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基于LVDS的高速圖像數(shù)據(jù)存儲器的設(shè)計與實現(xiàn)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： LVDS FPGA Flash

嵌入式內(nèi)存市場增長，廠商與用戶需持久合作

　　2014上海慕尼黑電子展期間，Micron(美光科技有限公司)展示了全系列嵌入式存儲解決方案。據(jù)美光公司嵌入式業(yè)務(wù)部門營銷高級總監(jiān)Amit Gattani介紹，在整個內(nèi)存產(chǎn)品640億美元的市場中，10%~15%是嵌入式內(nèi)存方案。而且這個份額還在不斷增長，主要是由于智慧系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展和智慧汽車的驅(qū)動。
關(guān)鍵字： Micro 嵌入式 NOR 201405

競逐eMMC商機　Flash控制芯片廠陷混戰(zhàn)

2013年eMMC需求在智能手機市場帶動下大幅成長，2014年，平板電腦應(yīng)用需求亦值得期待，尤其在中國大陸銷售的平板電腦中，有90%尚未采用eMMC，這可能進一步擴大eMMC市場規(guī)模，引來業(yè)內(nèi)廠商混戰(zhàn)一片......
關(guān)鍵字： Flash 控制芯片

美光在上海加大研發(fā)，實現(xiàn)“中國設(shè)計”

　　2014上海慕尼黑電子展期間，美光科技公司嵌入式業(yè)務(wù)部門營銷高級總監(jiān)Amit?Gattani告訴《電子產(chǎn)品世界》，美光看好中國的前景，因為中國“十二五”計劃當中明確提出要建立智慧城市、智慧交通、節(jié)能環(huán)保，實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展，注重汽車產(chǎn)業(yè)的節(jié)能排放以及創(chuàng)新，這一切都和美光公司的戰(zhàn)略相吻合?！　∧壳懊拦庠谏虾Ｓ袃蓚€設(shè)計中心，主要是做硬件和集成電路設(shè)計，比如開發(fā)NOR閃存等產(chǎn)品，分別在浦東和漕河涇。還有2012年剛剛建成的美光公司系統(tǒng)工程實驗室，旨在與客戶實現(xiàn)更好的合作，創(chuàng)新開發(fā)各種解決方案。此外美光
關(guān)鍵字： NOR 智慧城市節(jié)能環(huán)保閃存

FPGA中Flash驅(qū)動模塊的設(shè)計及驗證

　　隨著FPGA的功能日益強大和完善，F(xiàn)PGA在項目中的應(yīng)用也越來越廣泛，其技術(shù)關(guān)鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以Flash存儲器件為FPGA的外圍，敘述了FPGA中SPI總線接口的Flash驅(qū)動模塊的設(shè)計，其接口基本符合Avalon總線的規(guī)范要求，并且通過實際的讀寫操作驗證
關(guān)鍵字： Flash 驅(qū)動 FPGA

高速接口Hyper Bus催生讀取最快的NOR閃存

　　不久前，Spansion?公司宣布推出突破性的Spansion?HyperBus接口，它能極大地提高讀取性能并減少引腳數(shù)量和空間。主要的片上系統(tǒng)(SoC)制造商可以部署SpansionHyperBus接口?！　×硗?，Spansion還推出了首個基于該新接口的產(chǎn)品家族——SpansionHyperFlash?NOR閃存器件，其讀取吞吐量可達333MB/s，比當今市場上可見速度最快的四SPI的5倍還快，引腳數(shù)量卻僅是并行NOR閃存的1/3?！　?jù)Spansion產(chǎn)品與產(chǎn)業(yè)生態(tài)
關(guān)鍵字： HyperBus NOR GUI ADAS 201402

基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用

　　靜態(tài)隨機存儲器(static?RAM)，簡稱SRAM。在電子設(shè)備中，常見的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性，SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時鐘信號，即可保持數(shù)據(jù)不丟失?！　?、VDMS16M32芯片介紹　　VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
關(guān)鍵字： SRAM FLASH DRAM VDSR16M32

基于FPGA的SPI Flash控制器的設(shè)計方案

本文提出一個基于FPGA的SPI Flash讀寫硬件實現(xiàn)方案，該方案利用硬件對SPI Flash進行控制，能夠非常方便地完成Flash的讀寫、擦除、刷新及預(yù)充電等操作，同時編寫的SPI Flash控制器IP核能夠進行移植和復用，作為SOC芯片的功能模塊。
關(guān)鍵字： FPGA Flash SOC CPU VHDL

基于FPGA的速率自適應(yīng)圖像抽取算法

載荷圖像可視化是深空探測任務(wù)中的重要需求，但受信道帶寬的限制，無法實時傳輸所有載荷數(shù)據(jù)，因此星載復接存儲器中圖像的抽取下傳是實現(xiàn)任務(wù)可視化的關(guān)鍵。
關(guān)鍵字：存儲器 FPGA 載荷圖像 VCDU FLASH

基于SPI FLASH的FPGA多重配置

通過FPGA的多重配置可以有效地精簡控制結(jié)構(gòu)的設(shè)計，同時可以用邏輯資源較少的FPGA器件實現(xiàn)需要很大資源才能實現(xiàn)的程序。以Virtex5系列開發(fā)板和配置存儲器SPI FLASH為基礎(chǔ)，從硬件電路和軟件設(shè)計兩個方面對多重配置進行分析，給出了多重配置實現(xiàn)的具體步驟，對實現(xiàn)復雜硬件設(shè)計工程有一定的參考價值。
關(guān)鍵字： FPGA Virtex5 FLASH ICAP IPROG 寄存器

提高MSP430G單片機的Flash擦寫壽命的方法

在嵌入式設(shè)計中，許多應(yīng)用設(shè)計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機在芯片內(nèi)部并沒有集 ...
關(guān)鍵字： MSP430G 單片機 Flash 擦寫壽命

武漢新芯：定位存儲器制造，兩年后或推3D NAND

武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立，2012年底起獨立經(jīng)營，是國有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國際)和華力微電子(HLMC)等，XMC將立足存儲器制造。近日，武漢新芯董事長王繼增告訴筆者。
關(guān)鍵字： XMC 存儲器 NOR NAND 201401

單片機高手是怎樣煉成的

近來在論壇總是見到一些菜鳥們在大叫：“我想學單片機”，“我要學單片機”，“如何入門啊?”，“你們怎么這么厲害，是怎樣學的??”等等等等一系列的問題，實在是看多了也感到煩了，今天，就由我電子白菜厚著面皮，頂著無數(shù)老蝦的磚頭，在這里寫上一篇單片機學習心得，讓菜鳥們勇敢地跨出第一步。
關(guān)鍵字：單片機 LED LCD FLASH USB

ARM11 S3C6410系列教程之四：NANDflash操作

在本章開始之前，我們先來看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu)：
關(guān)鍵字： ARM11 DDR NAND flash 寄存器

武漢新芯發(fā)力3D NOR 欲領(lǐng)銜中國存儲半導體業(yè)

　　12月12日，工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進中心(CSIP)在江蘇南京舉辦以“推動整機與芯片聯(lián)動，打造集成電路大產(chǎn)業(yè)鏈”為主題的“2013中國集成電路產(chǎn)業(yè)促進大會暨第八屆‘中國芯’頒獎典禮”。會議期間，受邀采訪到來自武漢新芯董事長兼總裁王繼增先生。　　據(jù)了解，武漢新芯集成電路制造有限公司是建國以來湖北省單體投資規(guī)模最大的高科技制造項目，是國家認定的首批重點集成電路生產(chǎn)企業(yè)。主要采用90納米及更高工藝技術(shù)水平生產(chǎn)12英寸存
關(guān)鍵字：新芯 NOR 存儲半導體

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nor flash介紹

NOR Flash存儲器　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]