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英特爾：嵌入式聯(lián)網(wǎng)設(shè)備市場(chǎng)是下一個(gè)金礦

　　隨著技術(shù)和通信技術(shù)的發(fā)展，二者之間已呈現(xiàn)出更多的融合趨勢(shì)：一方面嵌入式設(shè)備被更多地連接到互聯(lián)網(wǎng)上，成為互聯(lián)網(wǎng)接入終端；另一方面這些設(shè)備之間也越來(lái)越多地實(shí)現(xiàn)了互聯(lián)互通。自今年英特爾推出面向嵌入式領(lǐng)域的凌動(dòng)處理器以來(lái)，英特爾的嵌入式市場(chǎng)戰(zhàn)略逐漸清晰，而其與終端設(shè)備芯片廠商ARM之間的競(jìng)爭(zhēng)也成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。　 7月14日，英特爾在北京舉行嵌入式戰(zhàn)略溝通會(huì)，英特爾公司數(shù)字企業(yè)事業(yè)部副總裁、嵌入式及通信事業(yè)部總經(jīng)理DougDavis參加了會(huì)議，其在接受《中國(guó)電子報(bào)》記者采訪時(shí)表示，下一個(gè)價(jià)值
關(guān)鍵字：英特爾嵌入式系統(tǒng) ARM PC

連接PC的步進(jìn)電機(jī)簡(jiǎn)單驅(qū)動(dòng)電路(04-100)

　　本文所示電路(圖1)是12V、1.5A、10Kg-cm轉(zhuǎn)矩的步進(jìn)電機(jī)通過(guò)PC并行口連接到PC。這樣做是為了使步進(jìn)電機(jī)的轉(zhuǎn)動(dòng)自動(dòng)化。此電路主要是用IC實(shí)現(xiàn)，這樣就容易制作，具有較少的元件并且是經(jīng)濟(jì)的。　　為了轉(zhuǎn)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)，從PC并行口(25針D型連接器)得到合適的輸出位時(shí)序。并行口由25引腳組成，但此電路只用了LPT1的口378(hex)的4個(gè)數(shù)據(jù)引腳(2~5)和地引腳(25)。在圖1電路中只示出25個(gè)引腳的4個(gè)引腳，接地引腳25圖中未示出。順時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)所需輸出位順序是0001、0010、0100、1
關(guān)鍵字： PC 步進(jìn)電機(jī) 驅(qū)動(dòng)電路

FPGA到高速DRAM的接口設(shè)計(jì)(04-100)

　　FPGA做為系統(tǒng)的核心元件正在更多的用于網(wǎng)絡(luò)、通信、存儲(chǔ)和高性能計(jì)算應(yīng)用中，在這些應(yīng)用中都需要復(fù)雜的數(shù)據(jù)處理。　　所以，現(xiàn)在FPGA支持高速、外部存儲(chǔ)器接口是必須遵循的?，F(xiàn)在的FPGA具有直接接口各種高速存儲(chǔ)器件的專門特性。本文集中描述高速DRAM到FPGA的接口設(shè)計(jì)。　　設(shè)計(jì)高速外部存儲(chǔ)器接口不是一件簡(jiǎn)單的任務(wù)。例如，同步DRAM已發(fā)展成高性能、高密度存儲(chǔ)器并正在用于主機(jī)中。最新的DRAM存儲(chǔ)器—DDR SDRAM，DDR2和RLDRAM II支持頻率范圍達(dá)到133MHz(260
關(guān)鍵字： Altera FPGA DRAM

基于PC機(jī)的視頻點(diǎn)播機(jī)頂盒的設(shè)計(jì)

提出了CATV網(wǎng)絡(luò)環(huán)境下視頻點(diǎn)播(VOD)機(jī)頂盒的設(shè)計(jì)。機(jī)頂盒由五大模塊組成：數(shù)字調(diào)諧器，QAM數(shù)字解調(diào)芯片，MPEG-2解復(fù)用芯片，I2C總線控制器和接口電路。
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 機(jī)頂盒視頻點(diǎn)播 PC 基于

權(quán)威調(diào)查：07年亞洲PC市場(chǎng)發(fā)貨量增長(zhǎng) 收入反下降！

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)GfK(亞洲)公布最新研究報(bào)告稱，去年亞洲計(jì)算機(jī)零售比2006年增長(zhǎng)了21%，但這一地區(qū)消費(fèi)者購(gòu)買計(jì)算機(jī)支付的價(jià)格明顯下降。比如討價(jià)還價(jià)的中國(guó)購(gòu)買者去年支付的平均價(jià)格低于150美元。調(diào)研公司的數(shù)據(jù)顯示，盡管去年亞洲地區(qū)計(jì)算機(jī)的銷售量強(qiáng)勁增長(zhǎng)了21%，但銷售收入比2006年下滑了5%。去年亞洲計(jì)算機(jī)市場(chǎng)銷售收入下降與2006年形成鮮明的對(duì)比，2006年亞洲計(jì)算機(jī)市場(chǎng)的收入同比增長(zhǎng)了11%，首次突破70億美元大關(guān)。調(diào)查公司表示，去年亞洲臺(tái)式機(jī)的銷售量?jī)H增長(zhǎng)了8%，但
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Gartner下調(diào)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)率至3.4%

　　據(jù)報(bào)道，在芯片需求走軟價(jià)格下跌的情況下，市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner下修全球IC產(chǎn)業(yè)營(yíng)收增長(zhǎng)率至先前預(yù)測(cè)值的二分之一。　　去年12月，Gartner曾預(yù)估全球2008年IC市場(chǎng)將有6.2%的增長(zhǎng);但是在最新的預(yù)估中，修正至3.4%。　　根據(jù)Gartner分析，2009-2012年IC市場(chǎng)增長(zhǎng)幅度分別為9.4%、6.5%、0.7%、5.3%。　　然而，什么原因使2008年的預(yù)估表現(xiàn)下降?Gartner表示，市場(chǎng)中有許多不樂(lè)觀的跡象，首當(dāng)其沖的就是美國(guó)經(jīng)濟(jì)的疲軟甚至衰退。　
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基于SRAM和DRAM結(jié)構(gòu)的大容量FIFO的設(shè)計(jì)

分別基于Hynix公司的SRAM HY64UDl6322A和DRAM HY57V281620E，介紹了采用兩種不同的RAM結(jié)構(gòu)，通過(guò)CPLD來(lái)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)大容量FIFO的方法。
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芯片價(jià)格下滑現(xiàn)代半導(dǎo)體Q4虧損5億美元

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球第二大儲(chǔ)存芯片制造商韓國(guó)現(xiàn)代半導(dǎo)體周五公布去年四季度財(cái)務(wù)報(bào)告稱，由于芯片價(jià)格下降，公司在超過(guò)四年的時(shí)間里首次出現(xiàn)虧損。　　現(xiàn)代半導(dǎo)體表示，在12月31日結(jié)束的第四季度，公司虧損了4650億韓元(約合4.928億美元)，這是自2003年第二季度以來(lái)現(xiàn)代半導(dǎo)體首次出現(xiàn)的虧損。而2006年同期公司盈利1萬(wàn)億韓元。　　由于使用在計(jì)算機(jī)上的DRAM儲(chǔ)存芯片和使用在數(shù)碼相機(jī)上的NAND閃存芯片價(jià)格下滑，四季度現(xiàn)代半導(dǎo)體的銷售收入從2006年同期的2.61萬(wàn)億韓元下降了29%為1.85萬(wàn)
關(guān)鍵字：儲(chǔ)存芯片 DRAM

市場(chǎng)細(xì)分廠商融合中國(guó)PC廠商有望走出尷尬

　　臺(tái)式PC細(xì)分個(gè)性化,筆記本走與上游廠商聯(lián)合之路,是今年國(guó)內(nèi)PC廠商發(fā)展的關(guān)鍵。　　過(guò)去的2007年，面對(duì)中國(guó)PC市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的慘烈，國(guó)內(nèi)的PC廠商陷入了尷尬之中。聯(lián)想在中國(guó)PC市場(chǎng)增速的減緩;方正老二地位被惠普的超越;TCL電腦的震動(dòng)，這一切似乎預(yù)示著今年的中國(guó)PC市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)會(huì)更加激烈，那么，國(guó)內(nèi)的PC廠商今年將面臨怎樣的形勢(shì)?會(huì)采取哪些市場(chǎng)策略?中國(guó)PC廠商能否通過(guò)自身的努力走出尷尬，令人關(guān)注。　　臺(tái)式PC面臨雙重打壓細(xì)分個(gè)性化是關(guān)鍵　　2008年，對(duì)于中國(guó)的PC市場(chǎng)而言，又將是一個(gè)充滿挑戰(zhàn)
關(guān)鍵字： PC Vista 迅馳

奇夢(mèng)達(dá);消費(fèi)電子將取代PC成內(nèi)存主要推動(dòng)

　　內(nèi)存廠商奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)上一季度的銷售額出現(xiàn)了大幅下滑。在該公司的年度股東會(huì)議上，奇夢(mèng)達(dá)的首席執(zhí)行官羅建華對(duì)未來(lái)發(fā)表了謹(jǐn)慎樂(lè)觀的預(yù)測(cè)，并稱消費(fèi)電子將取代PC市場(chǎng)成為行業(yè)的主要推動(dòng)力。　　在向股東的發(fā)言中，羅建華表示，在過(guò)去一年中主流內(nèi)存芯片(DRAM)產(chǎn)品的平均售價(jià)下跌將近80%，這是奇夢(mèng)達(dá)銷售大幅減少的最主要原因。單在12月份的這個(gè)季度里，價(jià)格就下跌超過(guò)四成?！斑@是內(nèi)存芯片行業(yè)歷史上最嚴(yán)重的一次價(jià)格滑坡，”羅建華說(shuō)。　　根據(jù)羅建華的分析，價(jià)格急劇下降的原因是供
關(guān)鍵字：內(nèi)存奇夢(mèng)達(dá) DRAM

全球DRAM廠虧損持續(xù)擴(kuò)大

盡管DRAM價(jià)格暫止血，但全球DRAM廠虧損黑洞卻持續(xù)擴(kuò)大，為搶救當(dāng)前重大危機(jī)，包括國(guó)際大廠及臺(tái)系DRAM廠紛紛被迫出招應(yīng)對(duì)，其中，全球第3大DRAM廠奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)旗下位于亞太唯一自建12英寸廠，目前已確定將暫停機(jī)器設(shè)備移入；至于同樣面臨極大壓力的臺(tái)廠，則傳出茂德決定在中科12英寸廠歲修時(shí)程將破天荒長(zhǎng)達(dá)10天。臺(tái)DRAM廠坦言，目前全球DRAM產(chǎn)業(yè)鏈的庫(kù)存非常夠用，盡管拉長(zhǎng)歲修時(shí)程對(duì)整體供需幫助不大，卻凸顯各DRAM廠面對(duì)虧損擴(kuò)大壓力，紛紛展開(kāi)應(yīng)變措施。現(xiàn)階段對(duì)于DRAM廠而言，投資建廠
關(guān)鍵字： DRAM 半導(dǎo)體 Qimonda

Hynix預(yù)測(cè)：DRAM芯片市場(chǎng)將在二季度出現(xiàn)反彈

?? 全球第二大存儲(chǔ)芯片制造商、韓國(guó)Hynix半導(dǎo)體日前表示，預(yù)計(jì)到今年第二季度其主要業(yè)務(wù)——電腦存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)將出現(xiàn)反彈。 ?　　在美國(guó)拉斯維加斯參加2008 CES上，Hynix半導(dǎo)體公司首席執(zhí)行官Kim Jong-kap發(fā)表了上述觀點(diǎn)。　　他稱，“此前，電腦儲(chǔ)存芯片市場(chǎng)一直處于低迷狀態(tài)，持續(xù)了大約15個(gè)月。而新一輪的低迷態(tài)勢(shì)從今年一月份開(kāi)始，預(yù)計(jì)這一狀態(tài)還將延續(xù)一段時(shí)間。我們認(rèn)為從今年第二季度開(kāi)始，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)將會(huì)陸續(xù)出現(xiàn)反彈
關(guān)鍵字： Hynix DRAM 芯片市場(chǎng)

奇夢(mèng)達(dá)開(kāi)始供應(yīng)首款512Mb XDRTM DRAM 樣品

　　奇夢(mèng)達(dá)公司宣布已開(kāi)始向客戶供應(yīng)首款512Mb XDRTM DRAM的樣品。XDRTM (Extreme Data Rate) 內(nèi)存解體決方案擴(kuò)展了奇夢(mèng)達(dá)的繪圖RAM產(chǎn)品組合，以針對(duì)全球成長(zhǎng)快速的計(jì)算機(jī)和消費(fèi)性電子市場(chǎng)，提供更佳的高效能、高頻寬應(yīng)用。　　奇夢(mèng)達(dá)公司繪圖產(chǎn)品事業(yè)部副總裁Robert Feurle表示：“我們對(duì)與Rambus公司簽訂技術(shù)授權(quán)合約一年內(nèi)，便推出第一款的XDRTM DRAM，感到非常驕傲。XDRTM DRAM對(duì)于奇夢(mèng)達(dá)的高效能DRAM產(chǎn)品組合而言，是一項(xiàng)高價(jià)值的延伸，同時(shí)也在
關(guān)鍵字：奇夢(mèng)達(dá) DRAM XDRTM MCU和嵌入式微處理器

三星半導(dǎo)體發(fā)動(dòng)攻擊型投資計(jì)劃

　　據(jù)DigiTimes網(wǎng)站報(bào)道，短期內(nèi)三星電子(SamsungElectronics)將不減產(chǎn)DRAM，并將于2008年發(fā)動(dòng)攻擊型投資。三星副社長(zhǎng)周宇錫近日在首爾三星總部表示，為配合2009年三星總營(yíng)收達(dá)到1300億美元，并成為全球第1大電子廠商的目標(biāo)，盡管DRAM面對(duì)價(jià)格暴跌的壓力，但三星不僅不會(huì)減產(chǎn)，并將繼續(xù)執(zhí)行攻擊型投資。　　根據(jù)三星已經(jīng)敲定的投資計(jì)劃，2008年總共11兆韓元(約合116.8億美元)，其中7兆韓元(約合74.3億美元)投資于半導(dǎo)體領(lǐng)域，3.7兆韓元(約合39.3億美元)投資于
關(guān)鍵字：三星半導(dǎo)體 DRAM 半導(dǎo)體材料

07年1-11月全球半導(dǎo)體銷售收入同比增3.4%

　　半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)修改了2007年全球半導(dǎo)體銷售的預(yù)測(cè)數(shù)字，改正了一個(gè)重大的預(yù)測(cè)錯(cuò)誤，稱DRAM內(nèi)存市場(chǎng)的數(shù)字高于預(yù)期是造成其預(yù)測(cè)錯(cuò)誤的主要原因。　　世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)發(fā)布的2007年1至9月份的DRAM內(nèi)存市場(chǎng)的銷售數(shù)據(jù)是增長(zhǎng)的。目前還不清楚WSTS或者SIA是如何出現(xiàn)這個(gè)失誤的。WSTS和SIA都沒(méi)有解釋這個(gè)原因。　　SIA稱，修改后的數(shù)據(jù)是2007年1至11月份DRAM內(nèi)存市場(chǎng)的銷售收入比原來(lái)報(bào)告的數(shù)字增加了為13.5億美元，也就是4.8%。因此，同期的半導(dǎo)體銷售收
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體銷售 DRAM