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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> sic mosfet

            是時候從Si切換到SiC了嗎?

            • 在過去的幾年里,碳化硅(SiC)開關器件,特別是SiC MOSFET,已經(jīng)從一個研究課題演變成一個重要的商業(yè)化產(chǎn)品。最初是在光伏(PV)逆變器和電池電動車(BEV)驅(qū)動系統(tǒng)中采用,但現(xiàn)在,越來越多的應用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設備和系統(tǒng)設計中都必須評估SiC在系統(tǒng)中可能的潛力,以及利用這一潛力的最佳策略是什么。那么,你從哪里開始呢?工程師老前輩可能還記得雙極晶體管在SMPS中被MOSFET取代的速度有多快,或者IGBT模塊將雙極達林頓晶體管模塊踢出逆變器的速度有多快。電力電子的驅(qū)動力一直是降低損耗
            • 關鍵字: 英飛凌  SiC  

            [向?qū)捊麕а葸M]:您能跟上寬禁帶測試要求的步伐嗎?

            • _____碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來越高。在電氣方面,這些物質(zhì)比硅和其他典型半導體材料更接近絕緣體。這些物質(zhì)的采用旨在克服硅的局限性,而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料,所以會引發(fā)不良的導電性泄漏,且會隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導電率,相當于半導體運行失效。在這兩種寬禁帶材料中,GaN主要適合中低檔功率實現(xiàn)方案,大約在1 kV和100 A以下。GaN的一個顯著增長領域是它在LED照明中的應用,而且在汽車
            • 關鍵字: MOSFET  IGBT  

            碳化硅MOSFET加速應用于光伏領域 增量市場需求望爆發(fā)

            • 據(jù)報道,近年來,光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來越快。最近,又有兩家廠商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日,德國KATEK集團宣布,其Steca太陽能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導體的GeneSiC系列功率半導體,以提高效率,同時減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術,可以在高溫和高速下運行,壽命最多可延長3倍,適用于大功率和快速上市的應用。1月13日,美國制造商Brek Electronics開發(fā)了采
            • 關鍵字: SiC MOSFET  

            SiC市場產(chǎn)值 今年估增4成

            • 根據(jù)市調(diào)統(tǒng)計,隨著安森美(onsemi)、英飛凌(Infineon)等與汽車、能源業(yè)者合作案明朗化,將推動2023年整體碳化硅(SiC)功率組件市場產(chǎn)值達22.8億美元、年成長41.4%。 主要成長原因在于SiC適合高壓、大電流的應用場景,能進一步提升電動車與再生能源設備系統(tǒng)效率。集邦表示,SiC功率組件的前兩大應用為電動車與再生能源領域,分別在2022年已達到10.9億美元及2.1億美元,占整體SiC功率組件市場產(chǎn)值約67.4%和13.1%。車用方面,安森美與大眾汽車簽屬戰(zhàn)略協(xié)議,另外該系列產(chǎn)品亦被起亞
            • 關鍵字: SiC  

            市場規(guī)模節(jié)節(jié)攀升,第三代半導體成收購的熱門賽道

            • 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導體市場正如火如荼地發(fā)展著,而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日,中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復審核,其對第三代半導體業(yè)務的開拓有了新的進展。3月6日,中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產(chǎn)并募集配套資金暨關聯(lián)交易報告書(草案)(修訂稿)》。根據(jù)該修訂稿,中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式,購買博威公司73.00%股權、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務資產(chǎn)及負債、國聯(lián)萬眾94.6029%股權。事實上,除中瓷電子外,近來還有許多企業(yè)選擇以收購的方式,布局或擴大第三代半導體業(yè)務。2023年3月2
            • 關鍵字: 第三代半導體  收購  SiC  GaN  

            使用集成MOSFET限制電流的簡單方法

            • 電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中,必須防止電流過大,以便為電路提供可靠的保護。同樣在充電寶中,必須防止電池放電。放電電流過高會導致電池的壓降太大和下游設備的供電電壓不足。因此,通常需要將電流限制在一個特定值。大多數(shù)功率轉換器都有過流限制器,以保護其免受額外電流造成的損壞。在一些DC-DC轉換器中,甚至可以調(diào)整閾值。圖1. 每個端口輸出電流為1 A的充電寶中的電流限制。在圖1中,還可以使用具有內(nèi)置甚至可調(diào)節(jié)限流器的DC-DC升壓轉換器。在這種情況下,無需額外的限流器模塊。不過,也有許多應
            • 關鍵字: ADI  MOSFET  

            Ameya360:平面MOSFET與超級結MOSFET區(qū)別

            • 今天,Ameya360給大家介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。因為接下來的幾篇將談超級結MOSFET相關的話題,因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎上,根據(jù)其特征和特性對使用區(qū)分有個初步印象。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍??梢钥闯?,Si-MOSFET在這個比較中,導通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET,但在低~中功率條件
            • 關鍵字: MOSFET  超級結MOSFET  

            新能源汽車時代的半導體材料寵兒——SiC(碳化硅)

            •   前  言  1824年,一種全新的材料被瑞典科學家,貝采里烏斯合成出來,這是一種名為碳化硅的黑色粉末,平平無奇的樣子,仿佛是隨處可見的灰燼,也許誰也沒能想到,就是這一小撮雜質(zhì)般的黑色顆粒,將會在近200年后,在其之上長出絢爛的花朵,幫助人類突破半導體的瓶頸。在人類半導體產(chǎn)業(yè)的起步初期,基于硅(Si)芯片的技術發(fā)展速度卓越,無論是成本還是性能都達到了完美的平衡,自然對于碳化硅(SiC)沒有過多的注意。直到20世紀90年代,Si基電力電子裝置出現(xiàn)了性能瓶頸,再次激發(fā)
            • 關鍵字: SiC  新能源汽車  汽車電子  

            GaN 時代來了?

            • 隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動力總成系統(tǒng)的 SiC 組件使用量減少 75%,預計第三代化合物半導體市場狀況將發(fā)生變化,GaN 被認為會產(chǎn)生后續(xù)替代效應。據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露,這有望使臺積電、世界先進半導體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益,它們已經(jīng)進行了早期部署,并繼續(xù)擴大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達 1200V 的電壓等級,并具備高載流能力,因此非常適合汽車和機車牽引逆變器、高功率太陽能發(fā)電場和大型三相電網(wǎng)
            • 關鍵字: GaN  SiC  

            FPGA 和功率 MOSFET 缺貨現(xiàn)象下半年將持續(xù)

            • 2023 年,半導體和電子元件價格正在穩(wěn)定,但仍有部分產(chǎn)品短缺。
            • 關鍵字: FPGA  MOSFET  

            碳化硅快充時代來臨,800V高壓超充開始普及!

            • 一直以來,“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車脖子的關鍵問題,是車企和車主共同的焦慮;但隨著高壓電氣技術的不斷進步和快充時代的到來,將SiC(碳化硅)一詞推向了市場的風口浪尖。繼2019年4月保時捷Taycan Turbo S 全球首發(fā)三年后,800V高壓超充終于開始了普及。相比于400V,800V帶來了更高的功效,大幅提升功率,實現(xiàn)了15分鐘的快充補能。而構建800V超充平臺的靈魂就是材料的革新,基于碳化硅的新型控制器,便引領著這一輪高壓技術的革命。小鵬發(fā)布的800V高壓SiC平臺Si(硅)早已
            • 關鍵字: 碳化硅  SiC  

            詳解高效散熱的MOSFET頂部散熱封裝

            • 電源應用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD),包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力,同時尺寸較小,從而有助于實現(xiàn)更緊湊的解決方案。盡管這些器件具有良好的功率能力,但有時散熱效果并不理想。由于器件的引線框架(包括裸露漏極焊盤)直接焊接到覆銅區(qū),這導致熱量主要通過PCB進行傳播。而器件的其余部分均封閉在塑封料中,僅能通過空氣對流來散熱。因此,熱傳遞效率在很大程度上取決于電路板的特性:覆銅的面積大小、層數(shù)、厚度和布局。無論電路板是
            • 關鍵字: 安森美  MOSFET  

            銀河微電:功率MOSFET器件已實現(xiàn)Clip Bond技術量產(chǎn)

            • 銀河微電12月20日在互動平臺表示,功率MOSFET器件已實現(xiàn)Clip Bond技術的量產(chǎn);IPM模塊已完成一款封裝的量產(chǎn),未來將根據(jù)市場情況逐步系列化;DFN0603無框架封裝已完成工藝驗證,性能指標符合開發(fā)目標要求;CSP0603封裝已完成技術開發(fā),未來芯片線改擴建時將進行成果轉化。
            • 關鍵字: 銀河微電  MOSFET  

            5大重要技巧讓您利用 SiC 實現(xiàn)高能效電力電子產(chǎn)品!

            • 當您設計新電力電子產(chǎn)品時,您的目標任務一年比一年更艱巨。高效率是首要要求,但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個必須實現(xiàn)的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導體的開關電源,其應用領域包括光伏系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、電動汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC?為了證明您選擇 SiC 作為開關模式設計的首選功率半導體是正確的,請考慮以下突出的特性。與標準或超級結 MOSFET 甚至 IGBT 相比,SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
            • 關鍵字: 安森美  SiC  

            英飛凌與Resonac擴大合作范圍,簽署多年期碳化硅(SiC)材料供應協(xié)議

            • 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)持續(xù)擴大與碳化硅(SiC)供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商,此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署了全新的多年期供應和合作協(xié)議。早在2021年,雙方就曾簽署合作協(xié)議,此次的合作是在該基礎上的進一步豐富和擴展,將深化雙方在SiC材料領域的長期合作伙伴關系。協(xié)議顯示,英飛凌未來十年用于生產(chǎn)SiC半導體的SiC材料中,約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期,Resonac將主要供應6英寸SiC
            • 關鍵字: 英飛凌  Resonac  碳化硅  SiC  
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            sic mosfet介紹

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