下應用...
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高線性度 SiGe 變頻混頻器
- 世界領先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)宣布其最新研發(fā)成功、處于業(yè)界領先地位的0.13/0.18微米SiGe工藝技術進入量產。由此成為國內首家、全球少數幾家可以提供0.13/0.18微米SiGe量產工藝的代工廠之一。
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華虹NEC 工藝 SiGe
- MEMS技術自20世紀70年代末80年代初掀起第一輪商業(yè)化浪潮，其后經歷了四次較大的變革。如今，除傳統(tǒng)的應用外，推動第四輪商業(yè)化的其它應用包括一些面向射頻無源元件、在硅片上制作的音頻、生物和神經元探針，以及生化
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技術 MEMS SiGe
- 鍺化硅技術(Silicon germanium)從20世紀80年代問世以來，是一種高于普通硅器件的高頻半導體材料，應用領域非常廣泛，尤其在新一代移動設備中，是良好的高功率放大器，例如：下變頻器、低噪聲放大器（LNA）、前置放大
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SiGe 鍺化硅 測試技術 中的應用
- 2011年9月13日 日本東京訊—高級半導體廠商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出新款SiGe:C異質接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網絡系統(tǒng)、衛(wèi)星無線電及類似應用。本裝置的制程采用全新開發(fā)的硅鍺：碳(SiGe:C)材料 (注2) 并達到領先業(yè)界的低噪聲效能。
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瑞薩 晶體管 SiGe:C HBT
- 本文設計了四種結構的射頻有源電感， 其中包括兩種正電感和兩種負電感。研究結果表明由晶體管構成的有源電感的性能受晶體管的組態(tài)及偏置影響較大。四種電路結構中，由共射放大器與共集放大器級聯反饋構成的有源電感性能較好。采用回轉器原理實現的有源電感，電感值不隨面積減小而減小。改變晶體管的偏置電壓，有源電感具有可調諧性。
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電感 設計 有源 射頻 SiGe HBT 基于
- Maxim推出GPS/GNSS低噪聲放大器(LNA)產品線的最新成員MAX2667/MAX2669。這兩款完全集成的LNA采用Maxim先進的SiGe工藝設計，具有0.65dB的超低噪聲系數，與分立方案或高集成度CMOS方案相比可有效提高接收機的靈敏度和讀取范圍。MAX2667/MAX2669具有業(yè)內最佳的性能、最小的尺寸和最低的電流損耗，是智能手機、個人導航設備(PND)及其它電池供電手持設備的理想選擇。
MAX2667/MAX2669提供不同的線性指標選項，以滿足不同的系統(tǒng)要求。對于要求在存
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Maxim LNA SiGe MAX2667 MAX2669
- 全球領先的硅基射頻 (RF) 前端模塊 (FEM) 和功率放大器 (PA) 供應商SiGe半導體公司 (SiGe Semiconductor) 已獲全球半導體聯盟 (Global Semiconductor Alliance, GSA) 提名為2010年度“最受尊敬的私營半導體企業(yè)獎”之候選者，優(yōu)勝者將于12月9日在硅谷圣克拉拉會議中心舉辦的頒獎晚宴上宣布。
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SiGe 半導體
sige介紹
百科名片
1、英語單詞：sign。n.標記, 符號, 記號, 征兆, 跡象, 征候。v.簽名(于), 署名(于)～, 簽署。2、數學函數之一。3、日本動畫片《火影忍者之疾風傳》主題曲，brown eyed girls 的一首歌曲也叫這個名字。4、同名韓劇
編輯本段英文單詞
名詞sign:
1. a perceptible indication of something not im [
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