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      三星推出80nm制程移動存儲器 二季度量產

      •   據DigiTimes網站報道,韓國媒體Digital Daily與美國媒體Forbes報導,三星電子(Samsung Electronics)繼2006年8月將80nm制程的1Gb DDR 2標準型DRAM進入量產階段后,27日又發(fā)表了針對手機與移動設備推出的80nm制程DDR存儲器芯片,容量為1Gb,厚度較前代產品薄20%,耗電量減少30%。三星預計將在2007年第二季量產該產品,并預計屆時市場上對1Gb容量的手機存儲器芯片需求量將大幅增加
      • 關鍵字: IC  制造制程  

      65nm成為制程應用分水嶺

      •     按照摩爾定律的說法,2006年初半導體制造業(yè)就已經進入了65nm時代。不過,令所有人始料不及的是65nm的普及遠遠非預期的那樣迅猛,在很多領域似乎根本不去考慮65nm制程的問題,比如MCU,再如多媒體解碼芯片。于是,我們看到的結果是本該廣泛應用的65nm制程在全面投產18個月之后的應用領域只局限在少數(shù)幾個領域,這其中一向走在消費前沿的CPU和存儲是最火爆的領域,而FPGA則是另一個熱衷于追逐65nm的擁躉。      當90n
      • 關鍵字: IC  制造制程  

      哪些IC可以做出鮮明特色?

      •   5月底,半導體業(yè)又一重要事件發(fā)生了:意法半導體(ST)、英特爾和Francisco Partners宣布合資創(chuàng)立一家新的獨立半導體公司,組成新公司的原主營業(yè)務部門去年創(chuàng)造年收入共計約36億美元。新公司的戰(zhàn)略重點將專注于提供閃存解決方案。   Intel是NOR閃存的數(shù)一數(shù)二廠商,ST是NOR閃存第三大公司。二虎能夠坐在一個山頭上談如何共贏,恐怕也是迫不得已的事。ST副總裁兼大中國區(qū)總經理Bob Krysiak解釋說:“作為閃存或DRAM行業(yè),要想成功,必須量產和大規(guī)模的制造能力。過去兩年來,兩家公司
      • 關鍵字: IC  

      數(shù)據分析:首季度中國IC產業(yè)發(fā)展增速放緩

      • 進入2007年,全球半導體市場明顯呈現(xiàn)增長乏力的態(tài)勢。與此同時,受產品結構調整、市場競爭加劇的影響,國內電子信息產業(yè)也出現(xiàn)增長放緩、效益下滑的情況。在這兩方面因素影響下,中國集成電路產業(yè)發(fā)展速度也明顯放緩。據統(tǒng)計,1-3月份國內集成電路總產量為85.29億塊,同比增長12.3%。全行業(yè)銷售收入總額為271.21億元人民幣,同比增長27.4%,其增幅與2006年四季度相比回落8.7個百分點。   從一季度國內集成電路設計、芯片制造與封裝測試三大行業(yè)的發(fā)展情況看,均不同程度的受到
      • 關鍵字: IC  電子  集成電路  消費電子  消費電子  

      立锜發(fā)布單節(jié)鋰離子電池充電IC─RT9502

      • 立锜科技(RichtekTechnology)針對單節(jié)鋰離子和鋰高分子電池應用推出創(chuàng)新設計的充電IC─RT9502。該產品提供了簡單的外部線路架構、整合性的MOSFET、自動選擇ADAPTER和USB雙輸入來源,且充電指示燈號不會因為拿掉電池而產生微亮的錯誤信號,具備簡單的充電電流設定,在簡化了整機電路和軟件設計的同時,更提供高達18V的過電壓保護。  目前便攜式的電子產品已經走向輕薄短小的趨勢,而鋰離子及鋰高分子電池正是符合該趨勢的應用,RT9502正是專門為為鋰離子及鋰高分子電池而
      • 關鍵字: IC  RT9502  立锜  消費電子  消費電子  

      Power Integrations推出TinySwitch-PK電源芯片

      •   Power Integrations公司發(fā)布了具備峰值功率模式的TinySwitch®-PK集成電源控制芯片。TinySwitch-PK 可在短時間內提供高達280%的峰值功率,可使電源工程師按照連續(xù)功率的水平設計變壓器,因此極大降低設計的尺寸、重量及成本?;赥inySwitch-PK 所具有的高度集成及強大功能,電源設計將會更加簡單靈活,而且與其它分立或集成方案相比使用更少元件。   PI公司市場營銷副總裁Doug Bailey指出:“處于行業(yè)領導地位的TinySwitch 產品系列使用
      • 關鍵字: Integrations  Power  TinySwitch-PK  電源技術  電源芯片  模擬技術  模擬IC  電源  

      IR推出低壓電機驅動應用的200V IC

      • 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列適用于低壓及中壓電機驅動應用的200V IC,這些應用包括電動工具、低壓伺服驅動系統(tǒng)、電動園藝設備,以及像起重機、高爾夫球車和滑板車的電動車。 IRS200x系列半橋、高側和低側驅動IC系列是為低壓 (24V 、36V 和48V ) 及中壓 (60V 、80V 和100V ) 電機
      • 關鍵字: 200V  IC  IR  電機驅動  電源技術  模擬技術  

      盛群低電壓差電源穩(wěn)壓IC可用于多種產品

      • 盛群半導體(Holtek)新推出HT1087泛用型低電壓差電源穩(wěn)壓IC。該組件500mA電流輸出的規(guī)格,可以廣泛應用于各種產品,例如PC/NBcameramodule,PC外圍產品,低電壓MCU,DSP等需求電源轉換的應用。 除了保證輸出電壓誤差在2%以內,HT1087擁有極佳的負載穩(wěn)定度及線性穩(wěn)定度。噪聲阻絕度(RippleRejection)可達到60dB。內建的保護功能有過電流及過熱保護,為系統(tǒng)及IC提供必要的保護。  HT1087除了提供1.5V、1.8V、2.5V、
      • 關鍵字: IC  低電壓  電源技術  電源穩(wěn)壓  模擬技術  盛群  模擬IC  電源  

      Vishayn通道MOSFET驅動IC可提供2A峰值匯

      • Vishay(威世)近日宣布推出可提供2A峰值匯和源柵極驅動電流的高頻75V半橋式n通道MOSFET驅動IC。這款新型SiP41111適用于通常需要40V或60V電壓的汽車應用。該75VMOSFET驅動器可用于汽車中的高強度放電管,以及各種終端產品中的高壓降壓轉換器、推拉式轉換器、全橋與半橋式轉換器、有源鉗位正向轉換器、電源、電機控制及D類音頻系統(tǒng)。 該款SiP41111具有75V的最大自舉電源電壓,可適應9V~13.2V的寬泛電源電壓范圍,能夠以10ns的典型升降時間驅動1,000pF的負載。
      • 關鍵字: IC  MOSFET  Vishayn  電源技術  模擬技術  

      OKI新型UV傳感器ML8511采用SI-CMOS制程

      • 沖電氣(OKI)推出內建運算放大器的紫外線(UV)傳感器IC——ML8511。該產品運用絕緣上覆硅(SOI)-CMOS,為該公司首款模擬電壓輸出、無濾光器的UV傳感器。OKI將從6月份開始陸續(xù)針對可攜式等用途產品,提供新款UV傳感器樣品。 OKI的UV傳感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技術,適合于數(shù)字及模擬電路。OKI表示,該公司未來將靈活運用這一特長,加強與連接微處理器的數(shù)字輸出電路,進而與感測式亮度控制傳感器(AmbientLightSensor)構成單一芯片的商品陣容;未來
      • 關鍵字: OKI  SI-CMOS  傳感器  電源技術  模擬技術  IC  制造制程  

      遠翔雙組外推DC/DC同步整流IC具保護功能

      • 遠翔科技將在2007年第二季推出雙組外推NMOS的DC/DC同步整流IC,將補齊產品系列現(xiàn)階段從5A以上使用的負載規(guī)格;這顆編號FP5148的IC采用散熱型低腳數(shù)SOP16及QFN-16L小型封裝,IC本身具備較寬的操作電壓范圍,并可由使用者自行調整PWM工作頻率和電源軟激活時間,在保護機制上針對電源異常部分則提供有過電流、短路及欠壓等保護功能,必要時亦可藉由HousekeepingIC直接關閉IC來達成待機或斷電保護狀態(tài)。 遠翔科技并于該季另提供有1A-3A負載規(guī)格使用外推PMOS雙組差相型I
      • 關鍵字: DC/DC  IC  保護  電源技術  模擬技術  遠翔  

      盛群低電壓差電源穩(wěn)壓IC可用于多種產品

      • 盛群半導體(Holtek)新推出HT1087泛用型低電壓差電源穩(wěn)壓IC。該組件500mA電流輸出的規(guī)格,可以廣泛應用于各種產品,例如PC/NBcameramodule,PC外圍產品,低電壓MCU,DSP等需求電源轉換的應用。 除了保證輸出電壓誤差在2%以內,HT1087擁有極佳的負載穩(wěn)定度及線性穩(wěn)定度。噪聲阻絕度(RippleRejection)可達到60dB。內建的保護功能有過電流及過熱保護,為系統(tǒng)及IC提供必要的保護。  HT1087除了提供1.5V、1.8V、2.5V、
      • 關鍵字: IC  低電壓  電源技術  模擬技術  盛群  模擬IC  電源  

      半導體制程微細化技術再突破 從65nm到45nm的微觀神話

      • 半導體制程微細化趨勢1965年Intel創(chuàng)始人Moore提出“隨著芯片電路復雜度提升,芯片數(shù)目必將增加,每一芯片成本將每年減少一半”的規(guī)律之后,半導體微細化制程技術日新月異,結構尺寸從微米推向深亞微米,進而邁入納米時代。半導體制程微細化趨勢也改變了產業(yè)的成本結構,10年前IC設計產業(yè)投入線路設計與掩膜制程的費用,僅占總體成本的13%,半導體生產制造成本約占87%。自2003年進入深亞微米制程后,IC線路設計及掩膜成本便大幅提升到62%。當芯片結構體尺寸小于100納米時,光學光刻技術便面臨技術關鍵:硅晶制程
      • 關鍵字: 0704_A  半導體  單片機  電源技術  模擬技術  嵌入式系統(tǒng)  消費電子  雜志_技術長廊  IC  制造制程  消費電子  

      東芝今年開始生產閃存芯片 采用43納米制程

      • 據日本經濟新聞4月21日報道,東芝最快將在本會計年度開始采用43納米制程生產閃存芯片,以降低生產成本。 東芝為全球第二大閃存芯片制造商,僅次于韓國三星電子。報道指出,由于芯片價格料在2007/08年度挫跌50%,因此該公司急于提高晶片生產效率。  日經新聞稱,使用43納米制程,將可使東芝生產成本降低40%。 報道稱,三星電子計劃今年開始采用50納米制程。
      • 關鍵字: 43納米  東芝  閃存芯片  消費電子  IC  制造制程  消費電子  
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      power-thru ic介紹

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