nand flash 文章進入nand flash技術社區(qū)

1000層3D NAND Flash時代即將到來

Lam Research 推出低溫蝕刻新技術，為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
關鍵字： NAND Flash

存儲亮劍！NAND技術多點突破

人工智能（AI）市場持續(xù)火熱，新興應用對存儲芯片DRAM和NAND需求飆升的同時，也提出了新的要求。近日恰逢全球存儲會議FMS 2024（the Future of Memory and Storage）舉行，諸多存儲領域議題與前沿技術悉數亮相。其中TrendForce集邦咨詢四位資深分析師針對HBM、NAND、服務器等議題展開了深度討論，廓清存儲行業(yè)未來發(fā)展方向。此外，大會現場，NVM Express組織在會中發(fā)布了 NVMe 2.1 規(guī)范，進一步統(tǒng)一存儲架構、簡化開發(fā)流程。另外包括Kioxia
關鍵字：存儲 NAND TrendForce

為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質蝕刻技術 Lam Cyro 3.0

IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團 Lam Research 當地時間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質蝕刻技術 Lam Cyro 3.0。泛林集團全球產品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶實現 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬片晶圓的生產，而我們的最新技術是 3D NAND 生產領域的一項突破。它能以埃米級精度創(chuàng)建高深寬比（IT之家注：High Aspect R
關鍵字： NAND 閃存泛林集團

消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產就緒

IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發(fā)，計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產準備，2026 年二季度正式啟動大規(guī)模生產。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱這一顆粒計劃于 2025 上半年實現量產?！?SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說法，SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
關鍵字： SK海力士內存 NAND

消息稱 SK 海力士考慮推動 NAND 業(yè)務子公司 Solidigm 在美 IPO

IT之家 7 月 29 日消息，綜合外媒《韓國經濟日報》（Hankyung）與 Blocks & Files 報道，SK 海力士考慮推動 NAND 閃存與固態(tài)硬盤子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購英特爾 NAND 與 SSD 業(yè)務，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購第一階段后成立的獨立美國子公司?！?Solidigm D5-P5336，E1.L 規(guī)格，61.44TB由于內外部因素的共同影響，Sol
關鍵字： SK海力士內存 NAND

長江存儲再度“亮劍”，在美國起訴美光侵犯其 11 項專利

IT之家 7 月 22 日消息，據外媒 Tomshardware 報道，中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區(qū)指控美光侵犯了長江存儲的 11 項專利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產品。長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權的存儲產品，并支付專利使用費。長江存儲指控稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
關鍵字：長江存儲 NAND 美光內存

三星發(fā)布了其首款60TB固態(tài)硬盤，能否搶占先機？

內存和存儲芯片制造商三星發(fā)布了其首款容量高達60TB的企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD），專為滿足企業(yè)用戶的需求而設計。得益于全新主控，三星表示未來甚至可以制造120TB的固態(tài)硬盤。對比2020年發(fā)布的上一代BM1733，BM1733采用了第5代V-NAND技術的QLC閃存、堆疊層數為96層、最大容量為15.36TB，顯然BM1743的存儲密度有了大幅度提升。三星以往的固態(tài)硬盤容量上限為32TB，此次推出的BM1743固態(tài)硬盤則將容量提升至了驚人的60TB。值得注意的是，目前三星在該細分市場將面臨的競爭相對較少，因
關鍵字：三星固態(tài)硬盤 V-NAND

鎧俠產能滿載傳7月量產最先進NAND Flash產品

《科創(chuàng)板日報》4日訊，鎧俠產線稼動率據悉已在6月回升至100%水準、且將在7月內量產最先進存儲芯片(NAND Flash)產品，借此開拓因生成式AI普及而急增的數據存儲需求。據悉，鎧俠將開始量產的NAND Flash產品堆疊218層數據存儲元件，和現行產品相比，存儲容量提高約50%，寫入數據時所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ）
關鍵字：鎧俠 NAND Flash

NAND市場，激戰(zhàn)打響

隨著人工智能（AI）相關半導體對高帶寬存儲（HBM）需求的推動，NAND 閃存市場也感受到了這一趨勢的影響。目前，NAND 閃存市場的競爭正在加劇，存儲巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產品開始量產，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類型之分，
關鍵字：三星第九代 V-NAND

鎧俠結束減產？兩座NAND工廠開工率提高至100%

據日經新聞報道，鑒于市場正在復蘇，日本存儲芯片廠商鎧俠已結束持續(xù)20個月的減產行動，且貸方同意提供新的信貸額度。報道稱，鎧俠于6月份將位于三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND工廠的生產線開工率提高至100%。而隨著業(yè)務好轉，債權銀行已同意為6月份到期的5,400億日元（34.3億美元）貸款進行再融資。他們還將設立總額為2,100億日元的新信貸額度。2022年10月，為應對需求低迷的市場環(huán)境，鎧俠發(fā)布聲明稱，將調整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠的生產，將晶圓生產量減少約30%，并表示會繼續(xù)根據
關鍵字：鎧俠 NAND

Omdia：2027 年 QLC 市場規(guī)模將占整體 NAND 閃存 46.4%，為去年 3.6 倍

IT之家 6 月 14 日消息，韓媒 Sedaily 轉述市場分析機構 Omdia 的話稱，2027 年 QLC 市場規(guī)模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%，僅略低于 TLC 的 51%。作為對比，Omdia 認為 2023 年 QLC 閃存市場份額占比僅有 12.9%，今年這一比例將大幅增至 20.7%。換句話說，未來三年 QLC 在 NAND 市場整體中的占比將在今年的基礎上繼續(xù)提升 1.24 倍，達 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前，QLC 的市場滲透主要
關鍵字： QLC NAND 閃存

三星計劃到2030年推出1000層3D NAND新材料

據外媒報道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實現pb級ssd。如果上述材料研發(fā)順利，將能夠在特定條件下表現出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩(wěn)定度。據三星電子高管預測，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數將超過1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroel
關鍵字：三星 NAND 存儲

三星1000層NAND目標，靠它實現

三星電子計劃實現“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現目標，且可能是關鍵。目前，三星已經推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據業(yè)內消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術，堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現超過1000 TB的存儲容量里程碑，為大數據、云計算等領域的發(fā)展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的研究
關鍵字：三星 NAND Flash

三星1000層NAND目標，靠它實現？

三星電子計劃實現“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現目標，且可能是關鍵。目前，三星已經推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據業(yè)內消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術，堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現超過1000 TB的存儲容量里程碑，為大數據、云計算等領域的發(fā)展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的
關鍵字：三星 1000層 NAND

共1457條 2/98 « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經有數 [ 查看詳細 ]