nano nor flash 文章進(jìn)入nano nor flash技術(shù)社區(qū)

如何將ICCAVR程序中的數(shù)組存入FLASH中

如何將ICCAVR程序中的數(shù)組存入FLASH中下面是ICCAVR中對字符串和常數(shù)表格分配可能出現(xiàn)的五種情況: const int table[]={1,2,3};//table表格只分配進(jìn)程序存儲器中 const char string[]="iccavr";//字符串?dāng)?shù)組只分配進(jìn)程序存儲器中const char *prt1 //指針prt1位于數(shù)據(jù)存儲器空間指向程序存儲器空間的字符型數(shù)據(jù) char *const prt2 //指針prt2位于程序存儲器空間指向數(shù)據(jù)存儲器空間的字符型數(shù)據(jù) const ch
關(guān)鍵字： flash ICCAVR

ST推出新的汽車級32-Mbit NOR閃存

ST推出一個(gè)新的符合汽車級質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)、工作溫度范圍-40℃到+125℃的32-Mbit閃存產(chǎn)品。新產(chǎn)品M29W320是為汽車儀表板系統(tǒng)、汽車多媒體和其它的需要快速訪問大量代碼和數(shù)據(jù)的應(yīng)用專門設(shè)計(jì)。　　ST目前提供4 Mbit到32 Mbit的車用NOR閃存產(chǎn)品組合。到2007年第二季度，該系列還將增加一個(gè)64-Mbit的NOR閃存IC，到2007年底，還將增加一個(gè)128-Mbit的NOR閃存。　　采用ST的最先進(jìn)的0.11µm閃存制造工藝，M29W320可以在2.7V到3
關(guān)鍵字： NOR 汽車級32-Mbit 閃存消費(fèi)電子消費(fèi)電子

ST推出新的汽車級32-Mbit NOR閃存

　　ST推出一個(gè)新的符合汽車級質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)、工作溫度范圍-40℃到+125℃的32-Mbit閃存產(chǎn)品。新產(chǎn)品M29W320是為汽車儀表板系統(tǒng)、汽車多媒體和其它的需要快速訪問大量代碼和數(shù)據(jù)的應(yīng)用專門設(shè)計(jì)。　　ST目前提供4 Mbit到32 Mbit的車用NOR閃存產(chǎn)品組合。到2007年第二季度，該系列還將增加一個(gè)64-Mbit的NOR閃存IC，到2007年底，還將增加一個(gè)128-Mbit的NOR閃存。　　采用ST的最先進(jìn)的0.11µm閃存制造工藝，M29W320可以在2.7V
關(guān)鍵字： NOR ST 汽車電子汽車級32-Mbit 閃存消費(fèi)電子汽車電子

TMS320F28xx DSP中內(nèi)部Flash的應(yīng)用研究

文中列舉的Flash的這幾種用法，在CCS中編程下載到TMS320F28xx DSP開發(fā)板上，并通過運(yùn)行程序驗(yàn)證了其正確性。
關(guān)鍵字： Flash 320F TMS 320

愛特梅爾推出新型ARM7 閃存微控制器

愛特梅爾推出業(yè)界首款支持千兆字節(jié)以上SDRAM、NAND Flash及CompactFlash存儲容量的ARM7 閃存微控制器通用內(nèi)存接口 (UMI) 配有錯(cuò)誤糾正代碼控制器，能夠防止NAND 閃存丟失數(shù)位愛特梅爾公司 (Atmel® Corporation) 現(xiàn)已為基于ARM7™ 的USB微控制器 SAM7 系列增添三款新產(chǎn)品。全新的 SAM7S
關(guān)鍵字： ARM7 CompactFlash Flash NAND SDRAM 愛特梅爾單片機(jī) 工業(yè)控制嵌入式系統(tǒng) 閃存微控制器存儲器工業(yè)控制

JTAG口及其對F1aSh的在線編程

本文介紹一種通過JTAG對Flash進(jìn)行的在線編程方法。
關(guān)鍵字： CPLD Flash DSP

適宜于嵌入式多媒體應(yīng)用的Flash文件系統(tǒng)

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)越來越多地在控制類、消費(fèi)類、通訊類等電子產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用，并且隨著數(shù)字信號處理與人機(jī)交互界面等相關(guān)技術(shù)的不斷成熟，嵌入式多媒體應(yīng)用數(shù)量也逐漸上升。多媒體業(yè)務(wù)的數(shù)據(jù)量大，數(shù)據(jù)內(nèi)容復(fù)雜，在多媒體應(yīng)用中數(shù)據(jù)的存儲與管理是不容回避的問題。FLASH存儲器因制造成本低廉、存儲容量大、數(shù)據(jù)非易失、無機(jī)械故障，在目前的嵌入式系統(tǒng)中被廣泛用作外存儲器件。然而Flash存儲器卻是一種數(shù)據(jù)正確性非理想的器件，應(yīng)用中可能會出現(xiàn)壞損數(shù)據(jù)單元，這又給應(yīng)用Flash存儲器的嵌入式系統(tǒng)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲管理增
關(guān)鍵字： FLASH 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 消費(fèi)電子移動多媒體消費(fèi)電子

Flash 編程器的FPGA實(shí)現(xiàn)

1 引言閃速存儲器（FLASH Memory）以其集成度高、成本低、使用方便等許多優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、辦公設(shè)備、家用電器、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。利用其保存信息的非易失性和在線更新數(shù)據(jù)參數(shù)的特性，可將其作為具有一定靈活性的只讀存儲器（ROM）使用。現(xiàn)在的數(shù)字電路應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，經(jīng)常遇到大容量的數(shù)據(jù)存儲問題。Flash由于容量大、存儲速度快、體積小、功耗低等諸多優(yōu)點(diǎn)，而成為應(yīng)用系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲器件的首選。由于在研制實(shí)時(shí)信號處理系統(tǒng)時(shí)，需要一塊大容量的Flash來存儲坐標(biāo)變換的數(shù)據(jù)作查找表，因此
關(guān)鍵字： Flash FPGA 編程消費(fèi)電子消費(fèi)電子

外掛Flash的引導(dǎo)裝載設(shè)計(jì)

本文所敘述的引導(dǎo)方法在四通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中得到了有效的驗(yàn)證，并且整個(gè)過程操作起來非常方便快捷。
關(guān)鍵字： Flash 引導(dǎo)裝載

基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲方案的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

1 引言 FLASH（閃速存儲器）作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其他存儲介質(zhì)有較大區(qū)別，使用FLASH時(shí)必須根據(jù)其自身特性，對存儲系統(tǒng)進(jìn)行特殊設(shè)計(jì)，以保證系統(tǒng)的性能達(dá)到最優(yōu)。 2 FLASH的特點(diǎn)FLASH是一種非易失性存儲器NVM（Non-Volatile Memory），根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以將其分成NOR FLASH和NAND FLASH兩種。但不管哪一
關(guān)鍵字： FLASH 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 數(shù)據(jù)存儲存儲器

分頁燒寫Flash的多頁程序并行自舉方法

以TMS320VC5410為例，介紹對Am29LV200B Flash存儲器進(jìn)行程序分頁燒寫以及上電后多頁用戶程序并行自舉的方法。
關(guān)鍵字： Flash 燒寫程序并行

英特爾擴(kuò)展嵌入式產(chǎn)品進(jìn)入串行閃存市場

中國北京, 2006年6月7日–英特爾（中國）有限公司今天宣布, 將擴(kuò)展其NOR閃存產(chǎn)品線，以滿足不斷增長的數(shù)十億美元嵌入式市場的需要。英特爾公司計(jì)劃引入3伏（3V）版本的英特爾StrataFlash®嵌入式存儲架構(gòu)。英特爾還透露,將以首款串行外圍接口（Serial Peripheral Interface, SPI）產(chǎn)品進(jìn)入迅速發(fā)展的串行閃存領(lǐng)域。英特爾的上述行動體現(xiàn)了其對NOR嵌入式閃存市場的高度重視。嵌入式閃存目前已被廣泛應(yīng)用到各種消費(fèi)電子
關(guān)鍵字： NOR 消費(fèi)電子英特爾消費(fèi)電子

大容量串行e-Flash的FPGA配置方案

為配合某電力測量儀表的開發(fā)，對Xilinx公司的SpartanII系列FPGA的配置方案進(jìn)行了探索。該方案采用大容量串行e-Flash存儲器MM36SBO10存放FPGA配置文件,MCU讀取該配置文件并在被動串行模式下完成對XC2S30 的在線配置。該方案具有接口簡單、成本低廉、便于移植的優(yōu)點(diǎn)。
關(guān)鍵字： e-Flash FPGA 大容量串行

Flash需求旺模塊廠芯片設(shè)計(jì)公司關(guān)系親密

近年來NAND型Flash應(yīng)用需求發(fā)燒，從隨身碟、記憶卡、MP3，直到最近手機(jī)上使用的小型記憶卡，應(yīng)用范圍不斷延伸，內(nèi)存模塊廠莫不全力搶攻NAND型Flash應(yīng)用產(chǎn)品市場的市場占有率，因此各家模塊廠和NAND型Flash控制芯片設(shè)計(jì)公司的關(guān)系可謂是越來越緊密，其中更不乏模塊廠自掏腰包來投資NAND型Flash設(shè)計(jì)公司。　　隨著儲存應(yīng)用熱潮蔓延，不論是讀卡機(jī)、隨身碟或是小型記憶卡等，近幾年增長道驚人，過去消費(fèi)性電子產(chǎn)品市場對隨身碟的需求是從無到有、再到蓬勃發(fā)
關(guān)鍵字： Flash 模塊

全球NOR閃存市場05年銷售收入將增長7%

據(jù)外電報(bào)道，據(jù)研究機(jī)構(gòu)Semico研究公司稱，NOR閃存市場將扭轉(zhuǎn)當(dāng)前市場銷售收入下降的局面，在2006年的銷售收入將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的110億美元。然而，在2005年，NOE閃存市場將僅比2004年增長7%。　　Semico非易揮發(fā)存儲器服務(wù)經(jīng)理Jim Handy在聲明中稱，NOR閃存目前銷售收入的下降是供需不平衡的結(jié)果。這種不平衡的情況將在2006年得到糾正。由于內(nèi)存產(chǎn)品供過于求，所有的產(chǎn)品的價(jià)格都將下跌。NOR閃存也不例外，也將同內(nèi)存市場的產(chǎn)品一起下跌。市
關(guān)鍵字： NOR