nand flash 文章進入nand flash技術(shù)社區(qū)

2011年手機將消耗NAND Flash總量的40%

　　集邦科技表示，由于2010年第二季受到歐洲債信風(fēng)暴影響、終端需求疲軟以及庫存水位偏高，下半年各項信息與消費型電子的出貨均大幅下修，然而第二季各手機廠商有效去化庫存以及智能手機成長力道強勁的情況下，下半年手機成長幅度將領(lǐng)先各項電子產(chǎn)品。也由于智能手機的熱賣，帶動了相關(guān) NAND Flash 應(yīng)用如 MCP 與內(nèi)建式的 eMMC 、 POP 等產(chǎn)品的成長。　　蘋果(Apple)推出 iPhone 4 帶動其它智能手機的熱賣，集邦科技預(yù)估，2010年手機出貨量將較2009年成長13%，達到13億支的
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蘋果效應(yīng)不再 NAND閃存價格持續(xù)下滑

　　臺灣媒體報道，來自存儲芯片制造商的消息稱，盡管蘋果的iPhone和iPad銷售火爆，但也難阻主流MLC NAND閃存芯片期貨價格在9月份上半月的下滑。　　蘋果為其iPhone和iPad放出了大量閃存芯片訂單，但即便是這樣也很難推動NAND閃存價格的上漲，這倒是違背了此前出現(xiàn)的蘋果與NAND閃存之間的緊密聯(lián)系效應(yīng)。之前蘋果產(chǎn)品的熱銷往往會導(dǎo)致NAND閃存市場的供不應(yīng)求。　　然而現(xiàn)實是，目前各個渠道的閃存芯片需求依舊微弱，學(xué)生返校季和即將到來的內(nèi)地十一黃金周也很難讓閃存價格反彈。　　更有悲觀的
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基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用,　目前，針對NOR Flash設(shè)計的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用;隨著NAND作為大容量存儲介質(zhì)的普及，基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS(Yet Another Flash File System)正逐漸被應(yīng)用到嵌入式系統(tǒng)中?！　?/li>
關(guān)鍵字：系統(tǒng) YAFFS 應(yīng)用嵌入式文件 NAND 閃存基于

Gartner上調(diào)全球半導(dǎo)體營收預(yù)期至3000億

　　Gartner現(xiàn)在預(yù)計今年全球半導(dǎo)體營收將達到3000億美元，比去年增長31.5%。它之前預(yù)計今年半導(dǎo)體營收的增幅只有27.1%。包括手機和筆記本電腦在內(nèi)的消費者電子產(chǎn)品在半導(dǎo)體銷售中占大多數(shù)份額。手機出貨量持續(xù)增長將推動半導(dǎo)體營收的增長，而電腦出貨量增長速度的減慢將被平板電腦銷售的增長所抵消。　　Gartner表示，盡管個人電腦銷售速度減慢，但今年NAND閃存和DRAM的營收仍將增長。DRAM營收今年將增長82.5%，幾乎達到420億美元，但它可能會從明年下半年開始減慢增長速度。Gartner預(yù)
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 DRAM NAND

分析稱臺系DRAM廠明年可望大幅增長

　　據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。　　南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm，預(yù)計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
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NAND Flash跌價深　上游大廠開始對模塊廠讓步

　　NAND Flash價格經(jīng)歷一段大修正后，原本對于價格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠，在面對庫存節(jié)節(jié)攀高的情況下，態(tài)度已開始松動，部分模塊廠開始回補一些庫存，不過，全球兩大NAND Flash陣營三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因為有蘋果(Apple)訂單的撐腰，對于價格仍是相當(dāng)強硬，顯示蘋果仍是NAND Flash產(chǎn)業(yè)的唯一大補丸。　　近期NAND Flash價格修正頗深，除了歐洲和美國市場需求不佳，尤其是返校需求完全是虛晃一招外，大陸
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爾必達已與Spansion開發(fā)出4G NAND閃存

　　爾必達內(nèi)存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示，該公司與Spansion公司(Spansion Inc.)已開發(fā)出一款新閃存芯片，擁有比現(xiàn)有芯片更為簡單的信元結(jié)構(gòu)，該公司計劃于2011年開始在其日本西部的工廠批量生產(chǎn)該芯片。　　這家日本芯片制造商表示，該公司采用了所謂的電荷擷取(charge trap)技術(shù)來開發(fā)這個4G的NAND閃存芯片，該芯片的信元結(jié)構(gòu)不同于現(xiàn)有的以傳統(tǒng)浮動?xùn)?floating gate)技術(shù)制造的NAND閃存芯片。該公司表示，這項新技術(shù)可幫助生產(chǎn)較目前市場
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分析稱臺系DRAM廠2011年可望大幅增長

　　據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。　　南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm，預(yù)計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
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臺系DRAM廠的轉(zhuǎn)型與挑戰(zhàn)

　　根據(jù)集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報告指出，臺系DRAM廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。南科除今年將12吋月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm，預(yù)計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRAM廠之冠。　　
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分析稱三星或超英特爾成為第一大芯片廠商

　　市場研究公司IC Insights日前預(yù)計，三星的芯片銷售額或?qū)⒃?014年超越英特爾。　　基于廣泛的芯片產(chǎn)品及擴張計劃，三星的芯片營收將很快超過英特爾，成為第一大芯片廠商。IC Insights認(rèn)為，在5到10年前，三星芯片營收將趕超英特爾的想法簡直就是天方夜譚，但從1999年到2009年，三星IC營收以13.5%年復(fù)合增長率(compound annual growth rate)的速度增長，而英特爾同期的年復(fù)合增長率僅為3.4%?；诖嗽鲩L速率，IC Insights預(yù)計，三星的芯片銷售額
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Intel鎂光生產(chǎn)出25nm 64Gb密度3位元NAND閃存芯片

　　Intel與鎂光公司已經(jīng)成功生產(chǎn)出基于25nm制程技術(shù)的3位元型NAND閃存芯片產(chǎn)品，目前他們已經(jīng)將有關(guān)的產(chǎn)品樣品送往部分客戶手中進行評估，預(yù)計這款NAND閃存芯片將于今年年底前開始量產(chǎn)。這款25nm NAND閃存芯片的存儲密度為64Gb，為三位元型閃存。　　這款閃存芯片是由Intel與鎂光合資的IM Flash公司研制，芯片采用了3位元(TLC)型設(shè)計，一個存儲單元可存儲3位數(shù)據(jù)，比一般的單位元(SLC)/雙位元(MLC)閃存的存儲量更大。　　這款產(chǎn)品的面積要比現(xiàn)有Intel與鎂光公司推
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英特爾和Micron稱下一代25納米NAND取得突破

　　據(jù)國外媒體報道，英特爾和Micron已經(jīng)開始發(fā)布下一代25納米NAND存儲芯片，為達到最高效率，該芯片使用了三層存儲單元技術(shù)。　　首款8GB和64GB芯片正在向選定的客戶發(fā)售，用于SD卡存儲設(shè)備。該芯片在每個存儲單元中保存三位信息，而非像傳統(tǒng)芯片那樣保存一到兩位信息，英特爾宣稱，這種芯片是目前市場上最有效率的。　　英特爾副總裁及NAND開發(fā)組主管Tom Rampone聲稱25納米已經(jīng)是業(yè)界最小的尺寸，在開發(fā)完成25納米程度的三層存儲單元之后，公司還將繼續(xù)為用戶探索和發(fā)展更高級的產(chǎn)品。公司計劃利
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iSuppli:閃存價格可能會跌到1美元/GB

　　iSuppli今天警告稱閃存價格可能崩潰性地調(diào)整到1美元/GB，這是因為用于閃存產(chǎn)品的NAND記憶體價格今年開始沖高回落，并且技術(shù)的演變讓內(nèi)存單元的價位開始雪崩。　　由于下降的價格，目前看上去過于昂貴的SSD將在兩年時間內(nèi)開始成為主流，而成本低得多的硬盤處理器則開始在高端市場被SSD擠占。　　此外，快閃記憶體價格的總體下降對于各種手持設(shè)備是一個極大的利好消息，各種手機、智能本廠商將會帶來更加豐厚的利潤空間，乃至最后降低產(chǎn)品售價。
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英特爾美光公布存儲密度更高的新型閃存芯片

　　英特爾和美光當(dāng)?shù)貢r間周二公布了存儲密度更高的NAND閃存芯片。新型芯片不僅能減少存儲芯片所占空間，還能增加消費電子產(chǎn)品的存儲容量。　　新NAND芯片每個存儲單元可以存儲3位信息，存儲容量高達64G位(相當(dāng)于8GB)。英特爾和美光稱這是它們迄今為止尺寸最小的NAND閃存芯片。　　兩家公司稱，使用NAND閃存的數(shù)碼相機和便攜式媒體播放器等產(chǎn)品的尺寸越來越小。新型芯片還有助于降低制造成本。　　兩家公司已經(jīng)向客戶發(fā)送樣品，預(yù)計將于今年底投入量產(chǎn)。新型NAND閃存芯片將采用 25納米工藝生產(chǎn)。與每單
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NAND Flash市況兩極　靜待8月底補貨潮

　　2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統(tǒng)旺季，8月初合約價卻還是跌不停，存儲器業(yè)者表示，蘋果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠需求仍十分強勁，但零售市場買氣不振，模塊廠拿貨意愿不高，把平均合約價給拉下來，其中，三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應(yīng)蘋果，走貨較順暢，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫存水位較高，但又不愿降價，與模塊廠陷入僵局。　　近期大陸因為亞運因素，
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]