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羅姆買新廠 搶SiC產(chǎn)能
- 全球車用SiC功率組件市場，目前主要由IDM大廠獨霸，根據(jù)統(tǒng)計，全球SiC產(chǎn)能由Wolfspeed、羅姆、貳陸三家公司寡占。其中，羅姆計劃在2025年，將SiC功率半導體的營收擴大至1,000億日圓以上，成為全球市占龍頭。為了達成目標，該公司積極擴充SiC功率半導體的產(chǎn)能，并宣布買下日本一家太陽能系統(tǒng)廠的舊工廠，未來將引進SiC功率半導體8吋晶圓產(chǎn)線到工廠內，預計在2024年底啟動，將使羅姆的SiC功率半導體產(chǎn)能，到2030年增加為2021年的35倍。根據(jù)日本朝日新聞、日經(jīng)新聞等報導，羅姆將從日本的石油公
- 關鍵字： 羅姆 SiC
SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324
- 前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時也分享了安森美在器件開發(fā)的一些特點和進展。到這里大家對于SiC的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對于一個SiC功率器件來說只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發(fā)揮出來，這次我們會從AQG324這個測試標準的角度來看芯片和封裝的開發(fā)與驗證。圖一是SSDC模塊的剖面示意圖，圖二是整個SSDC模塊的結構圖，從圖一和圖二我們可以發(fā)現(xiàn)這個用在主驅的功率模塊還是比較復雜的，里面包含了許
- 關鍵字： SiC Traction模塊 安森美 202311
國內8英寸SiC傳來新進展
- 近年來，汽車、太陽能和電動汽車充電應用及儲能系統(tǒng)等領域對碳化硅半導體產(chǎn)品需求不斷增長，并推動新興半導體材料的發(fā)展。在碳化硅襯底上，國內廠商正加速研發(fā)步伐，如晶盛機電已完成了6英寸到8英寸的擴徑和質量迭代，實現(xiàn)8英寸拋光片的開發(fā)，晶片性能參數(shù)與6英寸晶片相當，今年二季度將實現(xiàn)小批量生產(chǎn)；天科合達計劃在2023年實現(xiàn)8英寸襯底產(chǎn)品的小規(guī)模量產(chǎn)，同時該公司在5月與半導體大廠英飛凌簽訂碳化硅長期供應協(xié)議。近期，科友半導體傳來了新消息。6月22日，科友半導體官微宣布其突破了8英寸SiC量產(chǎn)關鍵技術，在晶體尺寸、厚度
- 關鍵字： 8英寸 SiC 科友半導體
SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案
- 如今，碳化硅用于要求苛刻的半導體應用，如火車、渦輪機、電動汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應用。盡管 SiC 功率器件推動了電動汽車、5G 和物聯(lián)網(wǎng)技術等要求苛刻領域的進步，但高質量 SiC 基板的生產(chǎn)給晶圓制造商帶來了多重挑戰(zhàn)。如今，碳化硅用于要求苛刻的半導體應用，如火車、渦輪機、電動汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應用。盡管 SiC 功率器件推動了電動汽車、5G 和物
- 關鍵字： SiC
中國小型 SiC 廠商，難過 2023
- 2018 年，特斯拉在 Model 3 中首次將 IGBT 模塊換成了 SiC 模塊，成為第一家在量產(chǎn)汽車中使用 SiC 芯片的電動汽車公司。特斯拉的使用結果表明，在相同功率等級下，SiC 模塊的封裝尺寸明顯小于硅模塊，并且開關損耗降低了 75％。換算下來，采用 SiC 模塊替代 IGBT 模塊，其系統(tǒng)效率可以提高 5％左右。一場特斯拉的大風，引燃了 SiC。然而，就在剛剛過去的 3 月份，特斯拉卻突然宣布，下一代的電動車傳動系統(tǒng) SiC 用量大減 75%，因借創(chuàng)新技術找到下一代電動車動力系統(tǒng)減少使用 S
- 關鍵字： SiC
第三代半導體高歌猛進，誰將受益？
- “現(xiàn)在的新車，只要能用碳化硅的地方，便不會再用傳統(tǒng)功率器件”。功率半導體大廠意法半導體（ST）曾以此言表達碳化硅于新能源汽車市場的重要性。當下，在全球半導體行業(yè)的逆流中，第三代半導體正閃爍著獨特的光芒，作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上，各方紛紛加大馬力，堅定下注，一部關于第三代半導體的爭奪劇集已經(jīng)開始上演。一、三代半方興未艾產(chǎn)業(yè)進入高速成長期近日，科學技術部黨組成員、副部長相里斌在2023中關村論壇上表示，2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導體產(chǎn)業(yè)進入下行周
- 關鍵字： 第三代半導體 SiC GaN
泰克推出基于示波器的雙脈沖測試解決方案， 加快SiC和GaN技術驗證速度
- 中國北京，2023年5月31日—— 全球領先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開關器件正推動電動汽車、太陽能、工控等領域快速發(fā)展，泰克WBG-DPT解決方案能夠對寬禁帶器件（如SiC和GaN MOSFETs）提供自動可重復的、高精度測量功能。下一代功率轉換器設計師現(xiàn)在能夠利用WBG-DPT解決方案，滿懷信心地迅速優(yōu)化自己的設計。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運行，并能夠無縫集成到示波器測量系統(tǒng)
- 關鍵字： 泰克 示波器 雙脈沖測試 SiC GaN
投身車電領域的入門課：IGBT和SiC功率模塊
- 2020 年初，疫情期間的封鎖政策并未對電動汽車行業(yè)造成太大影響。2021 年，由于疫情期間人們對電動汽車的需求上升，再加上全球各國政府紛紛采取激勵措施，電動汽車充電站的需求量開始增加。在過去的三年里，電動車領導品牌的銷量紛紛呈現(xiàn)巨幅成長的趨勢。 低成本、低排放汽車的不斷發(fā)展，將推動整個亞太地區(qū)的電動汽車市場實現(xiàn)穩(wěn)步擴張。同時，不斷加碼的政府激勵措施和持續(xù)擴張的高性能車市場也推動著北美和歐洲地區(qū)電動汽車市場的快速增長。因此，根據(jù)MarketsandMarkets 市調數(shù)據(jù)估計，全球電動汽車市場規(guī)模將從 2
- 關鍵字： 車用 電能轉換 車電領域 IGBT SiC 功率模塊
采用增強互連封裝技術的1200 V SiC MOSFET單管設計高能效焊機
- “引言”近年來，為了更好地實現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關于焊機能效的強制性規(guī)定應運而生。經(jīng)改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。?逆變焊機通常是通過功率模塊解決方案設計來實現(xiàn)更高輸出功率，從而幫助降低節(jié)能焊機的成本、重量和尺寸[1]。?在焊機行業(yè)，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢一直是促進持續(xù)發(fā)展的推動力。譬如，多
- 關鍵字： 增強互連封裝技術 SiC MOSFET單管 焊機
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