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run-from-flash 文章 進(jìn)入run-from-flash技術(shù)社區(qū)
NAND Flash上均勻損耗與掉電恢復(fù)在線測(cè)試

- 摘要 NAND Flash以其大容量、低價(jià)格等優(yōu)勢(shì)迅速成為嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)的新寵,因此其上的文件系統(tǒng)研究也日益廣泛,本文簡(jiǎn)要介紹了常用的NAND Flash文件系統(tǒng)YAFFS,并針對(duì)YAFFS在均勻損耗和掉電恢復(fù)方面進(jìn)行在線測(cè)試。在給出測(cè)試結(jié)果的同時(shí),著重研究嵌入式軟件測(cè)試方案和方法;對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行分析,并提出改進(jìn)方案和適用環(huán)境。 關(guān)鍵詞 NAND Flash 均勻損耗 軟件測(cè)試 YAFFS 引 言 隨著嵌入式技術(shù)在各種電子產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用,嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和管理已經(jīng)成為一個(gè)重要
- 關(guān)鍵字: NAND Flash 均勻損耗 軟件測(cè)試 YAFFS
Flash 單片機(jī)自編程技術(shù)的探討
- ???????核心器件:?MSP430? ??? ???????1?MSP430芯片F(xiàn)lash存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)? ???????Flash存儲(chǔ)器模塊是一個(gè)可獨(dú)立操作的物理存儲(chǔ)器單元。全部模塊安排在同一個(gè)線性地址空間中,一個(gè)
- 關(guān)鍵字: Flash 單片機(jī) 自編程
NAND和NOR flash詳解
- NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。
- 關(guān)鍵字: NAND NOR flash
TMS320C64x的16-bit Flash加載的可行性分析與實(shí)現(xiàn)

- l 引言 在仿真環(huán)境下調(diào)試DSP板程序之后,還有一項(xiàng)重要的工作要做:怎樣實(shí)現(xiàn)程序代碼的脫機(jī)加載。TMS320C6000系列DSP提供了3種引導(dǎo)方式:不加載、HPI加載以及Flash (ROM)加載。實(shí)際應(yīng)用中,多采用外接Flash來(lái)加載程序代碼。此種方法簡(jiǎn)單、靈活、成本低,因而受到廣大工程技術(shù)人員的青睞。由于開(kāi)發(fā)的DSP系統(tǒng)應(yīng)用板最終要脫離仿真器獨(dú)立運(yùn)行,而TMS320C64x系列DSP本身不帶這樣的存儲(chǔ)體,掉電后程序及數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。這就需要1個(gè)能在斷電后保存程序及初始化數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)體。Flash
- 關(guān)鍵字: TMS320C64x Flash
內(nèi)存產(chǎn)業(yè)2008年再纏斗 戰(zhàn)線不斷擴(kuò)大
- 快閃內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在2007年有點(diǎn)出乎各界意料,整個(gè)產(chǎn)業(yè)的高點(diǎn)反而是落在第一季底,第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦,大家的發(fā)展反而綁手綁腳,一路往下滑;2007下半年不但沒(méi)有傳統(tǒng)的消費(fèi)性電子產(chǎn)品旺季出現(xiàn),反而NAND Flash價(jià)格劇烈的忽上忽下,可說(shuō)是一團(tuán)混亂,終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢(shì),雖然大家對(duì)于「寒流」來(lái)襲,都已有心理準(zhǔn)備,但仍是不敢大意。 TRI觀點(diǎn): 2007年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的變化多端,出乎大家的意料,然而其中影響甚巨的一個(gè)事件,就是Samsun
- 關(guān)鍵字: 內(nèi)存 NAND Flash MCU和嵌入式微處理器
2008:巨型晶圓廠初露鋒芒
- 以DRAM和Flash為代表的存儲(chǔ)器平均銷售價(jià)格(ASP)自去年年初以來(lái)經(jīng)歷了令人震驚的下滑。隨著現(xiàn)貨價(jià)格與合約價(jià)格不斷創(chuàng)下新低,價(jià)格壓力充斥著整個(gè)上一季度。由于價(jià)格走低,對(duì)于NAND閃存等存儲(chǔ)器的需求正在升溫。呈井噴之勢(shì)的預(yù)測(cè)數(shù)字顯示出我們當(dāng)前正處在黎明前的黑暗階段,一個(gè)巨大而不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)即將出現(xiàn)。某些預(yù)測(cè)顯示NAND閃存需求量將從2006年7,370億兆字節(jié)增長(zhǎng)至2011年的33.5萬(wàn)億兆字節(jié)。 大舉擴(kuò)產(chǎn)NAND閃存 低價(jià)同時(shí)也推動(dòng)了需求的增長(zhǎng),使得部分廠商出現(xiàn)供給不足。以東芝(To
- 關(guān)鍵字: DRAM Flash 三星 MCU和嵌入式微處理器
采用AVR Flash微控制器的電動(dòng)車窗防夾系統(tǒng)
- 汽車上可自動(dòng)關(guān)閉的電動(dòng)車窗或車門(mén)設(shè)備潛藏著卡死,擠壓以及可能傷人的危險(xiǎn)。它們必須能夠反向移動(dòng)以防止馬達(dá)所施加的力超出正常限制。這種特性意味著必須持續(xù)監(jiān)視速度、電流和玻璃的位置。 由于成本和簡(jiǎn)化的原因,本文所描述的系統(tǒng)使用普通的帶有霍爾效應(yīng)傳感器的刷式馬達(dá)?;谒俣群团ぞ貙?dǎo)數(shù)的檢測(cè)算法已通過(guò)健壯性和容錯(cuò)性的驗(yàn)證。該算法可用于所有帶有A/D 轉(zhuǎn)換器和通過(guò)變化引發(fā)中斷的I/O 口的AtmelAVR Flash 微控制器。本文描述的是基本原理,Atmel網(wǎng)站上的應(yīng)用筆記有關(guān)于實(shí)現(xiàn)的詳細(xì)描述。 現(xiàn)代
- 關(guān)鍵字: AVR Flash 微控制器 汽車電子控制裝置
NAND Flash進(jìn)軍NB/PC應(yīng)用領(lǐng)域 借以擴(kuò)大市占率
- 拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對(duì)NAND Flash應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)表研究報(bào)告指出,2008年起,除了由原手持式消費(fèi)電子產(chǎn)品將繼續(xù)大量采用NAND Flash作為儲(chǔ)存裝置外,NAND Flash將通過(guò)NB與PC的采用,以混合式硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的產(chǎn)品型態(tài),逐步擴(kuò)大市場(chǎng)占有率,市場(chǎng)需求將從2007年的6.7%增長(zhǎng)至15.3%。 拓墣表示,NAND Flash在過(guò)去幾年快速擴(kuò)充產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域,從2004年產(chǎn)品應(yīng)用比例最高的數(shù)碼相機(jī),到2006年MP3 Pla
- 關(guān)鍵字: NAND Flash SSD MCU和嵌入式微處理器
基于FPGA的串行Flash擴(kuò)展實(shí)現(xiàn)
- 1 引言 FPGA憑借其方便靈活、可重復(fù)編程等優(yōu)點(diǎn)而日益被廣泛應(yīng)用;閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點(diǎn),在眾多領(lǐng)域中也獲得了廣泛應(yīng)用。在現(xiàn)代數(shù)字電路設(shè)計(jì)中。經(jīng)常需要保存大量數(shù)據(jù),而Flash存儲(chǔ)速度快、體積小、功耗低且價(jià)格低廉,可在線電擦寫(xiě),信息在掉電后不會(huì)丟失,因此成為設(shè)計(jì)人員的首選。 2 M25P80的介紹 Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM,可以分為兩大類:并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲(chǔ)量大,速度快;而串行Fl
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) FPGA Flash 串 MCU和嵌入式微處理器
基于FPGA的串行Flash擴(kuò)展實(shí)現(xiàn)
- 1 引言 FPGA憑借其方便靈活、可重復(fù)編程等優(yōu)點(diǎn)而日益被廣泛應(yīng)用;閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點(diǎn),在眾多領(lǐng)域中也獲得了廣泛應(yīng)用。在現(xiàn)代數(shù)字電路設(shè)計(jì)中。經(jīng)常需要保存大量數(shù)據(jù),而Flash存儲(chǔ)速度快、體積小、功耗低且價(jià)格低廉,可在線電擦寫(xiě),信息在掉電后不會(huì)丟失,因此成為設(shè)計(jì)人員的首選。 2 M25P80的介紹 Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM,可以分為兩大類:并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲(chǔ)量大,速度快;而串行Fl
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) FPGA Flash 存儲(chǔ)器 MCU和嵌入式微處理器
大容量NAND Flash K9T1G08U0M在網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)中的應(yīng)用
- 1 引言 隨著嵌入式系統(tǒng)廣泛應(yīng)用,嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)管理則成為設(shè)計(jì)人員考慮的重點(diǎn)。在許多現(xiàn)場(chǎng)不可達(dá)數(shù)據(jù)采集應(yīng)用中采用分布式數(shù)據(jù)存儲(chǔ),必然帶來(lái)數(shù)據(jù)管理的不便,因此,集中管理數(shù)據(jù)成為一種思路。利用成熟的網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù)集中分布式嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù),采用C/S模式管理數(shù)據(jù)。對(duì)于大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ),選擇介質(zhì)存儲(chǔ)是需要重點(diǎn)考慮的問(wèn)題。目前大多采用IDE硬盤(pán)或SCSI硬盤(pán)存儲(chǔ),但都存在抗震和抗電磁干擾能力差、使用溫度范圍窄,無(wú)法長(zhǎng)期在惡劣的環(huán)境中長(zhǎng)期工作。電子式Flash存儲(chǔ)器具有速度快、容量大、成本低、體積
- 關(guān)鍵字: 通訊 無(wú)線 網(wǎng)絡(luò) NAND Flash K9T1G08U0M MCU和嵌入式微處理器
年終旺季需求支撐,NAND FLASH合約價(jià)短期平穩(wěn)
- 11月上旬NAND Flash合約價(jià)格大致跌幅約為0-5%,比前兩個(gè)月跌幅明顯縮小,主要是因?yàn)橄掠慰蛻粼?0月已陸續(xù)進(jìn)行降低庫(kù)存的動(dòng)作,加上市場(chǎng)預(yù)期11月中旬要開(kāi)始準(zhǔn)備年底旺季的備貨需求,根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)觀察,NAND Flash價(jià)格走勢(shì)在11月初已經(jīng)出現(xiàn)止跌回穩(wěn)的現(xiàn)象。 隨著NAND Flash供貨商5X納米制程產(chǎn)品供應(yīng)量提高后,下游客戶采購(gòu)顆粒開(kāi)始轉(zhuǎn)向以8Gb和16Gb MLC為主流,導(dǎo)致TSOP 4G MLC顆粒跌幅約為11%,相較于其它規(guī)格來(lái)得顯著。有鑒于9月以來(lái)
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) NAND Flash microSD 嵌入式
奧地利微電子為代工用戶擴(kuò)展CMOS、高壓、高壓FLASH和RF多項(xiàng)目晶圓服務(wù)
- 奧地利微電子的全方位服務(wù)晶圓代工廠業(yè)務(wù)部推出一份更加全面的 2008 年度時(shí)間表,擴(kuò)展了其具有成本效益的、快速的專用集成電路(ASIC)原型服務(wù),即所謂以多項(xiàng)目晶圓 (MPW) 或往復(fù)運(yùn)行(shuttle run)。該服務(wù)將來(lái)自不同用戶的若干設(shè)計(jì)結(jié)合在一個(gè)晶圓上,有助于眾多不同的參與者分?jǐn)偩A和掩膜成本。 RF多項(xiàng)目晶圓服務(wù) 奧地利微電子的 MPW 服務(wù)包括基于 TSMC(臺(tái)積電)0.35µm CMOS 工藝的全程0.35µm尺寸工藝。兼容 SiGe BiCMOS
- 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子 奧地利微電子 CMOS FLASH MCU和嵌入式微處理器
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