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英飛凌推出新一代MOSFET節(jié)能器件
- 英飛凌推出新一代MOSFET節(jié)能器件，助力電源制造商實現(xiàn)能效目標 英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）日前發(fā)布應用于計算機、電信設備和消費電子產(chǎn)品的直流/直流變換器的新一代功率半導體產(chǎn)品家族。全新的OptiMOS® 3 30V N溝道MOSFET家族可使標準電源產(chǎn)品的可靠性和能源效率提高1%至1.3%，并在導通電阻、功率密度和門極電荷等主要功率轉(zhuǎn)換指標上達到業(yè)界領先水平。 許多電源產(chǎn)品，如用于服務器、筆記本電腦、等離子或液晶電視以及游戲機的電源產(chǎn)
- 關鍵字： MOSFET 電源技術 節(jié)能器件 模擬技術 英飛凌
單芯片大電流同步降壓方案助力簡化電源設計
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
- 關鍵字： MOSFET
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- 關鍵字： MOSFET
簡易鋰電池保護IC測試電路的設計
- 由于鋰電池的體積密度、能量密度高，并有高達4.2V的單節(jié)電池電壓，因此在手機、PDA和數(shù)碼相機等便攜式電子產(chǎn)品中獲得了廣泛的應用。為了確保使用的安全性，鋰電池在應用中必須有相應的電池管理電路來防止電池的過充電、過放電和過電流。鋰電池保護IC超小的封裝和很少的外部器件需求使它在單節(jié)鋰電池保護電路的設計中被廣泛采用。 然而，目前無論是正向（獨立開發(fā)）還是反向（模仿開發(fā)）設計的國產(chǎn)鋰電池保護IC由于技術、工藝的原因，實際參數(shù)通常都與標準參數(shù)有較大差別，在正向設計的IC中尤為突出，因此，測試鋰電池保護IC的實
- 關鍵字： MOSFET 電源技術 鋰電池 模擬技術 消費電子 消費電子
TOPSwitch-GX開關電源在牙科X光機中的應用
- 1 引言 TPS54350是德州儀器(TI)新推出的一款內(nèi)置MOSFET的高效DC／DC變換器．采用小型16引腳HISSOP封裝．連續(xù)輸出電流為3 A時，輸入電壓范圍為4．5 V~20 V。該變換器極大地簡化了負載電源管理的設計，使得設計人員可直接通過中壓總線(而不依賴額外的低電壓總線)為數(shù)字信號處理器(DSP)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)及微處理器供電。TPS554350 SWIFT(采用集成FET技術的開關)DC／DC變換器的效率高達90％以上，非常適用于低功耗工業(yè)與商用電源、帶液晶顯示屏(LC
- 關鍵字： MOSFET 電源技術 模擬技術 信號處理 模擬IC 電源
ST高效功率MOSFET晶體管提高照明應用性能
- 意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM)推出了新系列功率MOSFET產(chǎn)品的第一款產(chǎn)品。 通態(tài)電阻極低，動態(tài)特性和雪崩特性非常優(yōu)異，新系列產(chǎn)品為客戶大幅度降低照明應用的傳導損耗、全面提升效率和可靠性帶來了機會。 商用照明應用市場對更高的功率密度和更低的成本的日益增長的需求激勵半導體制造商挑戰(zhàn)器件優(yōu)化的極限。新產(chǎn)品STD11NM60N就是一個這樣的挑戰(zhàn)半導體器件技術極限的實例，該產(chǎn)品采用ST自主開發(fā)的第二代 MDmeshTM 技術，最大通態(tài)電阻 RDS&nb
- 關鍵字： MOSFET ST 電源技術 晶體管 模擬技術 消費電子 意法半導體 照明 消費電子
降低高性能CPU電源中的元件成本
- 新處理器對電源的要求越來越高，快速的負載階躍響應、嚴格的輸出電阻限制以及快速的輸出變化都是必不可少的。因此，選用合適的控制器至關重要。 同樣的控制器，不同的電感和電容 首先來看現(xiàn)有的控制器。對于臺式計算機和一些較大的筆記本電腦來說，具有最小紋波電流的四相控制器為負載階躍提供最快速的響應。但是，必須有足夠高的開關頻率以所需的轉(zhuǎn)換速率來響應負載瞬變，還需要MOSFET來保證低的導通電阻RDSON并且使高頻開關損耗最小。 如果需要提高開關頻率，那么需要增加控制器反饋環(huán)路的帶寬以提供足夠快的響應，可是大
- 關鍵字： MOSFET 電源技術 工業(yè)控制 模擬技術 模擬IC 電源 工業(yè)控制
瑞薩發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標準的第二代 “集成驅(qū)動器MOSFET（DrMOS）”
- 瑞薩科技發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標準的第二代 “集成驅(qū)動器MOSFET（DrMOS）” 實現(xiàn)CPU穩(wěn)壓器應用的業(yè)界最高效能 --與瑞薩科技當前的產(chǎn)品相比，在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過20%的功率損耗— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個驅(qū)動器IC和兩個高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服務器等產(chǎn)品的CPU穩(wěn)壓器（VR）。樣品供貨將從2006年12月在日本開始。 R2
- 關鍵字： DrMOS MOSFET 單片機 電源技術 集成驅(qū)動器 模擬技術 嵌入式系統(tǒng) 瑞薩
Intersil推出新型雙同步降壓穩(wěn)壓器
- Intersil的雙同步降壓穩(wěn)壓器具有集成式MOSFET和高效用戶可配置電源模塊 Intersil的ISL65426提供了2個邏輯可編程或電阻可調(diào)輸出電壓，并提高了每個輸出（2個輸出的總輸出電流為6A）的用戶可編程負載電流的靈活性 Intersil（NASDAQ：ISIL）公司宣布推出高效率雙輸出同步降壓穩(wěn)壓器 - ISL65426。該器件采用薄型QFN封裝，并為2條同步降壓穩(wěn)壓器通道集成了保護功能，使其成為為當今的小型應用供電的理想之選。 ISL65426在1MHz的固定頻率下進行轉(zhuǎn)
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飛兆半導體的 AEC-Q101 低壓 30/40V MOSFET
- 為汽車電子設計提供性能、效率和節(jié)省空間方面的優(yōu)勢 飛兆半導體擴充其低RDS(ON) MOSFET產(chǎn)品系列， 推出11種面向電機控制應用的新型30/40V器件 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 擴充其AEC-Q101認證的30V和40V MOSFET產(chǎn)品系列，推出11種新型器件。這些低壓PowerTrench®MOSFET專為優(yōu)化汽車應用的效率、性能和線路板空間而設計，其應用包括動力轉(zhuǎn)向、集成啟動器/交流發(fā)電機，
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降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的MOSFET選擇
- 同步整流降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器都采用控制器和外接功率MOSFET的結構?？刂破魃a(chǎn)商會在數(shù)據(jù)資料中給出參數(shù)齊全的應用電路，但用戶的使用條件經(jīng)常與典型應用電路不同，要根據(jù)實際情況改變功率MOSFET的參數(shù)。 對功率MOSFET的要求 同步整流降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的輸入及輸出部分電路如圖1所示，它是由帶驅(qū)動MOSFET的控制器及外接開關管(Q1)及同步整流管(Q2)等組成。目前，Q1和Q2都采用N溝道功率MOSFET，因為它們能滿足DC/DC轉(zhuǎn)換器在輸入電壓、開關頻率、輸出電流及減少損耗上的要求。 圖
- 關鍵字： MOSFET 電源技術 模擬技術
Zetex 高電壓MOSFET導通電阻最大僅150mΩ
- Zetex Semiconductors日前推出一款迎合預偏置供應電路要求的新型高電壓MOSFET。 ZXMN0545G4是一款450V強化型N信道器件，可用于簡單的線性調(diào)節(jié)器，在起動階段為脈沖寬度調(diào)變(PWM)集成電路供應所需電壓，然后在轉(zhuǎn)換器完全激活后關掉。相比于其它倚賴電阻器的解決方案，這種以MOSFET為基礎的解決方案有助改善系統(tǒng)效率和減省起動時間。 Zetex亞洲副總裁林博文指出，新MOSFET采用獨特四腳型SOT223封裝，能發(fā)揮最大的抗高壓爬電效能。器件采用嶄新導線
- 關鍵字： MOSFET Zetex 高電壓 電阻 電位器
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