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            利用理想二極管和熱插拔控制器隔離電源故障
            
                                                            
              
                    	
            • 用肖特基二極管實現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如，μTCA網(wǎng)絡(luò)及存儲服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系...
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            • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET    LTC4225    LTC4227                            
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            東芝擴大用于基站和服務(wù)器的功率MOSFET陣容
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布為其用于基站和服務(wù)器的通用直流-直流轉(zhuǎn)換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產(chǎn)品。這些產(chǎn)品使用最新的第八代低電壓溝槽結(jié)構(gòu)，并實現(xiàn)了頂尖[1]低導通電阻和高速開關(guān)性能。即日開始批量生產(chǎn)。
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            • 關(guān)鍵字：
                        東芝  MOSFET                          
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            東芝為基站和服務(wù)器推出30V電壓功率MOSFET
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布為專用于基站和服務(wù)器的通用DC-DC轉(zhuǎn)換器推出30V電壓功率MOSFET系列。這些產(chǎn)品采用了最新的第八代低壓溝槽結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了最高級別的低導通電阻和高速轉(zhuǎn)換。該系列產(chǎn)品計劃于6月底投入量產(chǎn)。
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            • 關(guān)鍵字：
                        東芝  MOSFET  電阻                          
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            對使用銅絲鍵合的功率MOSFET進行失效分析
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 摘要：由于銅絲鍵合可以替代金鍵合，價格又便宜，正在被越來越多地應用到微電子元器件當中。目前的情況表明銅是可行的替代品，但是證明其可靠性還需要采用針對銅絲鍵合工藝的新型失效分析(FA)技術(shù)。
              • 
                    	                        
            • 關(guān)鍵字：
                        銅絲鍵合  MOSFET  金鍵合  失效分析  金屬層  201308                          
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            利用PowerTrench MOSFET應對更高功率密度的新挑戰(zhàn)
            
                                                            
              
                    	
            • 引言隨著社會經(jīng)濟從紙張型向數(shù)字信息管理型方向發(fā)展，用于數(shù)據(jù)處理、存儲和網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)中心在個人業(yè)務(wù)、學術(shù)...
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            • 關(guān)鍵字：
                        PowerTrench  MOSFET                          
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            飛兆開發(fā)出SP 5智能功率模塊系列三相MOSFET逆變器解決方案
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　電機控制系統(tǒng)設(shè)計人員需要能夠在嚴苛的應用條件下，提高效率同時確保最高可靠性的解決方案。為此，飛兆半導體開發(fā)了SPM? 5 智能功率模塊系列三相 MOSFET 逆變器解決方案，為設(shè)計人員提供交流感應電機 (ACIM) 和無刷直流電機逆變器解決方案，適用于功率最高為 200 W 的電機，包括風扇電機、洗碗機和各種小型工業(yè)電機。
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            • 關(guān)鍵字：
                        飛兆  MOSFET  SPM                          
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            理想二極管和熱插拔控制器實現(xiàn)電源冗余并隔離故障
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 用肖特基二極管實現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如，μTCA 網(wǎng)絡(luò)及存儲服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系統(tǒng)中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“或”電路還用于采用備用電源的系統(tǒng)，例如 AC 交流適配器和備份電池饋送。
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            • 關(guān)鍵字：
                        凌力爾特  肖特基二極管  MOSFET                          
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            Vishay新款-40V和-30V MOSFET擴充Gen III P溝道產(chǎn)品
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
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            • 關(guān)鍵字：
                        Vishay  MOSFET                          
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            復蘇乏力 元件供應商日子難過
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　雖然所有領(lǐng)先指標都顯示2013年下半年將恢復季節(jié)性增長，但包括半導體在內(nèi)的電子元件產(chǎn)業(yè)目前訂單情況遜于當前市場復蘇階段的預期水平。據(jù)IHS公司的元件價格走勢追蹤服務(wù)，這種需求缺口可能限制今年電子元件市場的增長幅度。
　　2013年商品類芯片的總體前景仍然堅挺，預計半導體營業(yè)收入增長4.8%，盡管該市場的各個領(lǐng)域不會同樣強勁。
　　在假日季節(jié)之前的這個時期，MOSFET、電容與邏輯器件的訂單活動沒有呈現(xiàn)出通常的水平。這個階段通常出現(xiàn)交貨期延長和價格上漲現(xiàn)象，而目前尚未看到這些情況。同時，消費電子、汽
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            • 關(guān)鍵字：
                        電子元件  MOSFET                          
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            為您的電源選擇正確的工作頻率——電源設(shè)計小貼士
            
                                                            
              
                    	
            • 歡迎來到電源設(shè)計小貼士！隨著現(xiàn)在對更高效、更低成本電源解決方案需求的強調(diào)，我們創(chuàng)建了該專欄，就各種電源管理...
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            • 關(guān)鍵字：
                        工作頻率    MOSFET    Pcon                          
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            飛兆的100V BOOSTPAK解決方案降低了系統(tǒng)成本
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 飛兆半導體公司是高性能功率半導體和移動半導體解決方案的全球領(lǐng)先供應商，通過引入 100 V BoostPak 設(shè)備系列優(yōu)化 MOSFET 和二極管選擇過程，將 MOSFET 和二極管集成在一個封裝內(nèi)，代替 LED 電視 / 顯示器背光、LED 照明和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應用中目前使用的分立式解決方案。
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            • 關(guān)鍵字：
                        飛兆  MOSFET  LED                          
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            安森美推出兩款新的MOSFET器件
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 安森美半導體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件，用于智能手機及平板電腦應用，作為鋰離子電池充電/放電保護電路開關(guān)的關(guān)鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設(shè)計人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時間延至最長。
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            • 關(guān)鍵字：
                        安森美  MOSFET  鋰離子電池                          
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            Vishay大幅擴充E系列650V N溝道功率MOSFET家族
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝，將10V下的導通電阻擴展到30mΩ～600mΩ，將最高電流等級擴大為6A～105A。
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            • 關(guān)鍵字：
                        Vishay  E系列  MOSFET                          
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            功率MOSFET基礎(chǔ)知識
            
                                                            
              
                    	
            • 什么是功率MOSFET？我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信...
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            • 關(guān)鍵字：
                        功率  MOSFET  基礎(chǔ)知識                          
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            用IGBT代替MOSFET的可行性分析
            
                                                            
              
                    	
            • 一、引言電力電子設(shè)備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數(shù)和低成本的方向發(fā)展，功率器件則要求高速、...
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            • 關(guān)鍵字：
                        IGBT  MOSFET                          
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