nand-flash 文章 進入nand-flash技術社區(qū)
采用AVR Flash微控制器的電動車窗防夾系統(tǒng)
- 汽車上可自動關閉的電動車窗或車門設備潛藏著卡死，擠壓以及可能傷人的危險。它們必須能夠反向移動以防止馬達所施加的力超出正常限制。這種特性意味著必須持續(xù)監(jiān)視速度、電流和玻璃的位置。 由于成本和簡化的原因，本文所描述的系統(tǒng)使用普通的帶有霍爾效應傳感器的刷式馬達。基于速度和扭矩導數(shù)的檢測算法已通過健壯性和容錯性的驗證。該算法可用于所有帶有A/D 轉(zhuǎn)換器和通過變化引發(fā)中斷的I/O 口的AtmelAVR Flash 微控制器。本文描述的是基本原理，Atmel網(wǎng)站上的應用筆記有關于實現(xiàn)的詳細描述。 現(xiàn)代
- 關鍵字： AVR Flash 微控制器 汽車電子控制裝置
NAND Flash進軍NB/PC應用領域 借以擴大市占率
- 拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對NAND Flash應用市場發(fā)表研究報告指出，2008年起，除了由原手持式消費電子產(chǎn)品將繼續(xù)大量采用NAND Flash作為儲存裝置外，NAND Flash將通過NB與PC的采用，以混合式硬盤或固態(tài)硬盤(SSD)的產(chǎn)品型態(tài)，逐步擴大市場占有率，市場需求將從2007年的6.7%增長至15.3%。 拓墣表示，NAND Flash在過去幾年快速擴充產(chǎn)品應用領域，從2004年產(chǎn)品應用比例最高的數(shù)碼相機，到2006年MP3 Pla
- 關鍵字： NAND Flash SSD MCU和嵌入式微處理器
iSuppli調(diào)低08年半導體預期
- 市場研究機構iSuppli以全球經(jīng)濟不景氣為由，調(diào)低了2008年全球半導體市場銷售收入預期，不過對于整個市場形勢仍持樂觀態(tài)度。 據(jù)國外媒體報道，iSuppli的最新預期顯示，2008年全球半導體銷售收入將增至2914億美元，較2007年2709億美元(評估數(shù)據(jù))增長7.5%，而iSuppli今年9月份預測的增幅為9.3%，預期增幅減少了1.8個百分點。 iSuppli表示，2008年半導體市場將受到了能源成本上升的不利影響，美國經(jīng)濟2008年的預期并不樂觀，而美國經(jīng)濟的影響力自然會波及全球
- 關鍵字： 半導體 芯片 NAND 半導體材料
東芝推出首個對應多值技術的大容量NAND閃存
- 東芝今天宣布即將推出搭載世界上首個對應多值技術的大容量NAND閃存(多值NAND)的行業(yè)內(nèi)最大級別128Gb的SSD(Solid State Drive：固態(tài)硬盤)產(chǎn)品，主要用于計算機。計劃2008年第一季度出貨，并同時開始量產(chǎn)。在此之前，東芝將于明年1月7日-10日在美國拉斯維加斯召開的世界最大規(guī)模的家電展中亮相該新產(chǎn)品。 目前的SSD，采用高速雙值NAND閃存，和HDD相比，高速、體積輕，但也存在容量小、成本高的問題，目前還沒有真正普及。因此，搭載可以提高每個器件容量的普及型多值NAND的S
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 東芝 NAND 閃存
基于FPGA的串行Flash擴展實現(xiàn)
- 1 引言 FPGA憑借其方便靈活、可重復編程等優(yōu)點而日益被廣泛應用;閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點，在眾多領域中也獲得了廣泛應用。在現(xiàn)代數(shù)字電路設計中。經(jīng)常需要保存大量數(shù)據(jù)，而Flash存儲速度快、體積小、功耗低且價格低廉，可在線電擦寫，信息在掉電后不會丟失，因此成為設計人員的首選。 2 M25P80的介紹 Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM，可以分為兩大類：并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲量大，速度快;而串行Fl
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 FPGA Flash 串 MCU和嵌入式微處理器
DRAM市場基礎繼續(xù)惡化 預計08年資本開支下滑超過30%
- Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示，“根據(jù)三星日前的報告，我們分析2008年上半年DRAM內(nèi)存市場基礎繼續(xù)惡化，大多數(shù)DRAM供應商，尤其韓國之外的廠商2008年資本開支出現(xiàn)大幅削減?！? 預計2008年，DRAM領域的資本開支將下滑超過30%，原來預計下降20%。這將導致總體內(nèi)存資本開支減少10-12%。 在DRAM市場經(jīng)歷了漫長的低迷之后，該市場仍然存在嚴重的供過于求情況?！斑@主要由于按容量計
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 DRAM 三星 NAND EDA IC設計
各類器件增長強勁 出貨量增長率預測調(diào)高
- 據(jù)市場調(diào)研公司ICInsights，2007年IC單位出貨量有望增長10%。該公司先前的預測是增長8%。 ICInsights將調(diào)高增長率預測歸因于以下器件的出貨量強勁增長：DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換IC(上升58%)和汽車相關的模擬IC(上升32%)。 ICInsights表示，如果2007年IC單位出貨量增長率達到10%或者更高水平，將是連續(xù)第六年以兩位數(shù)的速度增長，創(chuàng)下前所未有的強勁增長紀錄。 ICInsights認為，
- 關鍵字： NAND 閃存 IC 元件 制造
內(nèi)存芯片廠商提出新設計欲破摩爾定律
- 很多廠商都設計出了未來的閃存技術，但誰能夠首先推出產(chǎn)品呢? Spansion表示，其MirrorBit和Ornand閃存芯片的基礎是電荷捕獲技術，這一技術為閃存產(chǎn)業(yè)繼續(xù)縮小芯片尺寸、提高閃存芯片性能提供了一條途徑。 Spansion CEO伯特蘭向CNET News.com表示，Spansion已經(jīng)生產(chǎn)出了采用電荷捕獲技術的閃存芯片。Spansion已經(jīng)啟動了一項營銷活動，希望向其它制造商許可一些技術。 伯特蘭說，三星、東芝、Hynix公開表示對電荷捕獲技術有很大的興趣。我們擁有這一
- 關鍵字： 閃存 芯片 NAND 存儲器
第三季度NAND閃存銷售額增長37%，達42億美元
- 市場調(diào)研公司iSuppli日前在聲明中表示，第三季度NAND閃存半導體全球銷售額增長37%，達到42億美元。但iSuppli指出，在包括蘋果iPod在內(nèi)的消費電子產(chǎn)品需求刺激下的連續(xù)增長勢頭，本季度可能結束。由于產(chǎn)量增長速度快于需求，本季度NAND的平均銷售價格將下降18%。 韓國海力士半導體第三季度增長最快，其NAND銷售額比第二季度大增79%，達到8.06億美元。它的市場份額是19%，在當季全球排名第三。最大的NAND閃存供應商三星電子，市場份額從第二季度的45%降至40%，它出貨的閃存數(shù)量
- 關鍵字： NAND 閃存 DRAM 存儲器
閃存成本下滑固態(tài)硬盤價格將下降 筆記本很有優(yōu)勢
- 固態(tài)硬盤明年仍然少見且價格昂貴，但隨著其量產(chǎn)，閃存成本的下滑，固態(tài)硬盤價格從2009年，2010年開始將開始下降。 DRAM與閃存產(chǎn)品制造商Micron Technology本周公布了固態(tài)硬盤發(fā)展計劃。這種硬盤功能與常規(guī)硬盤無異，但與一般硬盤將數(shù)據(jù)存儲在磁碟上不同，固態(tài)硬盤將數(shù)據(jù)保存在NAND內(nèi)存芯片上，就像MP3播放器保存文件的方式一樣。 Micron將從明年第一季度開始大規(guī)模生產(chǎn)固態(tài)硬盤。第一批產(chǎn)品為32GB或64GB型號。雖然容量是現(xiàn)在筆記本電腦硬盤平均容量的一半，但Micron內(nèi)存
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 固態(tài)硬盤 閃存 NAND MCU和嵌入式微處理器
基于FPGA的串行Flash擴展實現(xiàn)
- 1 引言 FPGA憑借其方便靈活、可重復編程等優(yōu)點而日益被廣泛應用;閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點，在眾多領域中也獲得了廣泛應用。在現(xiàn)代數(shù)字電路設計中。經(jīng)常需要保存大量數(shù)據(jù)，而Flash存儲速度快、體積小、功耗低且價格低廉，可在線電擦寫，信息在掉電后不會丟失，因此成為設計人員的首選。 2 M25P80的介紹 Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM，可以分為兩大類：并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲量大，速度快;而串行Fl
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 FPGA Flash 存儲器 MCU和嵌入式微處理器
三星減少NAND閃存供貨量 擬甩掉臺灣廠商
- 近期，三星和海力士(Hynix)面向臺灣的NAND閃存芯片供貨量有所下降，另一方面，英特爾和Micron的合資公司IM則推出了更具競爭力的價格并逐步搶占市場，許多分析人士認為未來閃存市場或許將會出現(xiàn)另一番局面。 三星和海力士減少向臺灣內(nèi)存廠商的供貨量，是為了滿足蘋果這類國際大客戶的供貨需求。東芝也限制了供應量，唯獨沒有對群聯(lián)電子(Phison Electronics)采取限制措施，這使得不少臺灣企業(yè)開始考慮降低對大廠商產(chǎn)品的依賴。 一些臺灣內(nèi)存廠商指出，它們都不愿意繼續(xù)向三星和海力士采購，
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 三星 海力士 NAND 其他IC 制程
大容量NAND Flash K9T1G08U0M在網(wǎng)絡存儲中的應用
- 1 引言 隨著嵌入式系統(tǒng)廣泛應用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲和數(shù)據(jù)管理則成為設計人員考慮的重點。在許多現(xiàn)場不可達數(shù)據(jù)采集應用中采用分布式數(shù)據(jù)存儲，必然帶來數(shù)據(jù)管理的不便，因此，集中管理數(shù)據(jù)成為一種思路。利用成熟的網(wǎng)絡傳輸技術集中分布式嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù)，采用C/S模式管理數(shù)據(jù)。對于大容量數(shù)據(jù)存儲，選擇介質(zhì)存儲是需要重點考慮的問題。目前大多采用IDE硬盤或SCSI硬盤存儲，但都存在抗震和抗電磁干擾能力差、使用溫度范圍窄，無法長期在惡劣的環(huán)境中長期工作。電子式Flash存儲器具有速度快、容量大、成本低、體積
- 關鍵字： 通訊 無線 網(wǎng)絡 NAND Flash K9T1G08U0M MCU和嵌入式微處理器
供應過剩 NAND及DRAM行情短期進一步惡化
- 美國iSuppli調(diào)研結果顯示，由于供應過剩與價格暴跌，DRAM及NAND閃存行情將在短期內(nèi)進一步惡化。 NAND閃存方面，預計512M產(chǎn)品全球平均單價(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價在第二季度、第三季度均比上季度有所提高，分別為6%與8.4%。但是在第四季度，隨著價格下跌，行情出現(xiàn)惡化，短期內(nèi)很難恢復。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示，此次價格下跌的主要原因韓國內(nèi)存廠商將生產(chǎn)能力從DRAM轉(zhuǎn)移至NAND閃存，從而導
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND DRAM 閃存 MCU和嵌入式微處理器
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