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終端需求疲軟 NAND Flash合約價(jià)大跌
- 第2季NAND Flash終端需求太差，新出爐合約報(bào)價(jià)大跌超過10%，內(nèi)存模塊廠表示，合計(jì)整個(gè)5月現(xiàn)貨報(bào)價(jià)跌幅達(dá)20%，合約價(jià)合計(jì)跌幅也超過15%，反映終端需求確實(shí)需要新刺激，目前市場是底部已臨，靜待反彈階段;展望第3季，市場認(rèn)同威剛董事長陳立白的基調(diào)，預(yù)期第3季仍會(huì)比第2季好一些，但市場不至于會(huì)有缺貨或價(jià)格飆漲的情況發(fā)生。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND Flash
flash接口電路的實(shí)現(xiàn)
- flash接口電路的實(shí)現(xiàn),0引言
我們?cè)谶M(jìn)行嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，根據(jù)需求，要設(shè)計(jì)出特定的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)，而嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)包含硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)和軟件系統(tǒng)設(shè)計(jì)兩個(gè)部分，并且這兩部分設(shè)計(jì)是互相關(guān)聯(lián)、密不可分的，嵌入式應(yīng)用系 - 關(guān)鍵字： 實(shí)現(xiàn) 電路 接口 flash
NAND FLASH在儲(chǔ)存測試系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 0 引言 計(jì)算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展，存儲(chǔ)系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲(chǔ)空間，到現(xiàn)在的T8；乃至不久的將來要達(dá)到的PB存儲(chǔ)空間，其數(shù)據(jù)存取的能力在飛速擴(kuò)展。隨之而來產(chǎn)生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數(shù)據(jù)生命周期管
- 關(guān)鍵字： FLASH NAND 儲(chǔ)存 測試系統(tǒng)
三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量
- 據(jù)了解，由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND Flash
TMS320F2812片內(nèi)Flash在線燒寫技術(shù)
- TMS320F2812(以下簡稱F2812)是美國德州儀器公司(TI)新一代32位定點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)，主要應(yīng)用于逆變器控制、電機(jī)控制等領(lǐng)域，并擁有工作頻率高達(dá)150 MHz的32位DSP內(nèi)核處理器，可以高效可靠地實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)控制和狀
- 關(guān)鍵字： 技術(shù) 在線 Flash 片內(nèi) TMS320F2812
海力士看好存儲(chǔ)器價(jià)格反彈
- 韓國存儲(chǔ)器大廠海力士(Hynix)對(duì)DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)后市，發(fā)表脫離谷底的看法，對(duì)于臺(tái)系DRAM廠而言，可望注入強(qiáng)心針。在硅晶圓部分，海力士與臺(tái)廠目前都有1~2個(gè)月不等庫存，短期仍可支應(yīng)生產(chǎn)，但中長線來看，日本地震造成硅晶圓短缺問題仍待厘清，目前市場買盤多是邊走邊看，沒有一窩蜂搶貨，但也會(huì)擔(dān)心日后供給吃緊造成漲價(jià)問題。
- 關(guān)鍵字： Hynix DRAM NAND Flash
DSP芯片（TMS320C6711D）的Flash存儲(chǔ)器
- 在嵌入式系統(tǒng)中，為了實(shí)現(xiàn)程序的脫機(jī)自動(dòng)運(yùn)行，程序往往固化在電可擦除的Flash存儲(chǔ)器中。要實(shí)現(xiàn)一個(gè)嵌入式系統(tǒng)...
- 關(guān)鍵字： DSP TMS320C6711D Flash
TMS320F2812芯片開發(fā)中Flash代碼性能的研究
- TMS320F2812是目前性能非常優(yōu)秀的32位定點(diǎn)DSP，集成了多種外設(shè)。對(duì)TMS320F2812開發(fā)通常利用TI公司的CCS2集成...
- 關(guān)鍵字： TMS320F2812 Flash
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