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市調公司Semico調整ASIC市場

　　在由Xilinx主辦的會議上市調公司Semico的Richard Wawrzyniak’s作了有關全球ASIC市場的報告。Semico對于傳統(tǒng)的ASIC市場將只有低增長的預測,而可編程邏輯電路(PLD)在帶寬與可移動聯(lián)結等日益增長的需求推動下將有大的發(fā)展?！　?/li>
關鍵字： Xilinx Semico SIC

英飛凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二極管

　　英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無需使用隔離套管和隔離膜，使安裝更加簡易、可靠。　　獨具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的內部結到散熱器的熱阻與標準非隔離TO-220器件類似。這要歸功于英飛凌已獲得專利的擴散焊接工藝，該技術大大降低了內部芯片到管腳的熱阻，有效地彌補了FullPAK內部隔離層的散
關鍵字：英飛凌肖特基二極管 SiC

即將普及的碳化硅器件

　　隨綠色經濟的興起，節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中，人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。　　據統(tǒng)計，60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的，而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅動。在提高電力利用效率中起關鍵作用的是功率器件，也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。　　在這種情況下，性能遠優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
關鍵字：豐田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910

SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

使用國產6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結構的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產SiC襯底的GaN MMIC。
關鍵字： MMIC SiC GaN 襯底

SiC二極管逆變器投入應用，讓燃料電池車更輕

　　日產汽車開發(fā)出了采用SiC二極管的汽車逆變器。日產已經把該逆變器配備在該公司的燃料電池車“X-TRAIL FCV”上，并開始行駛實驗。通過把二極管材料由原來的Si變更為SiC，今后有望實現(xiàn)逆變器的小型輕量化、提高可靠性。對于電動汽車而言，逆變器的大小一直是布局的制約因素之一。　　SiC元件作為具有優(yōu)異特性的新一代功率半導體備受矚目。SiC的絕緣破壞電場比Si大1位數(shù)左右，理論上SiC導通電阻可比Si減小2位數(shù)以上。原因是導通電阻與絕緣破壞電場3次方成反比。導通電阻小，因此可
關鍵字：二極管 SiC 汽車逆變器日產

探討基于SiC集成技術的生物電信號采集方案

　　人體信息監(jiān)控是一個新興的領域，人們設想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經有了，但如何將他們的體積縮小到病人可接受的程度還是一個不小的挑戰(zhàn)。本文介紹采用IMEC的SiC技術，它的開發(fā)重點是進一步縮小集成后的EEG系統(tǒng)體積以及將低功耗處理技術、無線通信技術和能量提取技術整合起來，在已有系統(tǒng)上增加一個帶太陽能電池和能量存儲電路的額外堆疊層，這樣就能構成一套完全獨立的生物電信號采集方案。　　
關鍵字： SiC EEG 生物電信號采集 IMEC

車載SiC功率半導體前景光明逆變器大幅實現(xiàn)小型化及低成本化

　　豐田汽車在“ICSCRM 2007”展會第一天的主題演講中，談到了對應用于車載的SiC功率半導體的期待。為了在“本世紀10年代”將其嵌入到混合動力車等所采用的馬達控制用逆變器中，“希望業(yè)界廣泛提供合作”。如果能嵌入SiC半導體，將有助于逆變器大幅實現(xiàn)小型化及低成本化。　　在汽車領域的應用是許多SiC半導體廠商瞄準的目標，但多數(shù)看法認為，就元器件的成本、性能及可靠性而言，比起在產業(yè)設備以及民用設備上配備，在汽車上配備的障礙更大。該公司雖然沒有透露計劃采用SiC半導體的日期，但表示“到本世紀10年代前
關鍵字：汽車電子豐田 SiC 半導體汽車電子

京大等三家開發(fā)成功SiC外延膜量產技術

京都大學、東京電子、羅姆等宣布，使用“量產型SiC（碳化硅）外延膜生長試制裝置”，確立對SiC晶圓進行大批量統(tǒng)一處理的技術已經有了眉目。由此具備耐高溫、耐高壓、低損耗、大電流及高導熱系數(shù)等特征的功率半導體朝著實用化邁出了一大步。目前，三家已經開始使用該裝置進行功率半導體的試制，面向混合動力車的馬達控制用半導體等環(huán)境惡劣但需要高可靠度的用途，“各廠商供應工程樣品，并獲得了好評”。此次開發(fā)的是SiC外延生長薄膜的量產技術。
關鍵字：消費電子京大 SiC 外延膜消費電子

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sic介紹

SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能. Si [ 查看詳細 ]