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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率

與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源于日本信息通信研究機構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員，以論
關鍵字： SiC 講座功率元件氧化鎵

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件（二）

基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
關鍵字：氧化鎵 SiC 功率元件 MOSFET LED

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件（一）

與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源...
關鍵字： SiC 功率元件 GaN 導通電阻

采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號采集

采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號采集,人體信息監(jiān)控是一個新興的領域，人們設想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體積
關鍵字： IMEC SiC 生物電信號采集

世界首家“全SiC”功率模塊開始量產(chǎn)

日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導體元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)構(gòu)成。
關鍵字：羅姆半導體 SiC

用SiC撬動新能源、汽車電子新興市場

由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優(yōu)點，SiC功率器件被廣泛應用于電動汽車/混合動力車中的逆變器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路等領域、傳統(tǒng)工業(yè)(尤其是軍工)中的功率轉(zhuǎn)換領域以及太陽能、風能等新能源中的整流、逆變等領域，很多半導體廠商都看好SiC技術(shù)的未來，并積極投身其中，在08年收購生產(chǎn)SiC晶圓的德國SiCrystal公司之后，羅姆半導體(ROHM)已經(jīng)在SiC領域形成了從晶圓制造、前期工序、后期工序再到功率模塊的一條龍生產(chǎn)體系，并率先市場SiC器件的量產(chǎn)，羅姆要將SiC器件應用于哪些新興領域?如何發(fā)揮其
關鍵字：羅姆太陽能 SiC

瑞薩電子推出三款低損耗碳化硅功率器件

全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)復合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結(jié)合了多個碳化硅二極管和多個功率晶體管，組成電源轉(zhuǎn)換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個功率半導體產(chǎn)品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電(如空調(diào))、PC服務器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產(chǎn)品。
關鍵字：瑞薩電子功率器件 SiC

科銳推出芯片型碳化硅功率器件

碳化硅(SiC)功率器件領域的市場領先者科銳公司將繼續(xù)引領高效率電子電力模組變革，宣布推出業(yè)界首款符合全面認證的可應用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科銳碳化硅ZFET MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路，與傳統(tǒng)硅器件相比，可實現(xiàn)更高的能源效率。
關鍵字：科銳 SiC MOSFET

羅姆與APEI聯(lián)合開發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業(yè)設備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI　HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設計，由于最大限度地利用了SiC器件的特點，從而大幅改善了電氣特性、機械特性，同時實現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
關鍵字：羅姆 SiC MOS

羅姆開發(fā)出世界首家壓鑄模類型SiC功率模塊

日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV/HEV車(電動汽車/混合動力車)和工業(yè)設備的變頻驅(qū)動，開發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開發(fā)的高耐熱樹脂，世界首家實現(xiàn)了壓鑄模類型、225℃高溫下工作，并可與現(xiàn)在使用Si器件的模塊同樣實現(xiàn)小型和低成本封裝，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
關鍵字：羅姆 SiC

羅姆半導體： “四大戰(zhàn)略”迸發(fā)強勁動力

據(jù)羅姆中國營業(yè)本部村井美裕介紹，面對未來的50年，羅姆提出了“相乘戰(zhàn)略”、“功率器件戰(zhàn)略”、“LED戰(zhàn)略”和“傳感器戰(zhàn)略”四大企業(yè)戰(zhàn)略。
關鍵字：羅姆 SiC LED

富士電機擬擴增SiC功率半導體產(chǎn)線

　　富士電機計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導體，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設一條產(chǎn)線，此為該公司首次在自家工廠設置碳化硅功率半導體的產(chǎn)線，未來預計在2012年春季開始量產(chǎn)。　　
關鍵字：富士電機 SiC

SiC寬帶功率放大器模塊設計分析

引言　　隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展，功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對抗的關鍵技術(shù)。作為第三代半導體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導率、高擊穿場
關鍵字：設計分析模塊功率放大器寬帶 SiC

SiC寬帶功率放大器模塊設計

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
關鍵字： SiC 寬帶功率放大器模塊設計放大電路

利用SiC大幅實現(xiàn)小型化安川電機試制新型EV行駛系統(tǒng)

安川電機試制出了利用SiC功率元件的電動汽車（EV）行駛系統(tǒng)（圖1）。該系統(tǒng)由行駛馬達及馬達的驅(qū)動部構(gòu)成。通過...
關鍵字：安川電機 EV行駛系統(tǒng) SiC

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sic 介紹

SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能. Si [ 查看詳細 ]