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選擇適用于POL架構(gòu)中功率轉(zhuǎn)換的 MOSFET
- 對于電路需要 3.3V 及更低電壓的應(yīng)用，負(fù)載點 (POL) 轉(zhuǎn)換器已發(fā)展成為面向這些應(yīng)用的廣受歡迎的解決方案。對此類電壓水平的需求源自對更低內(nèi)核電壓的要求，這樣即使功率保持相同, 對這些轉(zhuǎn)換器的電流要求將會很明顯地增加。 自引入 POL 理念以來已建議并使用了許多不同的配置，當(dāng)前尚沒有將高壓(例如 48V)逐步降低到 0.9V 低壓的確定策略。過去使用傳統(tǒng)分布式功率架構(gòu) (DPAs) 從單個“前端轉(zhuǎn)換器”(圖1)提供所有所需的電壓水平。在固定電信應(yīng)用中，48V 的輸
- 關(guān)鍵字： POL MOSFET
MOSFET的開關(guān)速度將決定未來POL電源的性能
- 一個采用directfet mosfet并基于四相同步整流器的vrm能夠于高達2mhz/相位下工作，并提供120a電流，且滿足負(fù)載點電源的瞬態(tài)響應(yīng)要求。 與十年之前以單元密度和導(dǎo)通電阻作為器件設(shè)計的主要考慮因素相比，功率mosfet技術(shù)在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著一場重大的變革。如今，并在可以預(yù)見的未來，開關(guān)速度正在逐步成為負(fù)載點(pol)電源應(yīng)用的決定性因素。對于工作電壓為1v或以下且對時鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開關(guān)速度是滿足其供電要求的關(guān)鍵因素。電源的性能將取決于功率mosfet能
- 關(guān)鍵字： MOSFET POL 電源 放大器
IR iPOWIR構(gòu)建模塊節(jié)省空間并簡化高效率POL降壓式轉(zhuǎn)換器設(shè)計
- 國際整流器公司推出新產(chǎn)品iP1206，為包括電信及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備在內(nèi)的同步降壓式應(yīng)用提供了全面優(yōu)化解決方案。 iP1206是iPOWIR集成電源轉(zhuǎn)換級產(chǎn)品系列的最新產(chǎn)品，適用于高達30A 的兩相單路輸出應(yīng)用或高達 15A 的雙獨立輸出。兩種選擇均采用了同步 180
- 關(guān)鍵字： 國際整流器 POL 降壓式轉(zhuǎn)換器 電源
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