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東芝和西數(shù)正研發(fā)128層3D NAND閃存：最早2020年上市
- 根據外媒的報道，東芝及其戰(zhàn)略盟友西部數(shù)據準備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中，該芯片將命名為BiCS-5?！ 榻B，芯片將實現(xiàn)TLC，而不是更新的QLC。這可能是因為NAND閃存制造商仍然對QLC芯片的低產量有擔心。該芯片的數(shù)據密度為512 Gb，新的128層芯片的容量比96層芯片多33%，可以在2020到2021年實現(xiàn)商業(yè)化生產。 據報道，新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB / s。據報道，該芯片還采用了CuA(陣列電路)，這是一
- 關鍵字： 東芝 西數(shù) NAND
韓媒：存儲器產業(yè)陷入低迷，中國企業(yè)或放緩前進步伐
- 根據韓國媒體Business Korea報道，由于存儲器產業(yè)從2018年年底迎來低迷，存儲器產品價格下跌，各大存儲器廠商先后宣布降低產量以來，雖然三星仍然穩(wěn)坐半導體產業(yè)頭把交椅，但是其盈利能力已經受到質疑。 無獨有偶，SK海力士等廠商的日子也不好過。頭部廠商的日子尚且如此，那還在奮斗中的中國存儲器廠商又將面對怎樣的未來呢?
- 關鍵字： 存儲器，NAND
中天弘宇：攻克核心設計缺陷 重建NOR閃存新生
- 閃存是當今數(shù)據存儲的重要介質之一，主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導體工藝不斷發(fā)展，相比于NAND技術的快速演進，NOR技術似乎在幾年前工藝就遲滯不前，因為存在部分設計缺陷而讓NOR閃存無法繼續(xù)跟進先進工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應用的關鍵。不過，因為中國企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究，NOR閃存的應用也許將重獲新生。 “我們經過了近十年的研發(fā)積累，完成了對原有NOR閃存架構的大膽創(chuàng)新，也可以說是一個完全的顛覆。我們沿用了整個NOR的架構，但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
- 關鍵字： NOR NAND 存儲器
突破瓶頸，英特爾重塑數(shù)據中心存儲架構
- 2018年12月11日，以“智數(shù)據·創(chuàng)未來”為主題的2018中國存儲與數(shù)據峰會在北京拉開帷幕。作為中國數(shù)據與存儲行業(yè)頂級的交流平臺，本次峰會匯集了全球近百位來自產業(yè)界、學術界的專家，就數(shù)據洪流時代下，企業(yè)如何實施數(shù)據戰(zhàn)略、深挖數(shù)據價值，變數(shù)據資源為實現(xiàn)更廣泛商業(yè)價值的數(shù)據資產等話題展開深入探討。
- 關鍵字： 數(shù)據 存儲 傲騰 QLC 3D NAND
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