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DDR測試技術(shù)和工具是否跟上了時代步伐？
- DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計算機系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機的采納，DDR內(nèi)存儼然成為智能手機轉(zhuǎn)變的方向之一，例如韓國泛泰去年底最新推出的Android智能手機Vega X就搭載了512MB的DDR2內(nèi)存。 DDR技術(shù)不斷發(fā)展，并行總線達到了串行技術(shù)的速度，時鐘速度達到1GHz。目前，DDR3現(xiàn)在已經(jīng)具備1.6Gb/s的數(shù)據(jù)速率，而DDR3-1866及更高速率版本正在開發(fā)中，很快就會出現(xiàn)在市場上。
- 關(guān)鍵字： SDRAM DDR測試
基于FPGA與SDRAM的數(shù)字電視信號采集系統(tǒng)的設(shè)計與實
- 要FPGA與的數(shù)字信號采集系統(tǒng)?？梢蕴峁┐笕萘康拇鎯臻g。提供優(yōu)秀的系統(tǒng)適應(yīng)能力。該方案通過計算機并口實現(xiàn)與計算機的通信 ,但是高性能的邏輯分析儀價格昂貴,而且存取深度不足限制了對于海量數(shù)字電視信號的分析能力
- 關(guān)鍵字： SDRAM FPGA 數(shù)字電視信號 采集系統(tǒng)
一種基于FPGA的立體視頻轉(zhuǎn)換系統(tǒng)研究設(shè)計
- 自由立體顯示器是一種無需佩戴輔助裝置就能觀看三維立體效果的顯示器。由于立體顯示器能夠真實還原三維...
- 關(guān)鍵字： FPGA 立體視頻轉(zhuǎn)換 SDRAM DVI
基于SDRAM文件結(jié)構(gòu)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)
- 基于SDRAM文件結(jié)構(gòu)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng),O 引言 面對不同的應(yīng)用場景，原始采樣數(shù)據(jù)可能包含多種不同樣式的信號，這給傳統(tǒng)基于連續(xù)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)帶來了挑戰(zhàn)。除此之外，由于對不同信號的處理往往需要不同的數(shù)據(jù)幀結(jié)構(gòu)，緩存系統(tǒng)的設(shè)計需要保存原
- 關(guān)鍵字： 方式 數(shù)據(jù) 系統(tǒng) 存儲 結(jié)構(gòu) SDRAM 文件 基于
茂德、鈺創(chuàng)攜手進軍SDRAM
- 臺系DRAM廠陸續(xù)啟動多角化產(chǎn)品線策略，近期茂德悄悄與鈺創(chuàng)進行結(jié)盟，將在中科12寸晶圓廠為鈺創(chuàng)代工高容量256Mb DDR2產(chǎn)品，采用72納米制程，目前已進入試產(chǎn)，這是茂德跨入消費性電子市場重要里程碑，對鈺創(chuàng)而言，亦在SDRAM產(chǎn)能吃緊情況下獲得及時雨。 2008~2009 年DRAM產(chǎn)業(yè)低潮雖然僅淘汰歐系奇夢達(Qimonda)，但各家DRAM業(yè)者都意識到太過執(zhí)著于標準型DRAM產(chǎn)品，終究是一條不歸路，因此自 2010年開始，陸續(xù)傳出DRAM廠開始布局非標準型DRAM產(chǎn)品領(lǐng)域，包括SDRAM、
- 關(guān)鍵字： Qimonda DRAM SDRAM
力晶王其國：DRAM制程難度提升 摩爾定律放緩
- 力晶總經(jīng)理王其國表示，目前12寸晶圓廠不論在標準型DRAM或是代工業(yè)務(wù)如LCD驅(qū)動IC芯片、SDRAM產(chǎn)品上，產(chǎn)能都相當吃緊，未來DRAM業(yè)者在轉(zhuǎn)制程和蓋新廠上，會因為財務(wù)問題而放緩腳步，因此短期內(nèi)不擔(dān)心供過于求的問題，尤其是相當看好智能型手機(Smart Phone)對于DRAM產(chǎn)能的消耗量，算是殺手級的應(yīng)用，對于未來DRAM產(chǎn)業(yè)看法相當正面。 王其國表示，過去摩爾定律認為每隔18個月晶圓產(chǎn)出數(shù)量可多出1倍，但未來隨著DRAM產(chǎn)業(yè)制程技術(shù)難度增加，制程微縮的腳步放緩，可能較難達成，加上現(xiàn)在轉(zhuǎn)進
- 關(guān)鍵字： 力晶 SDRAM DRAM
三星跳電 存儲器產(chǎn)業(yè)鏈繃緊神經(jīng)
- 三星電子(Samsung Electronics)韓國器興廠24日下午停電約1小時，雖然三星官方指出影響不大，但業(yè)界對于已極度缺貨的DRAM市場相當緊張，甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響，尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲器零組件都供貨吃緊，三星跳電事件恐讓存儲器供應(yīng)鏈出現(xiàn)供貨排擠效應(yīng)。 三星器興廠發(fā)生停電意外，在啟動不斷電系統(tǒng) (UPS)后，1小時內(nèi)便恢復(fù)運作，估計此事件對公司營運影響不大。 存儲器業(yè)者指出，這次三星受影響廠區(qū)
- 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM SDRAM 存儲器
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