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Vishay Siliconix發(fā)布新款E系列MOSFET器件
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- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大導通電阻,以及22A~47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技術,具有超低柵極電荷,以及較低柵極電荷與導通電阻乘積,該乘積是衡量用在功率轉換應用中的MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)。 ? 與前一代S系列器件相比,新的
- 關鍵字: Vishay Siliconix MOSFET
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