- 據(jù)國外媒體報道,美國最大的電腦存儲芯片制造商美光科技(Micron Technology)周二宣布,將斥資12.7億美元收購閃存芯片制造商恒憶半導體(Numonyx Holdings BV),借此增強其閃存芯片業(yè)務。
收購恒億
美光科技科技在聲明中表示,將向恒憶半導體的投資者——英特爾、意法半導體(STMicroelectronics)以及私募股權公司Francisco Partners——定向增發(fā)1.4億股股票。除此之外,美光科技還會向恒憶
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美光 NOR Numonyx
- 32位MCU強勢增長
從全球范圍內的微控制器(MCU)的市場情況看(如圖1),08年出貨量是119億美元,到09年降低到86億美元。從增長曲線看,32位微控制器在過去5年增長了一倍。目前可以看到8位和32位的深V型增長。從銷售額來看,在2009年的前10個月里有7個月32位高過8位,到10月底時,32位總體下降了近23%,而8位MCU下降了近27%。從數(shù)量上看,8位的下降是26%,而32位只下降10%,因此從單位數(shù)量來說,32位下降較少,NXP(恩智浦)認為32位還是有比較強勁的增長勢頭,這
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MCU NAND NOR Android
- 存儲器通常包括DRAM,NAND,NOR及SRAM。在半導體業(yè)中經(jīng)常分成兩類,DRAM及閃存類。由于其兩大特征,能大量生產以及應用市場面寬,使其半導體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱它為半導體業(yè)的風向標。
縱觀DRAM發(fā)展的歷史,幾乎每8至10年一次大循環(huán),最終一定有大型的存儲器廠退出,表示循環(huán)的結束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝,日立及NEC退出,如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產能。
在全球硅片尺寸轉移中,存儲器也是走在前列,如
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存儲器 DRAM NAND NOR SRAM
- 為中芯解開多年無法突破的經(jīng)營困境,而與臺積電未來如能合作,將會是個雙贏的局面。張汝京的下臺,為臺積電、中芯國際都找到下一個春天。
11月11日,臺灣有四家報紙的頭版頭條報道了同一則新聞:中芯國際創(chuàng)辦人、執(zhí)行長張汝京宣布辭職;董事會即刻宣布由王寧國接任執(zhí)行董事兼集團總裁、首席執(zhí)行官。全世界最大的晶圓代工廠臺積電入股中芯半導體10%的股份。
中芯將分5年賠償臺積電2億美元,并且無償授予臺積電8%的中芯股權,且臺積電另可在3年內以每股1.3港幣的價格認購2%的中芯股權。
這件事情所以在臺灣
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中芯國際 晶圓 NOR NAND
- 據(jù)臺灣媒體報道,近期市場傳出中芯國際將切割代管的成都廠及武漢廠等兩地晶圓廠,而兩座廠將可能由中芯前總裁張汝京出面統(tǒng)籌管理,張汝京等于找到了新舞臺。
臺灣媒體引述“內部人士”的話報道稱,成都及武漢兩地政府日前希望與中芯國際CEO王寧國見面,但王寧國未有正面回應,目前中芯切割兩晶圓廠政策已是箭在弦上,成都市政府上周密會中芯前總裁張汝京,兩地政府希望未來成都廠及武漢廠由張汝京出面統(tǒng)籌管理。
據(jù)報道,中芯在張汝京時代,曾與成都、武漢等兩地方政府達成協(xié)議,成都市政府出資成立成
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中芯國際 晶圓 NOR NAND
- 市場研究機構水清木華日前發(fā)布“2009年手機內存行業(yè)研究報告”指出,NOR閃存在512Mb是個門檻。高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加。同時,NOR閃存的應用領域單一,應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢越明顯,應用領域更廣泛,應用廠家也多。手機市場變化迅速,現(xiàn)在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優(yōu)勢“長壽”也不復存在。盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領域的只有Spansion。而NAND
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手機 NAND NOR
- 市場研究機構水清木華日前發(fā)布"2009年手機內存行業(yè)研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是個門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時,NOR閃存的應用領域單一,應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢越明顯,應用領域更廣泛,應用廠家也多.手機市場變化迅速,現(xiàn)在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優(yōu)勢"長壽"也不復存在.盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領域的只有Spansion.而NAND領域,三
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三星 NAND NOR RAM
- 引 言
STM32是ST(意法半導體)公司推出的基于ARM內核Cortex-M3的32位微控制器系列。Cortex-M3內核是為低功耗和價格敏感的應用而專門設計的,具有突出的能效比和處理速度。通過采用Thumb-2高密度指令集,Cor
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Flash FSMC STM NOR
- 據(jù)來自ISMI Symposium的消息,NOR閃存制造商Spansion將出售其300mm工廠。
Spansion高層拒絕對這座名為SP1工廠的狀態(tài)進行評論。“SP1是Spansion Japan的資產,目前正在對可能的重組方案進行評估。我們繼續(xù)和Spansion Japan緊密合作,并通過我們內部和外部的資源,對客戶的要求進行最大程度的支持。”Spansion在一份聲明中表示。
2007年,Spansion啟用業(yè)界首座300mm NOR閃存工廠。這座耗資12億美
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閃存 NOR 300mm
- “2009年一定會有一些閃存或者DRAM廠商倒閉,產業(yè)鏈進一步整合是必然趨勢,而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存,就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日,全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業(yè)營銷總監(jiān)John Nation抵京,他帶來了Spansion最新的第二季度財務狀況,以及公司為脫離破產保護而進行的戰(zhàn)略調整。
Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商,也是全球最大一家專門出品閃存的企業(yè)。
今年3月1日,Spansion公司宣布,根
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Spansion DRAM NOR
- 全球最大NOR閃存芯片供應商之一恒憶(Numonyx)宣布,該公司已于7月12日與上海外高橋保稅區(qū)簽署廠房租賃合同,正式投資落戶上海。今天上午,恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison專程赴滬考察上海研發(fā)中心新址,并拜會了外高橋保稅區(qū)管委會主任助理、功能區(qū)域黨工委副書記、管委會副主任簡大年等領導。雙方代表齊聚一堂,共同見證了這一重要歷史時刻。
恒憶正式成立于2008年3月,是由英特爾(Intel)和意法半導體(STMicroelectronics)以各自的閃存部門組成的合資企業(yè),擁有技術
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Numonyx NOR NAND RAM PCM
- 2009年6月24日,恒憶(Numonyx)與三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd)宣布將共同開發(fā)制定相變存儲器(Phase Change Memory,PCM)產品的市場規(guī)格,兩大存儲器廠商的攜手再次印證了“商場上沒有永遠的對手”。
韓國三星電子稱霸存儲器行業(yè)已有多時,其DRAM市場近30%、閃存市場近40%的份額長期無可撼動。而恒憶作為存儲器行業(yè)的新寵,其正式成立距今不過一年左右的時間。它的主要業(yè)務是整合NOR、NAND及內置RAM,并利
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Numonyx PCM DRAM RAM NOR
- 恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開發(fā)制定相變存儲器 (Phase Change Memory,PCM) 產品的市場規(guī)格,此新一代存儲技術可滿足載有大量內容和數(shù)據(jù)平臺的性能及功耗要求,從而幫助多功能手機及移動應用、嵌入式系統(tǒng)*、高級運算裝置的制造商應對設計挑戰(zhàn)。制定針對PCM 產品的通用軟硬件兼容標準,將有效簡化設計流程并縮短產品開發(fā)時間,使制造商能在短時間內采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲產品。
相較于
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Numonyx NAND NOR PCM SDRAM
- 6月24日消息,三星電子和Numonyx表示,雙方將聯(lián)合開發(fā)前途光明的下一代記憶體科技--相變化記憶體技術。
三星電子和Numonyx表示,雙方將合作開發(fā)PCM的通用規(guī)范,該技術有望用于高級聽筒、移動電話和電腦設備中。英特爾和意法半導體(STM去年合資組建了Numonyx.。三星電子和Numonyx稱,PCM讀寫速度非常快,但耗電量卻低于傳統(tǒng)的NOR和NAND快閃記憶體。
三星電子和Numonyx還表示,雙方的通用規(guī)范將于今年完成,預計明年將推出兼容設備。
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三星 NAND NOR PCM 相變化記憶體
- 全球非易失性存儲領導廠商恒憶(Numonyx)今天宣布與益登、聯(lián)強、世平、文曄、東棉、金龍等授權經(jīng)銷商合作,在中國大陸地區(qū)銷售恒憶產品,并提供支持服務。通過這個穩(wěn)固的經(jīng)銷商網(wǎng)絡,恒憶在亞洲區(qū)的產品與技術布局將更加完整,足以滿足亞洲快速增長的嵌入式與無線市場需求,尤其是在數(shù)字消費電子、通信和手持裝置等領域。
亞洲市場規(guī)模龐大且具備驚人的發(fā)展?jié)摿?,在恒憶的全球布局中始終占有關鍵性地位,中國大陸及臺灣地區(qū)更是其中最具代表性、成長最快、爆發(fā)力最強的市場。根據(jù)iSuppli與Web Feet的研究顯示,2
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Numonyx 非易失性存儲 PCM 手持裝置 NOR RAM
nor介紹
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 相“flash存儲器”經(jīng)??? [
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