sic mosfet 文章 進(jìn)入sic mosfet技術(shù)社區(qū)
Zaptec公司采用意法半導(dǎo)體先進(jìn)的功率技術(shù)，開發(fā)出獨(dú)具特色的便攜式電動汽車充電器
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)的享譽(yù)業(yè)界的碳化硅(SiC)功率元器件，讓高科技創(chuàng)業(yè)公司Zaptec開發(fā)出世界上最小、最智能、最安全的電動汽車充電站ZapCharger。Zaptec是變壓器產(chǎn)業(yè)革命性的創(chuàng)新性初創(chuàng)公司。 作為市場首款內(nèi)置電子變壓器的電動汽車便攜式充電器，ZapCharger可以連接任何電網(wǎng)給任何電動汽車充電。意法半導(dǎo)體的SiC MOSFET[1]碳化硅功率芯片具有非凡的功率轉(zhuǎn)換性能，讓Zaptec工程師得以設(shè)
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 SiC
SiC功率半導(dǎo)體市場將開始高速發(fā)展
- SiC功率半導(dǎo)體正進(jìn)入多個應(yīng)用領(lǐng)域 當(dāng)首款碳化硅(SiC)二極管于2001年推出時，整個產(chǎn)業(yè)都對SiC功率半導(dǎo)體的未來發(fā)展存在疑慮，它會有市場嗎?它能夠真正實(shí)現(xiàn)商業(yè)化嗎?然而15年之后的今天，人們不再會有這樣的疑慮。SiC功率半導(dǎo)體市場是真實(shí)存在的，而且具有廣闊的發(fā)展前景。2015年，SiC功率半導(dǎo)體市場(包括二極管和晶體管)規(guī)模約為2億美元，到2021年，其市場規(guī)模預(yù)計(jì)將超過5.5億美元，這期間的復(fù)合年均增長率預(yù)計(jì)將達(dá)19%。毫無懸念，消耗大量二極管的功率因素校正(powerfactorcor
- 關(guān)鍵字： SiC 功率半導(dǎo)體
住在市區(qū)還是郊區(qū)？考慮采用轉(zhuǎn)換器或控制器調(diào)節(jié)大電流電壓
- 一般來講，尋求更大生活空間的居民會放棄在市區(qū)附近生活。盡管住在市區(qū)上班方便，并能享受城市服務(wù)，但他們更愿意搬到郊區(qū)，因?yàn)槟抢锓孔痈?，院子更寬敞。同樣，?dāng)工程師需要大電流用于負(fù)載點(diǎn)(POL)設(shè)計(jì)時，他們一般會放棄高密度轉(zhuǎn)換器(帶集成MOSFET)的便利，取而代之使用一個更復(fù)雜的涉及控制器(帶外部MOSFET)解決方案?？刂破鳎c郊區(qū)環(huán)境相類似，具有相對的靈活性和經(jīng)濟(jì)性，但會占據(jù)更多不動產(chǎn)，更多的電路板空間。 直到最近，電流超過10-15A的應(yīng)用一般會依賴帶外部MOSF
- 關(guān)鍵字： MOSFET 封裝
關(guān)于MOS管的基礎(chǔ)知識大合集
- 下面對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路。 1，MOS管種類和結(jié)構(gòu) MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。 至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。 對于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開
- 關(guān)鍵字： MOS管 MOSFET
意法半導(dǎo)體(ST)的先進(jìn)碳化硅功率器件加快汽車電動化進(jìn)程
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)在混動汽車和電動汽車(EV，Electric Vehicles)市場發(fā)布了先進(jìn)的高能效功率半導(dǎo)體器件，同時還公布了新產(chǎn)品AEC-Q101汽車質(zhì)量認(rèn)證時間表。 電動汽車和混動汽車通過提高電能利用率來延長續(xù)航里程。意法半導(dǎo)體最新的碳化硅(SiC)技術(shù)讓車企能夠研制續(xù)航里程更長、充電速度更快的電動和混動汽車，使其更好地融入車主的生活。作為碳化硅技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，針對汽車所有主要電氣模塊，意法半導(dǎo)體率先推
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 MOSFET
SiC使通訊電源PFC設(shè)計(jì)更高效、更簡單
- 通訊電源是服務(wù)器，基站通訊的能源庫，為各種傳 輸設(shè)備提供電能，保證通訊系統(tǒng)正常運(yùn)行，通信電源系統(tǒng)在整個通信行業(yè)中占的比例比較小，但它是整個通信網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施，是通信網(wǎng)絡(luò)上一個完整而又不可 替代的關(guān)鍵部件。通信電源產(chǎn)品種類繁多，一般集中放在機(jī)房里，如圖1所示?！ ?nbsp; 圖1：通訊電源機(jī)房 目前主流的通訊電源，其參數(shù)如下： ? 輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz ? 輸出功率：2kw ?
- 關(guān)鍵字： SiC PFC
英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝，進(jìn)一步擴(kuò)大緊湊型門級驅(qū)動產(chǎn)品陣容
- 英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門級驅(qū)動IC產(chǎn)品家族帶來了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能。 全新IC的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅(qū)動高壓功率MOSFET和IGBT而設(shè)計(jì)。目標(biāo)應(yīng)用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動汽車充電站、焊接設(shè)備及商用和農(nóng)用車等。優(yōu)化的
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 SiC-MOSFET
SiC使通訊電源PFC設(shè)計(jì)更高效、更簡單
- 通訊電源是服務(wù)器，基站通訊的能源庫，為各種傳 輸設(shè)備提供電能，保證通訊系統(tǒng)正常運(yùn)行，通信電源系統(tǒng)在整個通信行業(yè)中占的比例比較小，但它是整個通信網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施，是通信網(wǎng)絡(luò)上一個完整而又不可 替代的關(guān)鍵部件。 通信電源產(chǎn)品種類繁多，一般集中放在機(jī)房里，如圖1所示。 圖1：通訊電源機(jī)房 目前主流的通訊電源，其參數(shù)如下： • 輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz • 輸出功率：2kw • 輸出：最大電壓1
- 關(guān)鍵字： 世強(qiáng) SiC
理解超級結(jié)技術(shù)
- 基于超級結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前，高壓器件的主要設(shè)計(jì)平臺是基于平面技術(shù)。但高壓下的快速開關(guān)會產(chǎn)生AC/DC電源和逆變器方面的挑戰(zhàn)。從平面向超級結(jié)MOSFET過渡的設(shè)計(jì)工程師常常為了照顧電磁干擾(EMI)、尖峰電壓及噪聲考慮而犧牲開關(guān)速度。本應(yīng)用指南將比較兩種平臺的特征，以便充分理解和使用超級結(jié)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。 為了理解兩種技術(shù)的差異，我
- 關(guān)鍵字： MOSFET 超級結(jié)結(jié)構(gòu)
意法半導(dǎo)體(ST)新的MOSFET晶體管技術(shù)/封裝解決方案重新定義功率能效
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET為低壓電源設(shè)計(jì)人員提高計(jì)算機(jī)、電信網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)、消費(fèi)電子產(chǎn)品的能效創(chuàng)造新的機(jī)會?！ ∪澜绲娜硕荚讷@取、保存、分享大量的電子書、視頻、相片和音樂文件，數(shù)據(jù)使用量連續(xù)快速增長，運(yùn)行云計(jì)算技術(shù)的服務(wù)器集群、互聯(lián)互通的電信網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)用戶終端設(shè)備的耗電量也隨之越來越高，人們對這些設(shè)備能耗最小化的需求越來越多
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 MOSFET
MOSFET和三極管ON狀態(tài)有什么區(qū)別？
- MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢? 三極管ON狀態(tài)時工作于飽和區(qū)，導(dǎo)通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅(qū)動電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡單的僅 由Vce來決定，即不能采用飽和Rce來表示(因Rce會變化)。由于飽和狀態(tài)下Vce較小，所以三極管一般用飽和Vce表示?！ OS管在ON狀態(tài)時工作于線性區(qū)(相當(dāng)于三極管的飽
- 關(guān)鍵字： MOSFET 三極管
解析IGBT的工作原理及作用
- 本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點(diǎn)?？梢哉f，IGBT是一個非通即斷的開關(guān)，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。
- 關(guān)鍵字： IGBT MOSFET
如何避免LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的MOSFET出現(xiàn)故障
- 為了降低能源成本，設(shè)備設(shè)計(jì)人員正在不斷尋找優(yōu)化功率密度的新方法。通常情況下，電源設(shè)計(jì)人員通過增大開關(guān)頻率來降低功耗和縮小系統(tǒng)尺寸。由于具有諸多優(yōu)勢如寬輸出調(diào)節(jié)范圍、窄開關(guān)頻率范圍以及甚至在空載情況下都能保證零電壓開關(guān)，LLC 諧振轉(zhuǎn)換器應(yīng)用越來越普遍。但是，功率 MOSFET 出現(xiàn)故障一直是LLC 諧振轉(zhuǎn)換器中存在的一個問題。在本文中，我們將闡述如何避免這些情況下出現(xiàn)MOSFET 故障。 初級 MOSFET 的不良體二極管性能可能導(dǎo)致一些意想不到的系統(tǒng)或器件故障，如在各種異常條件下發(fā)生嚴(yán)重的直通
- 關(guān)鍵字： 諧振轉(zhuǎn)換器 MOSFET
完全自保護(hù)MOSFET功率器件分析
- 為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設(shè)計(jì)人員在功率器件中加入故障保護(hù)電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統(tǒng)造成高代價(jià)的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實(shí)現(xiàn)，但是在更多情況下，設(shè)計(jì)人員使用完全自保護(hù)的MOSFET功率器件來完成?！ D1顯示了完全自保護(hù)MOSFET的一般拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這些器件常見的其他特性包括狀態(tài)指示、數(shù)字輸入、差分輸入和過壓及欠壓切斷。高端配置包括片上電荷泵功能。但是，大多數(shù)器件都具備三個電路模塊，即電流限制、溫度限制和漏-源過壓箝制，為器件提供大部分的保護(hù)?！ ?nbsp;&n
- 關(guān)鍵字： MOSFET 功率器件
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