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基于SEP4O20的Linux NandFlash驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
- 基于SEP4O20的Linux NandFlash驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),摘要：本文首先給出了NandFlash的硬件特點(diǎn)，分析了Linux MTD層(Memow Technology Device)的特性，基于東南大學(xué)國家ASIC中心自主設(shè)計(jì)的嵌入式微處理器芯片SEP4020，給出了Linux下NandFlash驅(qū)動(dòng)的詳細(xì)設(shè)計(jì)方案。實(shí)驗(yàn)結(jié)
- 關(guān)鍵字： 驅(qū)動(dòng) 設(shè)計(jì) NandFlash Linux SEP4O20 基于
NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)開發(fā)
- NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)開發(fā),0 引 言
隨著嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展，其應(yīng)用環(huán)境的廣泛性，復(fù)雜性對(duì)構(gòu)建于系統(tǒng)上的Nor和Nand閃存設(shè)備提出更高要求，需要閃存設(shè)備傳輸速度更快，體積更小，容量更大，穩(wěn)定性更好。該文在基于Samsung公司的S3C2410 - 關(guān)鍵字： 驅(qū)動(dòng) 開發(fā) 設(shè)計(jì) 接口 NorFLASH NandFLASH
SSD有望成為新半導(dǎo)體需求市場(chǎng)
- 隨著NANDFlash(非易失閃存技術(shù))價(jià)格的持續(xù)下滑，作為下一代存儲(chǔ)設(shè)備的SSD(SolidStateDrive，固態(tài)硬盤)有望成為新的半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。在2010年以后，SSD將會(huì)成為世界NANDFlash存儲(chǔ)市場(chǎng)中的主要品種，而各大存儲(chǔ)技術(shù)相關(guān)企業(yè)也將從今年開始正式展開激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。 市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)100億美元 SSD是利用現(xiàn)有的DRAM和NANDFlash等存儲(chǔ)技術(shù)和控制器來制作的下一代存儲(chǔ)設(shè)備。與競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品HDD(硬盤驅(qū)動(dòng)器)相比，SSD具有安全性高、功耗低、數(shù)據(jù)傳送速度快、無機(jī)械噪
- 關(guān)鍵字： NANDFlash SSD
SSD將成為新的半導(dǎo)體需求市場(chǎng)
- 為跟上技術(shù)進(jìn)步的發(fā)展步伐，2008年半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備、材料、零部件行業(yè)將出現(xiàn)新一輪產(chǎn)品研發(fā)熱。該行業(yè)大舉引進(jìn)最新的高效率生產(chǎn)技術(shù)，挑起了夯實(shí)電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)的重任。 挑戰(zhàn)微細(xì)化納米技術(shù) 最近發(fā)表的ITRS(國際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖)深入分析了今后15年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展方向。 回顧該行業(yè)技術(shù)發(fā)展的軌跡，我們發(fā)現(xiàn)，人們除了把目光聚集到High-k門極電介質(zhì)的前瞻性引入、超越摩爾定律(后摩爾定律技術(shù))上之外，還格外關(guān)注存儲(chǔ)器與微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)間的對(duì)話。2007年11月在夏威夷召開的ITPC(半
- 關(guān)鍵字： NANDFlash
基于Nandflash的Bootloader的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 文章詳細(xì)說明了從Nandflash引導(dǎo)操作系統(tǒng)要完成的主要任務(wù)和實(shí)現(xiàn)方法，并給出了在S3C2410上實(shí)現(xiàn)Nandflash啟動(dòng)的試驗(yàn)結(jié)果。
- 關(guān)鍵字： Bootloader Nandflash
nandflash介紹
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
應(yīng)用程序?qū)OR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對(duì)大容量NOR閃存的管理，通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時(shí)候塊內(nèi)還分成扇區(qū)。讀寫時(shí)需要同時(shí)指定邏輯塊號(hào)和塊內(nèi)偏移。應(yīng)用程序?qū) AN D芯片操作是以“塊”為基本單位。NAND閃存的塊比較小，一般是8KB，然后每塊又分成頁，頁 [ 查看詳細(xì) ]
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